- 1引言綜合了gtr和mosfet優(yōu)點的igbt，是一種新型的80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管，它控制方便、工作頻率...
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IGBT 及解決方法
- 1 引言
scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動器的功能需求而設計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關斷門級電流通路;功率半導體器件在關斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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MOSFET IGBT 驅動器 芯片
- 為了實現電阻爐的快速升溫及溫度控制，采用運放退飽和的方法，當電阻爐溫度未達到設定值時，運放飽和輸出，所控制的驅動電路輸出脈沖的占空比最大，IGBT近似全導通，電爐加熱功率最大，溫度快速上升；當溫度達到設定值時，運放開始退飽和，輸出電壓逐漸減小，從而減小驅動電路輸出脈沖的占空比，IGBT導通時間變短，電爐加熱功率減小，實現溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測試，驗證了本設計的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點。
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電阻爐 溫度控制 運放 退飽和 IGBT
- 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！ HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- “十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
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新能源 功率器件 IGBT
- 摘要：由于電動汽車及混合動力機車的電池工作電壓范圍較大，在剎車能量回收、發(fā)電機發(fā)電、短路保護等工況下，防止IGBT產生過壓失效成為一個必須深入研究的課題。有源電壓鉗位功能作為防止IGBT過壓失效的有效手段開始有所應用，本文對幾種有源電壓鉗位的具體方式和效果進行了分析，并提出在有源電壓鉗位在電動汽車IGBT驅動應用中的優(yōu)化建議。
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IGBT 電動汽車 201211
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術，為工業(yè)及節(jié)能應用提供卓越性能。
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IR Gen8 IGBT
- 摘要：針對并聯有源電力濾波器在運行過程中會多次出現IGBT爆炸的問題，經過實驗分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒于IGBT的關斷時間極短，連接導線上寄生的微小雜散電感在高頻開關的作用下會產生尖峰過電壓，并與原有電
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SAPF IGBT 過電壓 寄生電感
- 據IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，今年全球電源管理半導體市場預計大幅萎縮6%，主要歸因于全球消費市場明顯疲軟。電源管理半導體對于各類設備節(jié)省能源至關重要。
2012年電源管理芯片營業(yè)收入預計從去年的318億美元降至299億美元。相比之下，去年該產業(yè)在2010年314億美元的基礎上小幅增長1.5%。
明年該市場將恢復增長，預計上升7.6%至322億美元，略高于去年的水平。對于電源管理半導體產業(yè)來說，7.6%的增幅相當一般。繼明年之后接下來的三年，市場將保持溫和增長，2016
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IHS 電源管理 半導體 IGBT
- 國內外大多數光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應管MOSFET構成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態(tài)電阻也 ...
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IGBT 光伏發(fā)電 逆變電路
- 斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和
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IGBT 大功率 斬波
- 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
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安森美 IGBT
- 中心論題：由于汽車環(huán)境的復雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經受嚴峻的熱和機械條件(振動和沖擊)的考驗在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機械振動或機械沖擊試驗中IGBT模塊會出現的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
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IGBT 汽車應用 功率模塊
- 中心論題：IGBT是一種復合全控型電壓驅動式電力電子器件。驅動電路M57962L簡介。M57962L的工作原理。解決方案：一個2.5V～5.0V的閥值電壓使IGBT對柵極電荷集聚很敏感。檢測管壓降VCE的大小可識別IGBT是否過流。封閉性
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M57962L IGBT 驅動電路
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