?半導(dǎo)體文章進(jìn)入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體激光器電源設(shè)計(jì)技術(shù)匯總

自從激光被發(fā)明以后，各種的應(yīng)用隨即發(fā)展起來(lái)，但真正能應(yīng)用在消費(fèi)性電子產(chǎn)品是在半導(dǎo)體激光(或稱(chēng)激光二極體,LaserDiodeLD)發(fā)明之后，特別是在1977年發(fā)明的面射型激光(VCSEL)，因?yàn)榘雽?dǎo)體激光具有輕巧、電光轉(zhuǎn)換效益
關(guān)鍵字：技術(shù) 匯總設(shè)計(jì) 電源激光器半導(dǎo)體

應(yīng)用于智能電表各功能模塊的安森美半導(dǎo)體方案概覽

1 前言在方興未艾的智能電網(wǎng)應(yīng)用中，智能電表發(fā)揮關(guān)鍵的作用。安森美半導(dǎo)體身為應(yīng)用于高能效綠色電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商，在提供應(yīng)用于智能電表的方案方面經(jīng)驗(yàn)豐富，歷史悠久。我們應(yīng)用于智能電表的電力線
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體方案概覽安森美功能模塊智能電表應(yīng)用

日本半導(dǎo)體廠同陷營(yíng)運(yùn)困境　調(diào)整結(jié)構(gòu)與擴(kuò)大委外代工

　　半導(dǎo)體整合元件廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)東芝(Toshiba)現(xiàn)居日本半導(dǎo)體龍頭地位，2012年第2季其公司營(yíng)收較第1季衰退25%，僅1,909億日?qǐng)A(約24億美元)，為2010年以來(lái)單季最低水準(zhǔn)，不僅如此，營(yíng)業(yè)損益亦由第1季獲利156億日?qǐng)A轉(zhuǎn)為虧損10億日?qǐng)A。　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)以NAND Flash等記憶體為主要營(yíng)收來(lái)源，2012年第2季受制于全球NAND Flash價(jià)格仍持續(xù)下跌，東芝記憶體營(yíng)收較第1季大幅減少39%，僅953億日?qǐng)A，
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體元件

DIALOG半導(dǎo)體借贏得JABRA設(shè)計(jì)擴(kuò)大其在無(wú)線音頻領(lǐng)域中的成功

　　德國(guó)Kirchheim/Teck – 2012年8月29日- 高度集成和創(chuàng)新的電源管理、音頻和近距離無(wú)線技術(shù)供應(yīng)商Dialog 半導(dǎo)體有限公司(FWB:DLG)日前宣布：Jabra公司已經(jīng)采用該公司的短距離無(wú)線音頻芯片，用以開(kāi)發(fā)其Jabra PRO 9450 Flex JP耳機(jī)，該耳機(jī)可連接到辦公室電話和采用諸如Skype或Microsoft Lync 等VoIP網(wǎng)絡(luò)電話軟件的電腦上。　　Jabra PRO 9450 Flex JP是一款時(shí)尚、高性能、輕便的無(wú)線耳機(jī)，它是第
關(guān)鍵字： DIALOG 半導(dǎo)體

IR推出兩套完整的Ultrabook Vcore解決方案

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IR3588 ChiL數(shù)字控制IC，以及IR3552與IR3546單、雙相位PowIRstage器件，提供業(yè)界占位面積最小的解決方案，滿足英特爾 (Intel) 針對(duì)15W和25W Ultrabook筆記本電腦的VR12.6規(guī)格需求，有助于大幅延長(zhǎng)電池壽命。
關(guān)鍵字： IR 半導(dǎo)體 IR3588

美開(kāi)發(fā)出無(wú)缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜

?　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)麻省理工學(xué)院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過(guò)程開(kāi)發(fā)出無(wú)缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料，可廣泛應(yīng)用并開(kāi)辟潛在的重點(diǎn)研究領(lǐng)域。相關(guān)報(bào)告發(fā)表在近期出版的《納米快報(bào)》雜志網(wǎng)絡(luò)版上。　　半導(dǎo)體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學(xué)性質(zhì)。但想通過(guò)控制納米晶體在表面上的布置，形成具有均勻結(jié)構(gòu)的薄膜卻十分困難。典型的納米晶體薄膜一般都有能限制自身效用的裂縫，使得科研人員無(wú)法測(cè)量這些材料的基本特性。　　此次制成的無(wú)缺陷薄膜的導(dǎo)電率約為傳統(tǒng)方法制成的有裂縫
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶體薄膜

三星跟隨英特爾和臺(tái)積電 5億歐元注資ASML公司

　　據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，荷蘭微影設(shè)備廠ASML今天宣布，三星公司已同意向ASML投資5.03億歐元(約合6.29億美元)，獲得該公司3%股權(quán)。此外，三星承諾在未來(lái)5年將向ASML公司投資2.76億歐元(約合3.45億美元)，支持ASML研發(fā)下一代微影技術(shù)。　　三星跟隨英特爾和臺(tái)積電 5億歐元注資ASML公司　　此前，臺(tái)積電和英特爾公司已宣布分別以8.38億歐元和33億歐元收購(gòu)ASML公司5%和15%股權(quán)。同時(shí)，臺(tái)積電公司承諾在未來(lái)5年向ASML投入2.76億歐元，用于ASML的研發(fā)計(jì)劃。　　ASM
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體

