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數(shù)字加密貨幣通過特定的計算過程生成,俗稱“挖礦”?!巴诘V”特別考驗算力與功耗,單位功耗下算力越高,則代表“挖礦”能力越強,雖然礦機芯片廠商在不遺余力地提升算力,但由于挖礦規(guī)模不斷擴(kuò)大,其消耗的總電量相當(dāng)驚人且在持續(xù)增長。......
估計很多人已經(jīng)等不及了,什么時候可以開始環(huán)路的分析。為了盡快進(jìn)入到大家關(guān)心的部分,這一講我們正式進(jìn)入環(huán)路分析的部分——傳遞函數(shù)。估計很多人已經(jīng)等不及了,什么時候可以開始環(huán)路的分析。為了盡快進(jìn)入到大家關(guān)心的部分,這一講我們......
PFC( Power Factor Correction)被稱為“功率因數(shù)校正”,被定義為有效功率和總耗電量(視在功率)的比值。當(dāng)使用于大中功率開關(guān)電源時,提高功率因數(shù)可以降低電網(wǎng)傳輸中的損耗從而提高電能的輸送效率。因此......
半導(dǎo)體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整,但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動,以IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)為代表的功率器件強勢增長,相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿,產(chǎn)能供不應(yīng)求。車規(guī)級IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭,斯達(dá)半導(dǎo)......
近幾年來,板級電源模塊產(chǎn)品呈現(xiàn)爆炸式發(fā)展態(tài)勢,其集成度高、體積緊湊的優(yōu)點,吸引了越來越多的終端客戶選擇。而越來越多的應(yīng)用類型、越來越復(fù)雜的使用場景,也對電源模塊產(chǎn)品提出了更高的挑戰(zhàn)。如何達(dá)到性能最優(yōu)?如何提升用戶設(shè)計體驗......
于光伏逆變器而言、不僅注重眾所周知的高效率、同樣要關(guān)注成本、尺寸和重量等指標(biāo)、力求持續(xù)改進(jìn)。其中多層拓?fù)涫且环N能很好地滿足上述所有嚴(yán)苛要求的方法。該方法的主要優(yōu)勢之一就是能在多個電壓水平之間切換、能降低半導(dǎo)體的所承受的電......
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體代表,具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點,更適合......
本實驗活動的目標(biāo)是進(jìn)一步強化上一個實驗活動 “使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理,并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級電路的經(jīng)驗。具體而言,您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來......
在一些電源管理應(yīng)用中,無論是要保護(hù)電源(例如,中間電路電壓需要過載保護(hù)以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能),還是在故障情況下保護(hù)可能由于過流而造成損壞的負(fù)載,都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負(fù)載點穩(wěn)壓器來滿......
相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現(xiàn)更高的效率水平,但有時難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。超過 1000 V 電壓的應(yīng)用通常使用IGBT解決方......
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