EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
?氮化鎵
?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區(qū)
英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)
- 英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國(guó)慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產(chǎn)品的優(yōu)越性：它們具備更高功率密度，可實(shí)現(xiàn)更加小巧、輕便的設(shè)計(jì)，從而降低系統(tǒng)總成本和運(yùn)行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)IC的推出，目前，英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 氮化鎵
用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能
- 將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 TI 集成驅(qū)動(dòng)器
氮化鎵（GaN）技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新
- Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術(shù)官 我們可以想象一下：當(dāng)你駕駛著電動(dòng)汽車行駛在馬路上，電動(dòng)車充電設(shè)備的充電效率可以達(dá)到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)比目前應(yīng)用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進(jìn)口袋?！ ‰娮釉O(shè)備的未來(lái)取決于電源管理創(chuàng)新?！ 』蛘咴O(shè)想一下：每個(gè)簡(jiǎn)單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢使用的電力足以灼燒一個(gè)60瓦燈泡約17秒?，F(xiàn)在乘上每天發(fā)生的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗?！ 「行У毓芾砟茉床⒄加酶】臻g，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(G
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 德州儀器
英飛凌：功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步為電路創(chuàng)新提供契機(jī)
- 近年來(lái)，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實(shí)環(huán)境下，各國(guó)政府以及相關(guān)機(jī)構(gòu)也相應(yīng)制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽(yáng)能、電動(dòng)車，以及充電站等配套設(shè)備，需要依靠高效率的電源轉(zhuǎn)換器，才能使設(shè)備發(fā)揮出最佳性能。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌，電源轉(zhuǎn)換器技術(shù)，氮化鎵
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力
- 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)?！ ∨cLDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)已牢固確立——它可提供超過(guò)70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測(cè)試數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)。 硅基氮化鎵成為射頻半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 LDMOS
氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國(guó)造”
- 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(zhǎng)壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 “不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商， 團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵
氮化鎵有望乘5G起飛 亟需建立產(chǎn)業(yè)鏈
- 隨著氮化鎵(GaN)不斷應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內(nèi)專家直言，電力電子產(chǎn)業(yè)即將迎來(lái)技術(shù)的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指標(biāo)，也是硅元件難以望其項(xiàng)背的。特別是近年來(lái)隨著氮化鎵廣泛被應(yīng)用于手機(jī)快充、電源以及5G市場(chǎng)，氮化鎵即將引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革命的呼聲越來(lái)越高。 有望于手機(jī)快充、5G市場(chǎng)起飛 當(dāng)下，氮化鎵的主要應(yīng)用市場(chǎng)是手機(jī)快充、電源產(chǎn)業(yè)。近年來(lái)手機(jī)快充技術(shù)不斷發(fā)展，已成為智能手機(jī)標(biāo)配，而促進(jìn)其普及的重要推手便是氮化
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 5G
我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展路線圖漸明晰
- 6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭(zhēng)全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行列，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國(guó)際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%……第三代半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)25日在京舉行。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲如是描述我國(guó)第三代半導(dǎo)體的“中國(guó)夢(mèng)”。 第二屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽同日啟動(dòng)。大賽圍繞第三代半導(dǎo)體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應(yīng)用及設(shè)計(jì)與仿真方面的技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新，以及商業(yè)模式創(chuàng)新等內(nèi)容征集參
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 氮化鎵
5G PA高功率需求增 氮化鎵組件身價(jià)看漲
- 具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對(duì)功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來(lái)氮化鎵將逐步在手機(jī)的5G功率放大器中出現(xiàn)，基地臺(tái)的功率放大器應(yīng)用也是其另一項(xiàng)發(fā)展主力。 絡(luò)達(dá)科技技術(shù)長(zhǎng)林珩之表示，5G基地臺(tái)的功率放大器將會(huì)以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(dǎo)(PowerHandle)，并以表現(xiàn)度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(zhǔn)(Calibration)程序，成本會(huì)比較高。不過(guò)，基地臺(tái)的整體數(shù)量相較于手機(jī)應(yīng)用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵
?氮化鎵介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條?氮化鎵!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)?氮化鎵的理解，并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)?氮化鎵的理解，并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
?氮化鎵相關(guān)帖子
?氮化鎵資料下載
?氮化鎵專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473