半導(dǎo)體布局與三星之盛:打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈

　　只有半導(dǎo)體強(qiáng)大才能令消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)強(qiáng)大，目前智能手機(jī)領(lǐng)域的蘋(píng)果、三星正是來(lái)自于半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)美國(guó)與韓國(guó)。　　據(jù)2013年第一財(cái)年季度報(bào)告顯示，RIM營(yíng)收比去年下滑43%，凈虧損達(dá)5.18億美元，而上年同期實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)6.95億美元。截至6月29日，RIM股價(jià)繼續(xù)下跌了18.1%，公司市值僅為38億美元。與鼎盛的2008年相比，RIM市值已蒸發(fā)95%。為了節(jié)省開(kāi)支自救，該公司還宣布，計(jì)劃在明年3月本財(cái)年度結(jié)束前裁減5000個(gè)工作崗位，約占員工總?cè)藬?shù)的1/3。　　黑莓是否能夠再次站起來(lái)?還是會(huì)踏上像Pal
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體針對(duì)充電電池的低成本CCR充電解決方案

對(duì)于手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)(DSC)、音樂(lè)播放器等便攜設(shè)備中常見(jiàn)的單節(jié)鋰離子電池等而言，充電一直是一個(gè)頗有挑戰(zhàn)性的問(wèn)題，因?yàn)榧纫獫M足特定應(yīng)用要求，又要確保安全和無(wú)故障的充電操作。本文將討論怎樣將安森美半導(dǎo)體的恒流穩(wěn)
關(guān)鍵字： CCR 充電解決方案成本充電電池半導(dǎo)體針對(duì) 安森美

臺(tái)松綁限制條件 LED、面板、半導(dǎo)體等開(kāi)放參股

　7月對(duì)大陸投資金額為11.79億美元、年減9%，連6個(gè)月負(fù)成長(zhǎng);今年前7月份投資金額為63.53億美元、年減24%，投審會(huì)表示，臺(tái)灣由于全球景氣不好，讓以IT為主的臺(tái)商對(duì)于產(chǎn)能擴(kuò)充趨于保守。
關(guān)鍵字： LED 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體氣體傳感器工作原理及結(jié)構(gòu)特征

氣體傳感器主要有半導(dǎo)體式、接觸燃燒方式、化學(xué)反應(yīng)式、光干涉式、熱傳導(dǎo)式、紅外線吸收散式等。而這當(dāng)中以半導(dǎo)體氣體傳感器應(yīng)用更為廣泛。半導(dǎo)體氣體傳感器由氣敏部分、加熱絲以及防爆網(wǎng)等構(gòu)成，它是在氣敏部分的Sn
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 特征原理工作氣體傳感器半導(dǎo)體

華為威脅論十四年中國(guó)企業(yè)的無(wú)奈與夢(mèng)想

當(dāng)國(guó)家不能為人們的生存提供保障,不能成為人生實(shí)踐平臺(tái)的時(shí)候,所有的一切也就似那流星,所有的能力、熱血、才華、激情,也只是垂死者那慘白面孔上一縷燦爛的笑容!” 我們值得期待的是,今日中國(guó)非彼時(shí)中國(guó),今日看似相同的情形,應(yīng)該會(huì)有不同的結(jié)局。
關(guān)鍵字：華為半導(dǎo)體

半導(dǎo)體光電器件的工作原理分析

半導(dǎo)體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來(lái),使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。光電器件主要有,利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件,利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。這一節(jié)中簡(jiǎn)略地向大家
關(guān)鍵字：原理分析工作器件光電半導(dǎo)體

WSTS:世界半導(dǎo)體市場(chǎng)寄望明年

在AMD、Intel相繼退出WSTS(世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織)之后，WSTS余下成員6月仍在加拿大集會(huì)，按慣例進(jìn)行了春季預(yù)測(cè)，但它態(tài)度較為悲觀，與市調(diào)公司Gartner、IHS iSuppli、IDC等日前上調(diào)今年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)(從2～3%提升為約4%)相左，預(yù)測(cè)今年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)將僅能與去年持平，微增0.4%，把增長(zhǎng)的期望留待明年，預(yù)測(cè)彼時(shí)將增長(zhǎng)7.2%，2014年續(xù)增4.4%。
關(guān)鍵字： WSTS 半導(dǎo)體 201208

IC Insights：未來(lái)五年半導(dǎo)體成長(zhǎng)可期

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights指出，未來(lái)五年內(nèi)，整體半導(dǎo)體市場(chǎng)將顯著回升，某些領(lǐng)域的年平均成長(zhǎng)率還可望達(dá)到兩位數(shù)，特別是NAND快閃記憶體市場(chǎng)，自2011~2016年的平均年成長(zhǎng)率最為強(qiáng)勁，可達(dá)16.6%。　　DRAM市場(chǎng)也預(yù)計(jì)將會(huì)好轉(zhuǎn)，2011~2016年的年成長(zhǎng)率為9.6%，扭轉(zhuǎn)過(guò)去五年來(lái)的下降局面。這兩大領(lǐng)域?qū)⒂兄谡w半導(dǎo)體市場(chǎng)在2011~2016年期間的成長(zhǎng)幅度較2006~2011年提高一倍。　　其他主要市場(chǎng)如微處理器(MPU)和類(lèi)比元件，預(yù)計(jì)到2016年也將呈現(xiàn)成長(zhǎng)。另外，光電/感測(cè)
關(guān)鍵字： IC Insights 半導(dǎo)體