?半導體 文章 進入?半導體技術(shù)社區(qū)
英飛凌在馬來西亞開設全球最大功率半導體工廠，助力東南亞半導體產(chǎn)業(yè)升級
- 2024年8月8日，歐洲頂級芯片制造商英飛凌宣布其位于馬來西亞古來的全球最大功率芯片工廠正式投產(chǎn)。這座工廠不僅是英飛凌歷史上規(guī)模最大的功率半導體生產(chǎn)設施，也標志著馬來西亞在全球半導體供應鏈中的地位進一步提升。根據(jù)英飛凌的規(guī)劃，這座新工廠將在未來五年內(nèi)逐步提升產(chǎn)能，最終成為全球最大的碳化硅（SiC）生產(chǎn)基地。碳化硅材料具有高效率、高耐壓的特點，廣泛應用于可再生能源、電動汽車和人工智能數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，市場需求前景廣闊。此次投產(chǎn)不僅是英飛凌在東南亞的重要布局，也為馬來西亞吸引了創(chuàng)紀錄的芯片和數(shù)據(jù)中心投資。隨著全
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半導體IP市場規(guī)模分析與未來展望
- 2023年，全球半導體知識產(chǎn)權(quán)（IP）市場的規(guī)模估值為70.4億美元，預計到2032年，這一數(shù)字將增長至156.8億美元，年均復合增長率（CAGR）為9.77%。該市場的主要應用領(lǐng)域包括汽車、消費電子（如手機和平板電腦）以及企業(yè)存儲設備。市場的增長主要受全球消費電子產(chǎn)品采用的增加、系統(tǒng)級芯片（SOC）設計復雜性提升以及對連接設備需求增加的推動。根據(jù)SEMI的最新季度《世界晶圓廠預測》報告，預計到2023年底，將有超過40家晶圓廠開始安裝，總支出將超過半萬億美元。此外，2022年全球半導體材料市場帶來了72
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德國芯片制造商英飛凌將裁員1400人
- 英飛凌表示，其目標市場的復蘇進展緩慢。由于市場環(huán)境艱難，德國芯片制造商英飛凌周一宣布將裁員1400人，并重新安置另外1400人，同時宣布利潤下降并下調(diào)了前景預期。這次裁員是從全球約58,600名員工中進行的，是該公司于5月啟動的公司重組的一部分。首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck在發(fā)布集團第三季度財報的同時在一份聲明中表示，這一計劃旨在“增強我們的競爭力”。一位發(fā)言人向法新社證實，將裁員并將職位轉(zhuǎn)移到成本較低的地點，但未提供進一步的細節(jié)。這一消息是在美國芯片巨頭英特爾上周宣布將裁員超過15%并尋求今
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半導體晶圓代工“神仙打架”！
- 近期，半導體晶圓代工市場可謂是“喜事連連”。一方面，英特爾、三星、聯(lián)電等廠商紛紛公布財報顯示，晶圓代工業(yè)務迎來利好；另一方面，臺積電、世界先進的對外增資案也獲得批準。多家廠商代工業(yè)績表現(xiàn)亮眼當?shù)貢r間8月1日，英特爾公布2024年第二季度財務業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，當季英特爾實現(xiàn)營收128億美元，同比下降1%，低于市場分析師普遍預期的129.4億美元。盡管總體營收不盡如人意，但在晶圓代工業(yè)務方面的表現(xiàn)卻較好，數(shù)據(jù)顯示，2024年第二季度，英特爾晶圓代工業(yè)務實現(xiàn)營收43億美元，較2023年同期增長4%。圖片來源：英特
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香港在全球半導體行業(yè)取得突破，設立下一代氮化鎵晶圓生產(chǎn)線
- 香港正在設立其首條氮化鎵（GaN）晶圓生產(chǎn)線，這是一種新一代半導體材料，旨在在美中技術(shù)競爭加劇的背景下，幫助香港在全球芯片行業(yè)占據(jù)一席之地。今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學園（HKSTP）合作，建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗生產(chǎn)線，目標是到2027年實現(xiàn)年產(chǎn)1萬片的生產(chǎn)能力，MassPhoton創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官廖義森在周二的媒體簡報會上表示。該公司專注于制造紫外線-C消毒產(chǎn)品，將在香港新晶圓生產(chǎn)線投資2億港元（2560萬美元），并在科學園內(nèi)建立GaN技術(shù)的研發(fā)中心，HK
