?sk海力士 文章 進(jìn)入?sk海力士技術(shù)社區(qū)
圖謀入主東芝半導(dǎo)體 SK海力士備重金
- SK海力士(SKHynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競爭即將進(jìn)入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計劃，是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)不同評價。 據(jù)韓媒MoneyToday報導(dǎo)，東芝為了彌補(bǔ)核能事業(yè)虧損，日前已決定全數(shù)出售半導(dǎo)體事業(yè)部股份。業(yè)界推算，依照100%股份市價再加20～30%的經(jīng)營權(quán)移轉(zhuǎn)貼水，總規(guī)模應(yīng)在24兆～26兆韓元之間，可望打破韓國購并史上的最高紀(jì)錄。 市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS的資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM
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東芝閃存事業(yè)搶手 SK海力士鴻海多組人馬搶親
- 據(jù)報道，東芝計劃分拆半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，已引起包括南韓SK海力士及鴻海集團(tuán)、威騰多組人馬搶親，東芝的儲存型閃存事業(yè)這么搶手，是因為他是該公司最賺錢的部門，占總營收僅15%，卻貢獻(xiàn)一半以上的獲利，成為大家相中的目標(biāo)。 但市場人士分析，不過因為東芝只開放入股近二成，不是直接買斷，預(yù)料將以威騰出線的機(jī)會較高。 由于東芝的儲存型閃存(NAND Flash)加計合作伙伴威騰合計35%，僅次三星的36%，三星若參與，恐因市占過半涉及市場壟斷，因而參與機(jī)率不高。 日本東芝考慮分拆和出售旗下部分芯片事業(yè)的計
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據(jù)報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導(dǎo)體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強(qiáng)化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導(dǎo)，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營利有望破256億美元
- 據(jù)海外媒體報道，由三星電子及SK海力士領(lǐng)導(dǎo)的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀(jì)錄。 韓國半導(dǎo)體業(yè)可望在營業(yè)利益創(chuàng)下新紀(jì)錄，主要受惠于存儲器價格快速上揚(yáng)，以及在晶圓代工領(lǐng)域也可能持續(xù)增長。因此，預(yù)估2017年幾乎是不費吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導(dǎo)體營業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當(dāng)年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于繁榮成長階段。 據(jù)券商及半導(dǎo)體業(yè)預(yù)估，三星光是在2017年的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營業(yè)利益，就可達(dá)179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。
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被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望
- 眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預(yù)期，于是從早幾年開始，這個美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲技術(shù)將會在未來給Intel和美光帶來新的成長激勵。 尤其是對美光來說，在現(xiàn)狀和未來的表現(xiàn)都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。 回顧存儲的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者：
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SK海力士在集團(tuán)內(nèi)地位上升 加速汽車業(yè)務(wù)發(fā)展
- SK集團(tuán)(SK Group)日前發(fā)布定期人事異動公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高層獲得升遷，社長樸星昱甚至?xí)x升為副會長，顯示SK海力士在集團(tuán)內(nèi)的地位大幅上升。業(yè)界普遍認(rèn)為，這次人事調(diào)整意味SK集團(tuán)將以SK海力士為中心，加速發(fā)展汽車事業(yè)。據(jù)報導(dǎo)，SK集團(tuán)似乎有意將SK海力士調(diào)整為直屬于集團(tuán)的子公司，內(nèi)部正準(zhǔn)備將SK電信(SK Telecom;SKT)轉(zhuǎn)換為中間持股公司進(jìn)行結(jié)構(gòu)調(diào)整。加上SK集團(tuán)會長崔泰源先前已宣示過公司應(yīng)盡快求新求變，跟上工業(yè)4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力
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SK海力士72層3D NAND存儲器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)
- SK海力士最先進(jìn)72層3D NAND存儲器傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導(dǎo)指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設(shè)計，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。 若按計劃進(jìn)行，SK海力士將成為全球第一個量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠。為因應(yīng)市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。 隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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嚴(yán)防技術(shù)泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。 半導(dǎo)體人士透露，三大DRAM廠強(qiáng)力防止中國大陸藉挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂見DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進(jìn)而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴(kuò)大，明年再現(xiàn)飆漲
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 SK海力士曾在20
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SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM 與三星拉近差距
- 傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產(chǎn)，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產(chǎn)10奈米級DRAM的半導(dǎo)體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術(shù)研發(fā)，同時著手開發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團(tuán)隊，持續(xù)追求更高的技術(shù)競爭力。 據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產(chǎn)。其目前已完成客戶樣品生產(chǎn)，正進(jìn)行最后的可靠度檢測，預(yù)定2017年第2季由M14新廠正式量
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SK海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。 半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。 半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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SK海力士、希捷聯(lián)盟成立合資公司 抗衡三星、英特爾
- 隨著2017年固態(tài)硬碟(SSD)占NAND Flash應(yīng)用比重將挑戰(zhàn)40%，全球儲存領(lǐng)域異業(yè)整合風(fēng)潮將邁向另一個高峰，繼硬碟龍頭廠西部數(shù)據(jù)(Western Digital;WD)購并NAND Flash存儲器大廠閃迪(SanDisk)，近期傳出SK海力士(SK Hynix)將與希捷(Seagate)策略聯(lián)盟成立合資公司，專攻企業(yè)云端SSD市場，成為握有HDD和SSD兩大儲存產(chǎn)品的新陣營，挑戰(zhàn)既有霸主三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel)，未來云端SSD可望是NAND
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