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無線應用成2015半導體市場最大增長動力
- 2015年全球半導體行業(yè)收入預計將達3580億美元，較2014年增長5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長預期。 半導體市場的增長動力包括智能手機專用標準電路ASSP，以及超移動PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 “由于DRAM恢復傳統(tǒng)的降價方式，而整個行業(yè)需要消耗假期的過多庫存，因此2015年的半導體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩?！睒I(yè)內人士認為，“由于供應短缺，DRAM價格在2014年基本保持堅挺，使之成為2014年增速最
- 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) DRAM NAND
群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元，取得宇瞻9.9%股權，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應用固態(tài)硬碟(SSD)市場。 群聯(lián)昨股價上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長潘健成。 本報系資料庫 分享 上述私募價格是采依過去30個交易日均價31
- 關鍵字： 群聯(lián) 宇瞻 NAND Flash
半導體事業(yè)關鍵時刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報，營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻達一半以上，可說是最大功臣。 據(jù)韓媒ChosunBiz報導，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報，業(yè)績終于跌回升，營收為52兆韓元，營業(yè)利益達5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估，三星電子DS部門第4季貢獻營業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業(yè)利益(2
- 關鍵字： 蘋果 DRAM NAND Flash
Gartner：蓬勃的DRAM市場為內存制造商帶來增長
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結果，2014年全球半導體總營收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導體廠商合并營收增長率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年營收也因而增長31.
- 關鍵字： Gartner DRAM NAND
三星2015年內量產(chǎn)48層V NAND 已著手研發(fā)64層產(chǎn)品
- 三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場上維持獨大地位，計劃在2015年內量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結構NAND Flash。 據(jù)首爾經(jīng)濟報導，三星近來已完成48層結構的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結構V NAND。48層V NAND將于2015年內開始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
- 關鍵字： 三星 NAND Intel
高交會上東芝引領閃存技術走向
- 全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會電子展上展示的存儲技術和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術動向，也在引領未來閃存的發(fā)展趨勢。
- 關鍵字： 東芝 NAND 閃存 3D 201501
Spansion面向嵌入式市場推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品
- 不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個強大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對嵌入式集中規(guī)模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個完美的選擇。 作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
- 關鍵字： Spansion NAND
海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內嵌式存儲器eMMC業(yè)務外，有機會延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關鍵年，慧榮內部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營運
- 關鍵字： SSD NAND Flash SK海力士
NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場暗潮涌動
- NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行。 從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。 RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
- 關鍵字： NAND 三星 閃迪
DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調;動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
- 關鍵字： DRAM 三星 海力士 NAND Flash
慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案
- 在設計及推廣用于固態(tài)存儲設備的NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設計的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。 FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應用中的SATA及PATA硬盤驅動器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅動器相比不僅運行速度更
- 關鍵字： 慧榮科技 NAND BGA
研調：12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財報結算壓力過后，不再采取積極價格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預期此波價格跌勢將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動能正式結束后，受到季節(jié)性因素影響，預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
- 關鍵字： NAND Flash eMMC
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