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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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igbt 文章進(jìn)入 igbt技術(shù)社區(qū)

什么是igbt

什么是igbtIGBT就是大功率絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，在大功率電源上或變頻器上廣泛使用.1.IGBT的基本結(jié)構(gòu)絕緣柵 ...
關(guān)鍵字： igbt

IGBT在電磁爐應(yīng)用研究

本文先介紹IGBT在電磁爐的應(yīng)用，分析電磁爐的各種控制電路，根據(jù)IGBT在電磁爐最普遍的應(yīng)用方式，分析IGBT可能會(huì)出現(xiàn)故障的原因，提出IGBT在電磁爐應(yīng)用過(guò)程中應(yīng)注意的事項(xiàng)，提高IGBT的可靠性，從而達(dá)到提高電磁爐的安全可靠性的目的。
關(guān)鍵字：電磁爐控制電路 IGBT 201201

逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)詳解

這幾天沉下心來(lái)專(zhuān)門(mén)給逆變器的后級(jí)，也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子，用來(lái)深入了解相關(guān)的特性。大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說(shuō)，在逆變
關(guān)鍵字：保護(hù) 詳解驅(qū)動(dòng) 單管 IGBT 逆變

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)

引言　　電阻焊是一種重要的焊接工藝，具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動(dòng)化等特點(diǎn)。IGBT是一種用MOS管來(lái)控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總
關(guān)鍵字： IGBT 保護(hù) 電源焊機(jī) 電阻中頻

IGBT 驅(qū)動(dòng)器提供可靠保護(hù)

1引言為確保電力電子組件在非允許工作的條件影響下得到可靠的保護(hù)，需要快速和可靠的錯(cuò)誤檢測(cè)及有效的...
關(guān)鍵字： IGBT 驅(qū)動(dòng)器保護(hù) IntelliOff（智能關(guān)斷）

功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

1. 引言
　　
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
關(guān)鍵字： UPS 應(yīng)用電源間斷器件 IGBT 功率

IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理

摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理短路電流Tsc1、
關(guān)鍵字：安全工作區(qū) 失效機(jī)理工作物理 IGBT 概念

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

中心議題：大功率直流電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案電源的數(shù)據(jù)傳輸拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
關(guān)鍵字：電源技術(shù) 研究 DC/DC 大功率 IGBT 器件基于

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

關(guān)鍵詞：柵擊穿閾值電壓漂移積累損傷硅熔融
關(guān)鍵字：模式介紹失效器件及其 IGBT

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

摘要：本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

關(guān)鍵詞：柵擊穿閾值電壓漂移積累損傷硅熔融
關(guān)鍵字：模式比較失效器件及其 IGBT

IGBT逆變焊機(jī)電磁騷擾的抑制

1引言在GB15579.10-2008強(qiáng)制性國(guó)標(biāo)即將實(shí)施之際，如何改善逆變焊機(jī)的電磁兼容性（EMC），使之符合標(biāo)準(zhǔn)要求已...
關(guān)鍵字： IGBT 逆變焊機(jī) 電磁騷擾

IGBT在客車(chē)系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

核心內(nèi)容:IGBT在DC600V中的應(yīng)用過(guò)壓和欠壓保護(hù)過(guò)熱保護(hù)應(yīng)用方法：減小主電路的布線(xiàn)電感增加的緩沖二極 ...
關(guān)鍵字： IGBT 逆變器應(yīng)用

關(guān)于IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必知問(wèn)題

1引言IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻...
關(guān)鍵字： IGBT保護(hù)電路 IGBT 保護(hù)電路

如何正確地為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用選擇IGBT

如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類(lèi)數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就...
關(guān)鍵字：太陽(yáng)能逆變器 IGBT

IR擴(kuò)充其耐用、可靠的超高速600 V IGBT系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日擴(kuò)充堅(jiān)固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽(yáng)能、工業(yè)用電機(jī)及焊接應(yīng)用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。
關(guān)鍵字： IR IGBT GPS4067DPbF GP4066DPbF

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自舉升壓驅(qū)動(dòng)芯片的基本原理
深度解析電磁爐的工作原理與常見(jiàn)故障
比亞迪驅(qū)動(dòng)復(fù)用升壓充電專(zhuān)利解析
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IGBT的質(zhì)量和可靠性測(cè)試
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