igbt 文章進(jìn)入 igbt技術(shù)社區(qū)

IGBT助變頻器實(shí)現(xiàn)高效能低損耗

　　·隨著IGBT升級(jí)換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。　　·三菱電機(jī)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)就是貼近系統(tǒng)用戶。　　日本從上世紀(jì)80年代開(kāi)始使用工業(yè)用的變頻器，還有家庭用的變頻空調(diào)，在市場(chǎng)上變頻技術(shù)得到了很快的發(fā)展。最初變頻器都用晶閘管，但是后來(lái)出現(xiàn)了用在變頻器上的IGBT。通過(guò)使用IGBT，功率損耗大幅降低。同時(shí)，經(jīng)過(guò)25年的發(fā)展，出現(xiàn)了各種各樣的研究開(kāi)發(fā)成果，目前三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)發(fā)展到第6代?？梢耘e一個(gè)直觀的例子來(lái)說(shuō)明IGBT的發(fā)展水平：如果
關(guān)鍵字： IGBT 變頻器

基于矩陣變換器IGBT的集中式過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要：分別針對(duì)矩陣變換器的整流級(jí)和逆變級(jí)IGBT的過(guò)流現(xiàn)象進(jìn)行了討論，提出了一種新的集中式過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時(shí)被關(guān)斷，從而安全穩(wěn)定地運(yùn)行。試驗(yàn)結(jié)果表明：新的集中式過(guò)流保
關(guān)鍵字：保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 集中式 IGBT 矩陣變換器基于

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. 　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體

新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終
關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛前景看好

　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為 2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%。　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT

中國(guó)南車成立海外半導(dǎo)體研發(fā)中心

　　近日，中國(guó)南車在英國(guó)林肯丹尼克斯公司成立了半導(dǎo)體研發(fā)中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開(kāi)通儀式，為實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)奠定了更加堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。　　中國(guó)南車2008年10月成功收購(gòu)了丹尼克斯半導(dǎo)體公司，獲得了戰(zhàn)略性資源，與中國(guó)南車現(xiàn)有功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。為尋求更大發(fā)展，南車確立了功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進(jìn)一步加大對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資，著力提升六英寸IGBT芯片的生產(chǎn)能力;同時(shí)建立世界水平的功率半導(dǎo)體研發(fā)中心，
關(guān)鍵字：軌道交通 IGBT

汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

針對(duì)汽車功率模塊需求，英飛凌通過(guò)增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。

混合動(dòng)力車輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求

工作環(huán)境惡劣(高溫、振動(dòng))

IGBT位于逆
關(guān)鍵字： IGBT 汽車級(jí) 混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)

英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開(kāi)關(guān)和效率界限

　　英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于高頻和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用，在降低開(kāi)關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，并可滿足開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用需求。　　近年來(lái)，各種產(chǎn)品對(duì)分立式IGBT的需求促使設(shè)計(jì)者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開(kāi)關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應(yīng)用，幫助最大
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT UPS

英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3

　　英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實(shí)現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設(shè)計(jì)的新款I(lǐng)GBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。　　英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過(guò)推出這兩款新產(chǎn)品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT PrimePACK

英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)

　　英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對(duì)全球工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會(huì)采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機(jī)將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級(jí)：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命，

　　英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求，并為提高功率密度和實(shí)現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。　　英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過(guò)推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的技術(shù)
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT 封裝

英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)

　　英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對(duì)全球工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會(huì)采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機(jī)將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級(jí)：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM

IGBT的驅(qū)動(dòng)和過(guò)流保護(hù)電路的研究

關(guān)鍵字： IGBT 驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)

汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的應(yīng)用

混合動(dòng)力車電力驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵組件是電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，IGBT作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的核心，它的可靠性關(guān)系著混合動(dòng)力車輛的安全運(yùn)行，本文主要針對(duì)IGBT模塊應(yīng)用于汽車領(lǐng)域，所涉及的可靠性相關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了探討，提出了汽車級(jí)IGBT概念，并詳細(xì)說(shuō)明了英飛凌汽車級(jí)IGBT針對(duì)汽車應(yīng)用做出的改進(jìn)。
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT 可靠性功率循環(huán) 溫度循環(huán) 201003

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

　　國(guó)際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過(guò)其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。　　此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動(dòng)閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。通過(guò)驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
關(guān)鍵字： RS MOSFET IGBT