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新加坡淡馬錫將在美國AI、半導體和數(shù)據(jù)中心投資300億美元
- 新加坡國有投資公司淡馬錫控股將大幅增加其在美國的投資，承諾在未來五年內(nèi)投資300億美元。該公司的戰(zhàn)略將優(yōu)先考慮與AI相關(guān)的公司、半導體制造商和基礎設施企業(yè)，包括數(shù)據(jù)中心及其支持技術(shù)。隨著地緣政治緊張局勢升級，淡馬錫對在中國投資越來越謹慎，這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變正在發(fā)生。今年，美國已超過中國成為淡馬錫資本的最大接受者，占其投資組合的22%。淡馬錫北美負責人簡·阿瑟頓（Jane Atherton）強調(diào)了公司對推動技術(shù)進步和經(jīng)濟增長的領(lǐng)域的關(guān)注。她表示，美國在AI發(fā)展方面處于領(lǐng)先地位，他們在這一領(lǐng)域看到了巨大的潛力。此外
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莫迪150億美元的芯片賭注能否將印度變成半導體強國？
- 印度總理納倫德拉·莫迪正在“全力以赴”，努力將印度轉(zhuǎn)變?yōu)槿蛐酒傎愔械母偁幷?，但專家警告說，印度在建立自給自足的半導體生態(tài)系統(tǒng)之前還有很長的路要走。莫迪政府在2月份批準了價值150億美元的國內(nèi)半導體制造廠投資，包括印度本地財團塔塔集團（Tata Group）提出的建設該國首個主要芯片制造廠的提案。該工廠將設在莫迪的家鄉(xiāng)古吉拉特邦，預計到2026年底每月生產(chǎn)5萬片晶圓。這項投資還包括與日本、臺灣和泰國公司合作開發(fā)的組裝單元和包裝廠。塔塔集團表示，其目標是到2030年推動印度半導體產(chǎn)業(yè)達到1100億美元，占
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創(chuàng)新的極紫外光刻技術(shù)極大地造福了半導體制造
- 沖繩科學技術(shù)研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導體制造標準的極紫外（EUV）光刻技術(shù)?；诖嗽O計的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一，有助于半導體行業(yè)變得更加環(huán)?？沙掷m(xù)。通過解決兩個以前被認為在該領(lǐng)域不可克服的問題，這項技術(shù)得以實現(xiàn)。第一個問題涉及一種僅包含兩個鏡子的全新光學投影系統(tǒng)。第二個問題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會阻擋光學路徑。E
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美國的半導體賭博：對逐漸消逝的主導地位的絕望抓取
- 美國在技術(shù)領(lǐng)域的影響力逐漸減弱，為了維持對中國的技術(shù)優(yōu)勢，不得不采取越來越絕望的措施。拜登政府最近推動的嚴格的半導體出口管制不僅揭示了以往政策的失敗，也有可能疏遠重要盟友，進而瓦解西方技術(shù)霸權(quán)的結(jié)構(gòu)。華盛頓最近試圖通過更嚴格的出口管制來加強對全球半導體貿(mào)易的控制，這表明其過去的戰(zhàn)略已告失敗。政府現(xiàn)在正在利用外國直接產(chǎn)品規(guī)則（FDPR）作為嚴厲威脅，試圖通過脅迫讓不情愿的盟友屈服。這一極端措施允許美國對使用了哪怕是最少量美國技術(shù)的外國制造產(chǎn)品實施管制，旨在迫使像日本的東京電子有限公司和荷蘭的ASML控股公司
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YMTC芯片制造商的首席執(zhí)行官表示，中國將在3到5年內(nèi)迎來“爆炸性”半導體增長
