首頁(yè) > 新聞中心 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用
六、面臨SDL人工智能小模型殤顧澤蒼博士發(fā)明的低能耗、小數(shù)據(jù)的SDL人工智能小模型和他的團(tuán)隊(duì)研制的自動(dòng)駕駛?cè)斯ぶ悄芟到y(tǒng)多年來(lái)在國(guó)內(nèi)得不到業(yè)界重視和認(rèn)可、甚至受到不公正的歧視和排斥原因是多種多樣的。主要有:一是顧澤蒼博士比......
1 電子產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)普通電子產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),是相對(duì)比較簡(jiǎn)單的一種機(jī)械設(shè)計(jì),主要任務(wù)是為電路提供一個(gè)保護(hù)外殼或安裝支撐平臺(tái),一般沒(méi)有運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)部分,不必考慮磨損和應(yīng)力,材料的選擇和工藝處理也比較簡(jiǎn)單。但電子產(chǎn)品有自身......
1 層分布1.1 雙面板,頂層為信號(hào)層,底面為地平面。1.2 四層板,頂層為信號(hào)層,第二層為地平面,第三層走電源、控制線。特殊情況下(如 射頻信號(hào)線要穿過(guò)屏蔽壁),在第三層要走一些射頻信號(hào)線。每層均要求大面積敷地。1.2......
01IGBT是什么?IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的......
關(guān)于單片機(jī)芯片電源部分的設(shè)計(jì),這部分大家可以參考各大品牌開(kāi)發(fā)板的設(shè)計(jì),我這里以官方數(shù)據(jù)手冊(cè)相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。STM32芯片電源設(shè)計(jì)通過(guò)查閱《STM32F101xx, STM32F102xx, STM32F103xx, S......
一、什么是RS485RS485通訊采用的是差分信號(hào)負(fù)邏輯控制模式,即2~6V表示“0”,-6~-2V表示“1”。RS485通訊有兩線制和四線制2種接線方式。四線制只能實(shí)現(xiàn)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的通信方式,現(xiàn)已很少采用。兩線制接線方式是目......
了解如何使用LTspice模擬來(lái)提供對(duì)開(kāi)關(guān)電容器電壓反相電源性能的重要見(jiàn)解。之前,我寫(xiě)了一篇文章,解釋了負(fù)電壓的基本原理,我在LTspice實(shí)驗(yàn)室繼續(xù)了這一主題,該實(shí)驗(yàn)室使用模擬來(lái)闡明負(fù)電壓是電路中產(chǎn)生的。作為L(zhǎng)Tspi......
了解縫隙天線,即其歷史、特性和低電壓、小尺寸電子設(shè)備的電磁(EM)行為。盡管縫隙天線可以追溯到20世紀(jì)中葉,但它們?nèi)允亲罱S多研究的主題,并已成為設(shè)計(jì)緊湊、高頻無(wú)線設(shè)備的關(guān)鍵元素。我認(rèn)為,我們大多數(shù)人都把天線想象成一種東......
在這篇文章中,我們使用磁場(chǎng)強(qiáng)度的概念來(lái)幫助解釋復(fù)雜磁導(dǎo)率如何模擬磁芯的損耗。磁導(dǎo)率是用于電氣元件的鐵磁材料的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),它將材料內(nèi)部的磁場(chǎng)與外部場(chǎng)聯(lián)系起來(lái)。在非常低的頻率下,實(shí)值磁導(dǎo)率可以描述材料的磁化強(qiáng)度。然而,在更......
電機(jī)的弱磁功能是指在電機(jī)啟動(dòng)過(guò)程中,電機(jī)控制系統(tǒng)會(huì)先施加一個(gè)較小的電流給電機(jī),使電機(jī)轉(zhuǎn)子產(chǎn)生一定程度的磁場(chǎng),但不足以使電機(jī)正常運(yùn)行。這個(gè)階段稱為電機(jī)的弱磁狀態(tài)。弱磁功能的主要作用是在啟動(dòng)過(guò)程中幫助電機(jī)克服靜摩擦力和動(dòng)摩擦......
43.2%在閱讀
23.2%在互動(dòng)