igbt 文章進(jìn)入 igbt技術(shù)社區(qū)

CPLD在IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。如何打破國(guó)外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個(gè)嚴(yán)肅的課題擺在我國(guó)工程技術(shù)人員的面前。

在某型號(hào)大功率變頻調(diào)速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結(jié)構(gòu)
關(guān)鍵字： CPLD IGBT 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 中的應(yīng)用

STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

產(chǎn)品特性：耐壓650V STY112N65M5:最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A） STW77N65M5:最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）采用了改進(jìn)Super Junction結(jié)構(gòu) 應(yīng)用范圍：太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器
關(guān)鍵字：意法 MOSFET IGBT

家電下鄉(xiāng)全國(guó)推廣半導(dǎo)體市場(chǎng)需求放大

　　經(jīng)過(guò)一年多的試點(diǎn)，我國(guó)家電下鄉(xiāng)工作已全面鋪開，從2009年2月1日起，家電下鄉(xiāng)工作從12個(gè)省、自治區(qū)、直轄市向全國(guó)推廣。新形勢(shì)下，在全國(guó)范圍內(nèi)推廣家電下鄉(xiāng)對(duì)于擴(kuò)大內(nèi)需、保持經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)較快增長(zhǎng)具有重要意義。作為家電產(chǎn)品不可或缺的零部件，半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)需求也將同步放大，家電下鄉(xiāng)政策為我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提供了發(fā)展機(jī)遇。分立器件和低端IC首先獲益　　從2007年12月開始，我國(guó)在山東、河南、四川三省進(jìn)行了家電下鄉(xiāng)試點(diǎn)工作，對(duì)彩電、冰箱(含冰柜)、手機(jī)三大類產(chǎn)品給予產(chǎn)品銷售價(jià)格13%的財(cái)政資金直
關(guān)鍵字：家電下鄉(xiāng) 分立器件 IGBT 節(jié)能

英飛凌擴(kuò)大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)

　　英飛凌科技股份公司在其位于德國(guó)慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開始到2012年，公司將投資近1,700萬(wàn)歐元用于建造廠房和購(gòu)買制造設(shè)備。英飛凌今天與匈牙利經(jīng)濟(jì)部的代表簽訂了協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，匈牙利經(jīng)濟(jì)部將為該項(xiàng)目融資140萬(wàn)歐元。　　Cegléd工廠主要生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，這種功率模塊是風(fēng)輪機(jī)和光伏系統(tǒng)太陽(yáng)能逆變器以及機(jī)車驅(qū)動(dòng)裝置、有軌電車、制造工廠、扶梯和電梯使用
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT 功率半導(dǎo)體

高性能、高能效的IGBT

關(guān)鍵字： IGBT 性能高能效

大功率IGBT驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路研究

摘要：針對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)問題，提出了分離元件驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路和模塊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路.文中給出了分離元件驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路和模塊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路,并詳細(xì)分析了兩者的工作原理，指出了它們之間的優(yōu)缺點(diǎn). 關(guān)鍵詞：IGBT；分離元件驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路；模塊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路　　IGBT因其飽和壓降低和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)而成為大功率開關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件，但I(xiàn)GBT和晶閘管一樣，其抗過(guò)載能力不高[1-2].因此，如何設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路，使之具有完善的驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)功能，是設(shè)計(jì)者必須考
關(guān)鍵字： IGBT 分離元件驅(qū)動(dòng) 過(guò)流保護(hù)電路

IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法

摘要：利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機(jī)模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計(jì)算出電流不平衡、開關(guān)損耗及結(jié)溫。關(guān)鍵詞：IGBT模塊并聯(lián)；模擬分析方法；蒙特卡羅方法　　IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問題同器件的工藝問題一樣是一個(gè)老問題了。在試圖回答該問題時(shí)，工程師們通常會(huì)很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個(gè)兩難的位置上。過(guò)去，人們針對(duì)該問題提出了一些考慮統(tǒng)計(jì)因素的方法，但是到目前為止，仍然沒有人可以回答這樣的關(guān)鍵問題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時(shí)，超出器件限值的概率有多大。現(xiàn)在，英飛
關(guān)鍵字： IGBT 模塊并聯(lián) 模擬分析方法蒙特卡羅方法 200809