- 一位中國半導體行業(yè)高管預測，在封裝應用和技術(shù)方面的優(yōu)勢支持下，中國將在未來三到五年內(nèi)迎來“爆炸性增長”，為國家克服美國技術(shù)限制開辟道路。據(jù)中國國家電視臺報道，中國半導體行業(yè)協(xié)會（CSIA）會長、中國最大的存儲芯片制造商長江存儲技術(shù)有限公司（YMTC）負責人陳南翔表示，國家正在探索一種新的市場導向型行業(yè)模式，放棄依賴大學和研究機構(gòu)的舊模式。陳南翔在接受中國中央電視臺英語頻道CGTN采訪時表示：“[今天的重點]是產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品、服務和商業(yè)模式的創(chuàng)新，這些最終必須帶來價值。” 他在接受CGTN采訪時說，“中國的芯片
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Onsemi推出新一代碳化硅半導體
- 美國半導體制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺，用于電動汽車和其他應用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導通損耗和高達50%的關(guān)斷損耗。據(jù)Onsemi稱，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場至關(guān)重要。在電動汽車中，逆變器將電池的直流電轉(zhuǎn)換為電動機所需的交流電。轉(zhuǎn)換損耗和冷卻需求越低，車輛在相同電池容量下的續(xù)航里程就越大。具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術(shù)提供了
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歐盟和韓國合作推進半導體技術(shù)
- 歐盟與韓國簽署協(xié)議，合作開發(fā)半導體技術(shù)。這一合作將作為歐盟和韓國數(shù)字伙伴關(guān)系的成果，共同資助四個半導體項目。根據(jù)歐盟和韓國數(shù)字伙伴關(guān)系的安排，這些項目將共同籌集1200萬歐元資金。其中一半來自歐盟的“Horizon Europe”計劃下的芯片聯(lián)合企業(yè)，另一半來自韓國國家研究基金會（NRF）。所選項目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項目將持續(xù)三年，旨在推進異構(gòu)集成技術(shù)（將多個組件集成到一個半導體中）以及優(yōu)化仿生神經(jīng)技術(shù)（模仿人腦功能）。加強歐盟與韓國的合作將結(jié)合歐洲和韓國研究與創(chuàng)
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中國團隊研究解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙
- 中國科學家們研發(fā)出一種超薄半導體材料，這一進展可能會帶來更快、更節(jié)能的微芯片。由北京大學的劉開輝、人民大學的劉燦和中國科學院物理研究所的張光宇領(lǐng)導的團隊，開發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導體材料。研究人員的發(fā)現(xiàn)于7月5日發(fā)表在同行評議期刊《科學》上，解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙——隨著設備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學家探討了二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統(tǒng)硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國計劃對中國半導體產(chǎn)業(yè)實施“嚴厲”制裁：報告
- 美國政府正在考慮對中國獲取先進芯片制造工具的限制措施，這些措施甚至被一些美國盟友稱為“嚴厲”。主要提案包括應用外國直接產(chǎn)品（FDP）規(guī)則，施壓盟友限制在中國的設備服務和維修，以及擴大需要許可證的未核實清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產(chǎn)業(yè)的進步。一個關(guān)鍵提案是應用FDP規(guī)則，這將允許美國對包含任何美國技術(shù)的外國生產(chǎn)的物品施加控制。根據(jù)彭博社的報道，這將特別影響像東京電子和阿斯麥（ASML）這樣的公司，限制它們向中國提供先進的晶圓制造設備（WFE）。這一措施被美國盟友視為“嚴厲”，但反映了美國政府限制中
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