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RS添加超過900種飛兆半導(dǎo)體裝置
- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置，飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關(guān)鍵字： RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機驅(qū)動裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動系列(RC指逆向?qū)?，可使變頻電機設(shè)計更加經(jīng)濟高效，從而確保采用多個電機的家電實現(xiàn)高達30%的節(jié)能。 洗衣機、冰箱、空調(diào)和洗碗機等家電使用的變頻電機驅(qū)動裝置，采用電子控制裝置和一個開關(guān)電源，以便在不同使用條件下，達到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動系列將英飛凌行業(yè)領(lǐng)先的TRENCHSTOP™ IGBT技術(shù)和續(xù)流二極管集成在單晶粒上，確保器件相對于競爭性解決方
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率轉(zhuǎn)換器 IGBT TRENCHSTOP
英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專利。 通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解，并將申請撤訴。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
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IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當認識到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
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功率半導(dǎo)體充當節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
- 過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動相關(guān)電機進行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT
晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： 靜止變頻技術(shù) 功率器件 晶閘管 IGBT
中國南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
- 9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。 為滿足國民經(jīng)濟發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ)，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)，歷經(jīng)22個月后實現(xiàn)正式投產(chǎn)。 位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體器件 IGBT 二極管
中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)
- 中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來，高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷，該基地的投產(chǎn)運行將加速推動國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進程。 大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來，國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 晶閘管 IGBT
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