EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
?sk海力士
?sk海力士 文章 進(jìn)入?sk海力士技術(shù)社區(qū)
鴻海、SK海力士要包攬亞洲市場(chǎng)？
- 南韓第三大企業(yè)集團(tuán)SK會(huì)長(zhǎng)崔泰源近日來臺(tái)，并前往鴻海土城總部與董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘會(huì)面，雙方暢談近2小時(shí)。會(huì)后雙方接受短暫訪問時(shí)表示，此次主要是初步交流，瞭解有多少機(jī)會(huì)能進(jìn)行合作，未來可能共同在臺(tái)灣、中國(guó)、印度等地區(qū)發(fā)展，不過尚未談到具體合作細(xì)節(jié)。 郭臺(tái)銘表示，鴻海及SK集團(tuán)1、2年前彼此有投資關(guān)系，過去已見面許多次，崔泰銘此次先前往中國(guó)再來訪臺(tái)灣，主要想看看兩岸整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境、尋找生意機(jī)會(huì)。這次崔泰銘首度來訪，是想瞭解鴻海目前的營(yíng)運(yùn)狀況，針對(duì)有多少機(jī)會(huì)能進(jìn)行合作，于臺(tái)灣、中國(guó)、印度、甚至是全世界發(fā)展，進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 鴻海 SK海力士
SK海力士進(jìn)軍超高速SSD市場(chǎng)
- 繼三星電子(Samsung Electronics)之后，SK海力士(SK Hynix)也進(jìn)軍超高速固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。將推出應(yīng)用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置(NVMe)標(biāo)準(zhǔn)的SSD。 據(jù)韓媒Newsis報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士已投入量產(chǎn)NVMe架構(gòu)的M.2規(guī)格SSD新產(chǎn)品“PC300”。容量512GB，該產(chǎn)品能讓搭載的超輕薄筆記型電腦(NB)速度更快，電池更薄卻待機(jī)更久，可望取代SSD。 所謂NVMe是PCIe架構(gòu)的介面，讓搭載SSD的伺服器、PC得以提升
- 關(guān)鍵字： SK海力士 SSD
全球半導(dǎo)體支出縮減 三星、SK海力士反其道而行
- 南韓存儲(chǔ)器芯片業(yè)界將主導(dǎo)設(shè)備投資(CAPEX)競(jìng)爭(zhēng)。在其他地區(qū)競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者擔(dān)憂IT產(chǎn)品需求趨緩，而縮減設(shè)備投資規(guī)模時(shí)，三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行，擴(kuò)大投資并推動(dòng)微細(xì)制程尖端化等，致力于研發(fā)新技術(shù)，未來在競(jìng)爭(zhēng)中將更具優(yōu)勢(shì)。 據(jù)南韓Newstomatoa報(bào)導(dǎo)，英特爾(Intel)決定將2015年設(shè)備投資規(guī)模，從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺(tái)積電設(shè)備投資規(guī)模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產(chǎn)業(yè)
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士
DRAM慘！SK海力士Q3難好轉(zhuǎn)、轉(zhuǎn)攻NAND救火
- 南韓存儲(chǔ)器大廠SK海力士(SK Hynix)第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，分析師預(yù)估，由于個(gè)人電腦(PC)的DRAM需求持續(xù)疲軟，SK海力士本季表現(xiàn)恐怕難有起色。 韓聯(lián)社24日?qǐng)?bào)導(dǎo)，SK海力士Q2營(yíng)益為1.37兆韓圜(11.8億美元)，不及分析師估計(jì)的1.44兆韓圜。NH Investment & Securities Co.分析師Lee Sae-chul指出，PC DRAM需求欠佳，8月份為止價(jià)格將持續(xù)下滑，到9月才會(huì)回穩(wěn)，因此SK海力士Q3的DRAM營(yíng)益會(huì)與前季持平;不過，下半年該公司的NAN
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
清華紫光若買下美光 影響SK海力士有限
- 清華紫光傳出有意收購(gòu)美光(Micron)消息后，韓國(guó)分析師認(rèn)為，雙方成交后對(duì)于韓國(guó)對(duì)手SK海力士(SK Hynix)影響不大，而且清華紫光提出價(jià)格偏低及政治因素，都是阻礙成交的因素。 據(jù)韓國(guó)時(shí)報(bào)(The Korea Times)報(bào)導(dǎo)，Hi Investment分析師Song Myeong-seop表示，由于存在諸多外部因素，短期內(nèi)該收購(gòu)案恐怕無法成真。即使最終清華紫光如愿買下美光，也只會(huì)對(duì)SK海力士造成輕微影響。 有分析師指出，SK海力士在DRAM技術(shù)上領(lǐng)先美光至少18個(gè)月，因此SK海力士
- 關(guān)鍵字： 清華紫光 SK海力士
平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！
- 過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級(jí)的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場(chǎng)上所銷售元件的供應(yīng)來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后，TechInsights實(shí)驗(yàn)室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對(duì)平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
擴(kuò)產(chǎn)或受影響？SK海力士工廠氮?dú)馔庑箠Z三命
- 南韓記憶體大廠SK 海力士 (SK Hynix )又傳公安意外，造成三人喪命!SK海力士施工中的新廠氮?dú)馔庑梗腥と酥舷⑺劳?，上個(gè)月該廠才有13名工人因氣體外泄送醫(yī)。 etnews、 韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(The Korea Herald)、路透社報(bào)導(dǎo)，SK海力士的M14仁川工廠十樓，30日發(fā)生氮?dú)馔庑故鹿?。該公司稱，工人正在測(cè)試剛安裝好的濕式空氣清凈系統(tǒng)，可能因此窒息死亡。氮?dú)鉀]有毒性，但是密閉空間中氮?dú)馔庑梗瑫?huì)導(dǎo)致含氧量會(huì)迅速減少，危險(xiǎn)性極高。 M14仁川廠三月份才發(fā)生過類似意外，當(dāng)時(shí)有13
- 關(guān)鍵字： SK海力士 M14
