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	?氮化鎵
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          意法半導體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片,取得技術與性能階段突破
          
                                                            
            
                    	
          • ?●? ?產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標，現(xiàn)進入認證測試階段●? ?實現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化
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          • 關鍵字：
                        射頻  氮化鎵                          
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          新一代單片式整合氮化鎵芯片 升級功率電路性能
          
                                                            
                                        
            
                    	
          •  在這篇文章里，imec氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平臺上，整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管（HEMT）的成功案例。該平臺以p型氮化鎵（GaN）HEMT制成，并成功整合多個GaN組件，將能協(xié)助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發(fā)展。同時提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負載點（POL）轉(zhuǎn)換器所需的開發(fā)動能，進一步縮小組件尺寸與提高運作效率。電力電子半導體的最佳解答：氮化鎵（GaN）過去
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  功率電路                          
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          EPC新推最小型化的100 V、2.2 m?氮化鎵場效應晶體管
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業(yè)領先供應商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應用的理想器件，包括用于新型服務器和人工智能的
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  場效應                          
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          意法半導體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準下一代50W高能效電源設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自適應間歇工作模式(burstmode) 開啟的情況下，待機功耗低于30 mW。此外，該器件的保護功能可提高穩(wěn)健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內(nèi)同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨，配有USB-PD供電端口的開
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  氮化鎵  功率轉(zhuǎn)換器  氮化鎵  電源                          
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          第三代半導體核芯氮化鎵，何時紅透半邊天？
          
                                                            
            
                    	
          • 半導體研究隨著以空間技術、計算機為導向的第三次科技革命（1950年）拉開帷幕。半導體產(chǎn)業(yè)作為知識技術高度密集、資金密集、科研密集型產(chǎn)業(yè)，由上游（半導體材料）、中游（光電子、分立器件、傳感器、集成電路）、下游（終端電子產(chǎn)品）組成。第一代半導體材料：硅、鍺元素。金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）已在各類電子器件、集成電路中廣泛應用。第二代半導體材料：砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導體材料大，但擊穿電壓不夠高，在高溫、高功率下應用效果不理想，砷化鎵源材料有
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          • 關鍵字：
                        半導體核芯  氮化鎵                          
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          射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO（mMIMO）系統(tǒng)的推動下，基站無線電中的半導體器件數(shù)量急劇增加，移動網(wǎng)絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡的安裝和
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導體潛力無限
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計。　　與三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能。　　由于GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關的潛力。　　氮化鎵的導熱性相對較差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結(jié)周圍的一個小區(qū)域。漸進式的改進　　雖然不理想，但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵集成方案如何提高功率密度
          
                                                            
            
                    	
          • 　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅(qū)動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！　aN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          不只是充電器！99％的人不知道的事實：氮化鎵技術竟與5G 相關
          
                                                            
            
                    	
          • 　　過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍?！　‘斎?，5G對數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術，實現(xiàn)在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧?！　《@里其實有一個有趣的事實：　　這項為5G手機帶來
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 根據(jù)阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”。達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進圖：資料來源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　氮化鎵充電器頻繁的出現(xiàn)在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來看看。　　氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN  充電器                          
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          拆解報告：全有興65W 2C1A氮化鎵充電器XG65T300
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全有興65W氮化鎵快充開箱充電器采用PC材質(zhì)白色外殼，整體高光亮面處理，邊角過渡圓潤。機身正面印有芯冠科技的中英文名稱。另一面設計有耕源科技中英文名稱，正背面這一設計表明了產(chǎn)品是基于芯冠科技和耕源科技的快充方案打造的。機身一側(cè)還有充電器相關參數(shù)產(chǎn)品型號：XG65T300輸入：100-240V 50/60Hz 1.5A輸出：65WUSB-A：5V2AUSB-C1/2：5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A產(chǎn)品已經(jīng)通過了CCC、CE、FCC認證。輸入端外殼兩側(cè)加入雙翼設計，使用更加穩(wěn)定。
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          • 關鍵字：
                        全有興  氮化鎵  充電器                          
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          拆解報告：ProMini 130W氮化鎵充電器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ProMini是香港Magic-Pro旗下品牌，旗下產(chǎn)品包括了快充電池、快充數(shù)據(jù)線、快充充電器、無線車充、旅行充電器、影音周邊等系列產(chǎn)品，并且熱銷海內(nèi)外，深受用戶青睞。近日，充電頭網(wǎng)入手了兩款來自ProMini的百瓦級桌面快充充電站，分別是130W 3C1A快充和200W 4C快充。同時為了實現(xiàn)小體積、高效率的設計，兩款產(chǎn)品均應用了第三代半導體氮化鎵技術，多個接口以及百瓦級大功率配置，讓這兩款產(chǎn)品可以一次滿足四臺設備的同時充電的需求，非常適合居家客廳、辦公室等使用場景。今天這篇文章先來給大家?guī)鞵roMi
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  充電器  拆解                          
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          躋身第三代半導體市場 ST助力全球碳中和
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應用在工業(yè)和電動汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者，意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優(yōu)勢作用，推出了有關氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業(yè)領域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會，介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻。　　據(jù)調(diào)查，工業(yè)領域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  ST  碳化硅  氮化鎵  202203                          
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          ?氮化鎵介紹
          
      			
          
		      	
          
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