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12日,松下集團(tuán)旗下從事電子零部件業(yè)務(wù)的松下工業(yè)公司負(fù)責(zé)人在記者會(huì)上鞠躬道歉,承認(rèn)在向第三方機(jī)構(gòu)申請(qǐng)產(chǎn)品品質(zhì)認(rèn)證的過程中,存在篡改測(cè)試數(shù)據(jù)等違規(guī)行為。松下工業(yè)稱,當(dāng)時(shí)為了獲得相關(guān)認(rèn)證,對(duì)用于汽車、家電等產(chǎn)品的電子零部件材......
今天開始討論運(yùn)算放大器引入負(fù)反饋后的電路應(yīng)用,先從最簡(jiǎn)單的跟隨器說起,也就是直接將運(yùn)放輸出端連接到運(yùn)放負(fù)輸入端,如下圖:根據(jù)運(yùn)放的特性,有負(fù)反饋的情況下,其正輸入端和負(fù)輸入端壓差為0,也就是Vin- = Vin+ ,而 ......
MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn),習(xí)慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFET 為上管, Low-side MOSFET為下管.如果上管和下管同......
MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,一般為5~10V(G電位比S電位高);2、PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,一般為-5~-10V(S電......
貼片壓敏電阻和TVS二極管可作為過電壓保護(hù)部件使用。這些產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和制造方法完全不同,但作為靜電保護(hù)器件卻具有相似的性質(zhì)。由此,雖然在電路上都可以使用,但也存在不能使用貼片壓敏電阻的情況。的確,由于其歷史背景,產(chǎn)品目錄和......
今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒,還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。mos管驅(qū)動(dòng)有幾種方法,我們知道,其中有一種是用專門的驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng),我們就以這個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)為主。說起mos管關(guān)斷,通常電壓會(huì)比開通時(shí)高,所以關(guān)斷的損失也會(huì)比開通......
01 IGBT是什么?IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管......
**1. 關(guān)于MOS管的極限參數(shù)說明:**在以上圖中,我們需要持續(xù)關(guān)注的參數(shù)主要有:a. **ID(持續(xù)漏極電流)**:該參數(shù)含義是mos可以持續(xù)承受的電流值,在設(shè)計(jì)中,產(chǎn)品的實(shí)際通過電流值應(yīng)遠(yuǎn)小于該值,至少應(yīng)小于1/3......
一、簡(jiǎn)介MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET......
美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測(cè)電阻系列。Bourns 全新電流測(cè)量設(shè)備專為在電力電子設(shè)計(jì)中節(jié)省能源,同時(shí)最大化傳感性能。該系列具有低溫......
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