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          納米級(jí)壓電LED陣列推動(dòng)機(jī)器人觸感皮膚技術(shù)發(fā)展

          • 電子簽名、指紋掃描、以及機(jī)器人觸感皮膚之間有什么共同點(diǎn)?得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉(zhuǎn)化成微型L...
          • 關(guān)鍵字: LED陣列    LED技術(shù)    氮化鎵  

          美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備

          •   據(jù)中國(guó)國(guó)防科技信息網(wǎng)報(bào)道,美國(guó)射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個(gè)用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓,以滿足軍用和商用需求。該公司實(shí)現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變,以降低成本滿足不斷增長(zhǎng)的氮化鎵器件市場(chǎng)需求。   RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱(chēng):“我們很高興在RFMD公司的現(xiàn)有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  晶圓  

          如何使用氮化鎵器件:引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù)

          • 如何使用氮化鎵器件:引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù),本文是專(zhuān)為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們?cè)谖磥?lái)數(shù)個(gè)月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù),并討論其基本設(shè)計(jì)及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱(chēng)王多時(shí)
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  晶體管  

          TriQuint發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器

          • 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),日前發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器,為快速增長(zhǎng)的有線電視基礎(chǔ)構(gòu)架提供了優(yōu)異的性能。
          • 關(guān)鍵字: TriQuint  氮化鎵  倍增器  

          從直流到18 GHz氮化鎵產(chǎn)品選擇

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 直流  18GHz  氮化鎵  TriQuint  

          高頻氮化鎵(eGaN)助力無(wú)線充電技術(shù)發(fā)展

          •   增強(qiáng)型氮化鎵電源管理器件的供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion)日前宣布,WiTricity?公司開(kāi)發(fā)出采用高頻氮化鎵(eGaN?)的無(wú)線電源展示系統(tǒng)。   WiTricity?公司的無(wú)線電源展示系統(tǒng)內(nèi)含宜普公司的具高頻開(kāi)關(guān)性能的氮化鎵晶體管,該氮化鎵晶體管所具備的性能可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作。   WiTricity?的創(chuàng)始人發(fā)明了具非常高的共振頻率的無(wú)線電源傳送。WiTricity&trade
          • 關(guān)鍵字: 無(wú)線充電  氮化鎵   

          氮化鎵基高亮度LED核心專(zhuān)利分析

          • 目前,世界范圍內(nèi)在GaN基高亮度LED及半導(dǎo)體全固態(tài)照明光源的研發(fā)方面居于領(lǐng)先水平的公司主要有:美國(guó)的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、
          • 關(guān)鍵字: LED  氮化鎵  高亮度  分析    

          “主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

          IR率先推出氮化鎵集成功率級(jí)器件iP2010和iP2011

          •   國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的,包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī),以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。   iP2010和iP2011集成了非常先進(jìn)的超快速PowIRtune驅(qū)動(dòng)器IC,并匹配一個(gè)多開(kāi)關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個(gè)倒裝芯片封裝平臺(tái)上,可帶來(lái)比最先進(jìn)的硅集成功率級(jí)器件
          • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  氮化鎵  DC-DC  
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          ?氮化鎵介紹

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