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隨著多媒體技術(shù)的發(fā)展,人們對(duì)于家庭娛樂(lè)的視聽(tīng)體驗(yàn)要求越來(lái)越高。音箱是家庭影音設(shè)備中非常重要的一部分,為提升品質(zhì),音箱的設(shè)計(jì)也面臨著諸多挑戰(zhàn)。目前,越來(lái)越多的家用音響采用標(biāo)準(zhǔn)USB接口進(jìn)行供電,USB 2.0接口的電流一般......
在功率開(kāi)關(guān)器件最常見(jiàn)的應(yīng)用中,包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測(cè)試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對(duì)于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為,在Tech Web基礎(chǔ)知識(shí)SiC功率元器件的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)......
在當(dāng)前機(jī)械操作過(guò)程中,電壓的調(diào)節(jié)效果決定了儀器的使用壽命和安全性,耐高壓LDO穩(wěn)壓IC能夠?qū)毫焖俚膶?shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)表現(xiàn)出更穩(wěn)定的壓力值。而如今選擇通過(guò)這種高效率降壓芯片進(jìn)行應(yīng)用,也能夠借助其可靠的品質(zhì)和更好的功能來(lái)達(dá)成儀器的......
隨著數(shù)據(jù)需求的增加,服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的需求也在增加,因此用電需求也隨之增加。行業(yè)趨勢(shì)表明,2020 年每個(gè)機(jī)架的功率為 4kW,到 2025 年將高達(dá) 20kW。鑒于供數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器使用的物理空間有限,服務(wù)器電源架構(gòu)產(chǎn)......
在聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)(Polymerase chain reaction, PCR)設(shè)備中,需要通過(guò)控制試管內(nèi)的溫度使得管內(nèi)的DNA進(jìn)行高溫變性(將DNA解螺旋為雙鏈DNA)、低溫退火(將引物與模板DNA進(jìn)行互補(bǔ)配對(duì))、中溫......
10月24日,士蘭微發(fā)布公告稱(chēng),近期,士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線,首個(gè)SiC器件芯片已投片成功,首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求,項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試,目標(biāo)是在今......
云端互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)、人工智能和加密貨幣相繼出現(xiàn),推動(dòng)全球數(shù)據(jù)中心處理能力迅速發(fā)展。此外,電力和房地產(chǎn)價(jià)格持續(xù)攀升,這一趨勢(shì)迫切需要高效緊湊的服務(wù)器電源。本文將闡述如何使用硅和寬禁帶 (WBG) 開(kāi)關(guān)來(lái)滿足電源設(shè)計(jì)要求。為實(shí)現(xiàn)......
本文針對(duì)MOSFET的運(yùn)作模式,組件方案,以及其應(yīng)用范例進(jìn)行說(shuō)明,剖析標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的基本原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì),與方案選擇的應(yīng)用思考。線性MOSFET是線性模式應(yīng)用時(shí)最合適的選擇,能夠確保可靠的運(yùn)作。然而,用于線性模式應(yīng)用時(shí)......
幾乎各種應(yīng)用的半導(dǎo)體數(shù)量都在加倍增加,電子工程師面臨的許多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)都與更高功率密度的需求息息相關(guān)。 TLVM13660 底部包括四個(gè)導(dǎo)熱墊,所有訊號(hào)和電源針腳均可從外圍使用,以便于配置和處理?超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心:......
現(xiàn)階段,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速,令這些器件所需功率急劇增加,直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求:一是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率)升級(jí),為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要......
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