DRAM產(chǎn)業(yè)十年一劫，中國(guó)全面搶灘市場(chǎng)
- 中國(guó)扶植自有DRAM供應(yīng)鏈計(jì)劃浮上臺(tái)面，業(yè)界透露中國(guó)將分三個(gè)階段著手，包括扶植大型集團(tuán)建立自有技術(shù)、高關(guān)稅逼迫國(guó)際大廠合作、強(qiáng)制品牌系統(tǒng)廠采用， 由于上一輪全球DRAM市場(chǎng)崩盤是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對(duì)于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，中國(guó)建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術(shù)，然事實(shí)上，中
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士全面進(jìn)入20納米級(jí)DRAM時(shí)代
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級(jí)DRAM，全面進(jìn)入20納米級(jí)生產(chǎn)時(shí)代。據(jù)了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM，不過到2015年第1季，生產(chǎn)效率比30納米級(jí)制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達(dá)全體生產(chǎn)的82%。 韓媒Digital Times報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%，但從2015年第1季開始已全面轉(zhuǎn)進(jìn)20納米級(jí)制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級(jí)
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士20nm級(jí)制程轉(zhuǎn)換，4年后100%完成
- SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級(jí)制程進(jìn)展迅速!韓媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士引進(jìn)38奈米制程，已在四年后停止30奈米級(jí)生產(chǎn)，全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級(jí)制程。 韓媒BusinessKorea 13日?qǐng)?bào)導(dǎo)，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%，預(yù)計(jì)今年下半改為2z DRAM(20奈米級(jí))制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預(yù)估，SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程，明年邁上軌道。 相較之下，30奈米制程仍占美光
- 關(guān)鍵字： SK海力士 20nm
嗆三星！SK海力士20奈米級(jí)制程轉(zhuǎn)換、100%完成
- SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級(jí)制程進(jìn)展迅速!韓媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士引進(jìn)38奈米制程，已在四年后停止30奈米級(jí)生產(chǎn)，全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級(jí)制程。 韓媒BusinessKorea 13日?qǐng)?bào)導(dǎo)，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%，預(yù)計(jì)今年下半改為2z DRAM(20奈米級(jí))制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預(yù)估，SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程，明年邁上軌道。 相較之下，30奈米制程仍占美光
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士
迎接物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代 SK海力士擴(kuò)大晶圓代工事業(yè)
- 韓系半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將擴(kuò)大非存儲(chǔ)器領(lǐng)域的晶圓代工事業(yè)。三星電子(Samsung Electronics)采14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程推動(dòng)晶圓代工事業(yè)發(fā)展，SK海力士將把焦點(diǎn)放在8吋90納米制程，以架構(gòu)少量生產(chǎn)多元系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)系統(tǒng)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，為擴(kuò)大專門提供晶圓代工服務(wù)的清州M8廠可生產(chǎn)的芯片種類，SK海力士著手重新調(diào)整產(chǎn)線。 M8廠主要生產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)、電源管理芯片(PMIC)、顯示器驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)等。過去也曾生產(chǎn)N
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) SK海力士
SK海力士啟航3年 成為SK集團(tuán)當(dāng)紅炸子雞
- SK海力士(SK Hynix)成立3年便進(jìn)入營(yíng)業(yè)利益5兆韓元具樂部(約45.3億美元)，成為SK集團(tuán)(SK Group)的當(dāng)紅炸子雞。目前正著手系統(tǒng)芯片研發(fā)，同時(shí)積極購(gòu)并企業(yè)以掌握必要的技術(shù)力。中長(zhǎng)期目標(biāo)便是成為綜合半導(dǎo)體企業(yè)。 根據(jù)韓媒AsiaToday的報(bào)導(dǎo)，SK海力士的業(yè)績(jī)已經(jīng)超越SK集團(tuán)的傳統(tǒng)主力企業(yè)SK Innovation與SK電信(SKT)，將2家公司2014年的營(yíng)業(yè)利益合并計(jì)算后，得到的數(shù)值只有SK海力士營(yíng)業(yè)利益的4分之1。 SK海力士在成立第1年雖然有超過2,000億韓元
- 關(guān)鍵字： SK海力士 存儲(chǔ)器
?sk海力士介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條?sk海力士!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
?sk海力士專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473