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英偉達黃仁勛反駁三星HBM3e有問題
- 近日,英偉達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進行了反駁。他表示,英偉達正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片,但目前尚未通過測試,因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質量問題,黃仁勛表示,認證三星HBM需要更多工作和充足耐心,而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質量測試。他重申,英偉達與三星的合作進展順利。此前,三星也堅決否認有關其高帶寬存儲(HBM)產(chǎn)品未能達到英偉達質量標準的報道。三星電子在一份聲明中表示,
- 關鍵字: 英偉達 黃仁勛 三星 HBM3e
新型存儲技術迎制程突破
- 近日,三星電子對外表示,8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成,正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示,eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術,屬于面向嵌入式領域的MRAM(磁阻存儲器)。與傳統(tǒng)DRAM相比,eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性,不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù),同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?;谏鲜鎏匦裕瑯I(yè)界看好eMRAM未來前景,尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中,eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一,致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
- 關鍵字: 存儲 工藝 三星
三星1nm量產(chǎn)計劃或將提前至2026年
- 據(jù)外媒報道,三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計劃,并計劃將1nm的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解,三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工,并計劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖,2nm SF2 工藝將于2025年亮相,與 3nm SF3 工藝相比,同等情況下能效可提高25%,性能可提高12%,同時芯片面積減少5%。報道中稱,三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心,或許來自于“Gate-All-Around(
- 關鍵字: 三星 1nm 晶圓
一季度全球可穿戴腕帶設備蘋果、小米、華為分列前三
- Canalys最新數(shù)據(jù)顯示,2024年第一季度,全球可穿戴腕帶設備的出貨量達4120萬臺,與去年同期基本持平。廠商方面,2024年第一季度,蘋果持續(xù)兩位數(shù)的下滑,但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一;小米依托其腕帶類豐富的產(chǎn)品組合和海外的快速擴張,同比增長38%,以15%的份額位列第二;華為憑借Watch GT4在國內的強勢出貨,同比增長46%,以13%的市場份額位列第三。三星進軍入門級設備,推出新品手環(huán)Galaxy Fit3,同比實現(xiàn)4%增長,以7%的份額位列第四;Noise受印度市場整體市場表現(xiàn)不佳的影響,一
- 關鍵字: 可穿戴 蘋果 小米 華為 三星
臺積電領先中國大陸、美國多少?專家爆最短只剩2年
- 瑞銀舉辦亞洲投資論壇,首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術從2028年起,每年提升生產(chǎn)力至少1%,同時他也看好臺積電與三星,其中臺積電技術領先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年,為長期最具吸引力的投資選擇。香港經(jīng)濟日報報導,瑞銀亞洲投資論壇在香港登場,會中暢談全球經(jīng)濟脈動與股市發(fā)展,提到目前最熱門的人工智能議題,Andrew Garthwaite表示,生成式人工智能技術屬于輕資本,且目前已經(jīng)有20%的個人計算機開放支持,擁有前所未有的覆蓋率,預估2028年開始,生成式人工
- 關鍵字: 臺積電 三星
三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據(jù)外媒報道,三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)”作為下一代NAND閃存材料,希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND,并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利,將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性,有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預測,到2030年左右,其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術演講,分析鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroel
- 關鍵字: 三星 NAND 存儲
三星否認HBM3E品質問題,聲明巧妙回避
- 有報導稱,三星的高頻寬存儲器(HBM)產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題,未能通過Nvidia品質測試,三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱,三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試,強調將繼續(xù)合作,確保品質和可靠性。三星聲明表示,“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應,努力提高所有產(chǎn)品品質和可靠性,也嚴格測試HBM產(chǎn)品的品質和性能,以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品,即8-Hi(24GB)和12-Hi(36GB)容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
- 關鍵字: 三星 內存 HBM
李強會見三星李在镕,呼吁中韓企業(yè)深化人工智能合作
- 當?shù)貢r間5月26日下午,國務院總理李強在首爾出席第九次中日韓領導人會議期間會見韓國三星集團會長李在镕。李強表示,三星對華合作是中韓兩國互利共贏、合作發(fā)展的一個生動縮影。隨著兩國經(jīng)濟持續(xù)發(fā)展、新興產(chǎn)業(yè)不斷涌現(xiàn),合作的前景將越來越廣闊。李強進一步強調,外資企業(yè)是中國發(fā)展不可或缺的重要力量,歡迎三星等韓國企業(yè)繼續(xù)擴大對華投資合作,分享更多中國新發(fā)展帶來的新機遇。在會見期間,李強提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領域的合作。李強表示,希望兩國企業(yè)圍繞高端制造、數(shù)字經(jīng)濟、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫(yī)藥等新領域深挖合作
- 關鍵字: 三星 人工智能 AI
三星集團會長李在镕:堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛的企業(yè)
- IT之家 5 月 27 日消息,據(jù)新華社報道,當?shù)貢r間 5 月 26 日下午,在首爾舉行的第九次中日韓領導人會議期間,韓國三星集團會長李在镕表示將“堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛的企業(yè)”。報道稱,李在镕介紹了三星集團在華投資合作情況,感謝中國政府為三星在華生產(chǎn)經(jīng)營提供的大力支持,表示三星將堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛的企業(yè),繼續(xù)為韓中互利合作作出自己的貢獻。此前消息稱,三星正在提高中國大陸手機產(chǎn)量,將 JDM(共同開發(fā)設計制造)產(chǎn)品產(chǎn)量從 4400 萬臺提升至 67
- 關鍵字: 三星 手機
三星否認自家 HBM 內存芯片未通過英偉達測試,“正改善質量”
- 5 月 27 日消息,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過英偉達測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道,三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”,同時強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產(chǎn)品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
- 關鍵字: 三星 HBM 內存芯片 英偉達
三星否認自家 HBM 內存芯片未通過英偉達測試
- 5 月 27 日消息,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過英偉達測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道,三星電子發(fā)布聲明否認了相關報道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”,同時強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產(chǎn)品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
- 關鍵字: 三星 存儲 HBM 英偉達
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