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了解制造商如何表征和估計(jì)用于電子元件老化預(yù)測的電壓參考的長期漂移(LTD)。雖然電壓參考的輸出在理想情況下應(yīng)該與溫度和時間無關(guān),但現(xiàn)實(shí)世界的電壓參考可能會受到溫度和老化的影響??紤]到這一點(diǎn),本文將討論制造商如何表征和估計(jì)......
使用溫度計(jì)算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為,以了解電阻器漂移、電阻器穩(wěn)定性和運(yùn)算放大器漂移。之前,我們討論了使用相對較短的測試時間來評估電子元件長期穩(wěn)定性的高溫加速老化方法。在本文中,我們將繼續(xù)討論......
這次給大家講解一下可控硅觸發(fā)電路原理,常見的可控硅觸發(fā)電路。可控硅柵極觸發(fā)電路為了使使用可控硅(SCR)的電路正常運(yùn)行,觸發(fā)電路應(yīng)在準(zhǔn)確的時間提供觸發(fā)信號,以確保在需要時開啟。一般來說,用于觸發(fā)可控硅2SCR的觸發(fā)電路必......
今天給大家講一下晶閘管(可控硅)怎么測好壞?在講晶閘管怎么測好壞之前,先給大家講一下晶閘管(可控硅)極性的判斷方法。晶閘管(可控硅)極性判斷的方法晶閘管(可控硅)極性的判斷方法--根據(jù)封裝形式(外觀)普通晶閘管(可控硅)......
今天給大家分享的是:過零檢測器、過零檢測電路。一、什么是過零檢測器(ZCD)?過零檢測器檢測輸入信號過零值或零電壓電平的次數(shù)。零檢測器基本上是一個比較器電路,將輸入的正弦信號或正弦波信號與零電壓電平進(jìn)行比較。換句話說,我......
了解如何計(jì)算老化過程的活化能,以及關(guān)于Arrhenius方程在預(yù)測晶體老化過程時的有用性的一些相互矛盾的觀點(diǎn)。在之前的一篇文章中,我們討論了高溫加速老化方法是一種有效的技術(shù),它使制造商能夠使用相對較短的測試時間來確定電子......
了解由于使用石英晶體的溫度和時間,以及應(yīng)用外推方法、老化方程和Arrhenius方程,電子元件的老化和穩(wěn)定性挑戰(zhàn)。即使有固定的輸入,電子電路也不是完全穩(wěn)定的;經(jīng)常隨時間和溫度漂移。這些與理想行為的偏差會給精確測量增加相當(dāng)......
了解電子電路(即電阻器和放大器)中的溫度漂移。我們還將介紹閃爍噪聲的影響如何發(fā)揮作用,以及漂移如何限制信號平均的有效性。即使在固定的電氣條件下(電源電壓、輸入和負(fù)載),電子電路也不是完全穩(wěn)定的,因?yàn)樗鼈兺鶗S著時間和溫......
JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場......
今天給大家講講結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單,因?yàn)橹挥幸粋€PN結(jié)要測:要么在柵極和源極之間測量,要么在柵極和漏極之間測量。1、結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應(yīng)晶......
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