IR 推出適合汽車應(yīng)用的堅(jiān)固可靠600V IC

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出適合汽車應(yīng)用的高、中、低壓堅(jiān)固600V單通道高壓端驅(qū)動(dòng)IC AUIRS212xS系列，其應(yīng)用包括通用汽車驅(qū)動(dòng)器、高壓執(zhí)行器和低油耗直噴系統(tǒng)。　　AUIRS2123S 和 AUIRS2124S高速功率MOSFET 和IGBT驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，可以提供10V至20V的柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓。輸出驅(qū)動(dòng)器具有適用于最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖過(guò)程，而浮動(dòng)通道可用來(lái)驅(qū)動(dòng)在600V電壓下工作的高壓端配置的N溝道功率MO
關(guān)鍵字： IR 汽車驅(qū)動(dòng)器 IGBT

節(jié)能型交流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在電動(dòng)車中的應(yīng)用

關(guān)鍵字： IGBT DC-DC 電動(dòng)車

電力電子技術(shù)突顯節(jié)能功效新型器件嶄露頭角

　　發(fā)展電力電子產(chǎn)業(yè)的首要意義在于節(jié)約電能，因此，高效率是我們對(duì)電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域充當(dāng)了節(jié)能的“急先鋒”，而在新能源領(lǐng)域，電力電子器件也是不可或缺的元素。　　電力電子器件在其發(fā)展的初期(上世紀(jì)60年代-80年代)主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。而近20年來(lái)，隨著4C產(chǎn)業(yè)(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車)的蓬勃發(fā)展，電力電子器件的應(yīng)用范圍有了大幅度的擴(kuò)展，其技術(shù)已成為航空、航天、火車、汽車、通信
關(guān)鍵字：電力電子 IGBT 新能源節(jié)能

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列，用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動(dòng)器IC更快，有助于加快開關(guān)時(shí)間，提高電路效率。　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對(duì)MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT

普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器

PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器是基于具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的ASIC而設(shè)計(jì)的智能型1700V雙路IGBT驅(qū)動(dòng)器，包括邏輯信號(hào)處理的ASIC PSD001，門極驅(qū)動(dòng)的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號(hào)處理、故障鎖存及處理、短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：普爾盛 IGBT 驅(qū)動(dòng)器

用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路

　　除了功率模塊以外，每個(gè)電力電子系統(tǒng)都還有另外一個(gè)關(guān)鍵部件就是IGBT驅(qū)動(dòng)電路，它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此，選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路就和逆變器整體方案的可靠性緊密相關(guān)。與此同時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)該具備最廣泛的系統(tǒng)適應(yīng)性和用戶接口友好性。　　例如，在一個(gè)電力電子逆變器中，微控制器提供系統(tǒng)正確運(yùn)行所需要的數(shù)字信號(hào)。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的功能就是將來(lái)自于微控制器的信號(hào)轉(zhuǎn)換成具有足夠功率的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，來(lái)保證IGBT安全地關(guān)斷與開通。另一方面，IGBT驅(qū)動(dòng)電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
關(guān)鍵字： IGBT SKYPER

三電平逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路電磁兼容研究

分析了三電平逆變器系統(tǒng)中IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要干擾源及耦合途徑，在此基礎(chǔ)上對(duì)lGBT驅(qū)動(dòng)電路EMC設(shè)計(jì)的一些問題進(jìn)行了研究，重點(diǎn)討論了光纖傳輸信號(hào)、輔助電源設(shè)計(jì)、瞬態(tài)噪聲抑制以及PCB的抗干擾設(shè)計(jì)等問題，并給出了設(shè)計(jì)方案。
關(guān)鍵字：電磁兼容研究電路驅(qū)動(dòng) 逆變器 IGBT 電平

三菱電機(jī)第五代IGBT模塊將亮相于電子展

三菱電機(jī)將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國(guó)際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。 ? 三菱電機(jī)采用最新開發(fā)的載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實(shí)現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。分別針對(duì)不同應(yīng)用開發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
關(guān)鍵字：三菱 IGBT 電子展 200802