igbt 文章 進(jìn)入 igbt技術(shù)社區(qū)
功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛 前景看好
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為 2833億美元，增長率達(dá)到23.2%。 MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
中國南車成立海外半導(dǎo)體研發(fā)中心
- 近日，中國南車在英國林肯丹尼克斯公司成立了半導(dǎo)體研發(fā)中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開通儀式，為實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)奠定了更加堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 中國南車2008年10月成功收購了丹尼克斯半導(dǎo)體公司，獲得了戰(zhàn)略性資源，與中國南車現(xiàn)有功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢互補(bǔ)。為尋求更大發(fā)展，南車確立了功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進(jìn)一步加大對功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資，著力提升六英寸IGBT芯片的生產(chǎn)能力;同時建立世界水平的功率半導(dǎo)體研發(fā)中心，
- 關(guān)鍵字： 軌道交通 IGBT
汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
- 針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。
混合動力車輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求
工作環(huán)境惡劣(高溫、振動)
IGBT位于逆 - 關(guān)鍵字： IGBT 汽車級 混合動力車 中的設(shè)計(jì)
英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開關(guān)和效率界限
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用，在降低開關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，并可滿足開關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用需求。 近年來，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設(shè)計(jì)者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機(jī)、太陽能逆變器、開關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應(yīng)用，幫助最大
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT UPS
英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3
- 英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實(shí)現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設(shè)計(jì)的新款I(lǐng)GBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。 英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出這兩款新產(chǎn)品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT PrimePACK
英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運(yùn)動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機(jī)將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命，
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求，并為提高功率密度和實(shí)現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。 英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 封裝
英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運(yùn)動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機(jī)將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
汽車級IGBT在混合動力車中的應(yīng)用
- 混合動力車電力驅(qū)動的關(guān)鍵組件是電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動器，IGBT作為電機(jī)驅(qū)動器的核心，它的可靠性關(guān)系著混合動力車輛的安全運(yùn)行，本文主要針對IGBT模塊應(yīng)用于汽車領(lǐng)域，所涉及的可靠性相關(guān)問題進(jìn)行了探討，提出了汽車級IGBT概念，并詳細(xì)說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應(yīng)用做出的改進(jìn)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 可靠性 功率循環(huán) 溫度循環(huán) 201003
RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 國際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。 此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。 通過驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
- 關(guān)鍵字： RS MOSFET IGBT
igbt介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 igbt!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 igbt的理解，并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 igbt的理解，并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
igbt相關(guān)帖子
igbt資料下載
igbt專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473