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韓媒：三星DRAM制程獨強、SK海力士慘，恐掀大戰(zhàn)
- 三星電子自打嘴巴，先前口口聲聲說沒必要擴產(chǎn)破壞市場，不料近來卻一再傳出擴產(chǎn)DRAM消息!繼高盛之后，韓媒也爆料稱市場可能會掀起新一波廝殺血戰(zhàn)，報導稱SK 海力士 (SK Hynix )和美光(Micron Technology)的微縮制程不夠先進，可能會遭受重創(chuàng)。 韓國時報(Korea Times)14日報導，南韓業(yè)界高層向該報透露，今年新訂單暢旺，晶片業(yè)者可望荷包滿滿，然而SK海力士制程發(fā)展較慢，若追上三星，今年下半或許會有新一波「懦夫博弈」(game of chicken)，意味業(yè)者可能會流
- 關鍵字： 三星 SK海力士 DRAM
Gartner：2014全球芯片銷售額同比增7.9% 內存芯片領漲
- 據(jù)《華爾街日報》網(wǎng)絡版報道，市場調研公司Gartner發(fā)布的初步數(shù)據(jù)顯示，隨著傳統(tǒng)PC產(chǎn)能的回升，2014年全球芯片銷售額同比增長7.9%。內存芯片制造商引領了這輪增長。 數(shù)據(jù)顯示，去年全球芯片銷售額增長至3398億美元，前25大半導體公司占據(jù)了總銷售額的72.1%，高于2013年的69.7%。 英特爾繼續(xù)保持其第一大半導體公司的地位，2014年芯片營收預計在508.4億美元，同比增長4.6%，在經(jīng)歷了兩年的下滑后重新恢復增長。三星電子排在第二，預計營收在352.8億美元，同比增長10%。
- 關鍵字： 英特爾 SK海力士 美光
韓半導體投資擴大 設備廠新年度期待滿滿
- 韓系半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴大尖端DRAM和NAND Flash產(chǎn)線，2014年受到半導體市場榮景帶動對產(chǎn)線投資而荷包滿滿的設備業(yè)者，預期2015年也將迎來亮眼的業(yè)績。 據(jù)ET News報導，三星和SK海力士2015年可望為擴充DRAM、NAND Flash、系統(tǒng)芯片產(chǎn)線而執(zhí)行投資。因轉換微細制程，導致生產(chǎn)量減少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。 三星17產(chǎn)線將于201
- 關鍵字： 三星 SK海力士 DRAM
海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內嵌式存儲器eMMC業(yè)務外，有機會延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關鍵年，慧榮內部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營運
- 關鍵字： SSD NAND Flash SK海力士
東芝擬砸10億美元與南亞科結盟 全面反擊三星
- 全球存儲器產(chǎn)業(yè)恐將再爆震撼彈，面對三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士在eMCP市場搶盡風頭，東芝(Toshiba)為取得穩(wěn)定的DRAM貨源將大舉反攻，業(yè)界傳出其向南亞科提出10億美元的策略聯(lián)盟投資案，將再度開啟臺、日存儲器結盟新里程碑，合作案是否會成局，2015年第1季底前可望確定。不過，南亞科未證實該項消息。 全球存儲器產(chǎn)業(yè)甫經(jīng)歷大洗牌，全球三大DRAM廠版圖底定，由于三星、SK海力士、美光(Micron)均擁有PCDRAM、MobileRAM及NANDFlash三大
- 關鍵字： 三星 SK海力士 東芝
20納米制程 躍今年DRAM主秀
- 隨三星宣布20奈米制程正式產(chǎn)出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及華亞科(3474)也預定第2季導入20奈米量產(chǎn)，讓今年DRAM產(chǎn)業(yè)主流技術，將正式推進至20奈米世代。 不過，20奈米需要投入龐大的資本支出，各DRAM考量必須在獲利的基礎上進行擴充，也讓今年各家20奈米制程推進趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢報告，預告今年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)維持寡占格局，支持DRAM持穩(wěn)不墜，今年各家DRAM廠仍處于全面獲利的一年。 集邦預估，今年DARM產(chǎn)值達541億元，年增16%。
- 關鍵字： 三星 DRAM SK海力士
SK海力士與東芝訴訟和解 提升未來技術發(fā)展力
- 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導體制程技術，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導體產(chǎn)業(yè)未來主導權，取代相互耗損的專利訴訟。 據(jù)ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關系。2007年締結專利授權合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關系因此破裂。
- 關鍵字： 東芝 SK海力士 STT-MRAM
第三季全球移動存儲器營收34.6億美元
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調查顯示，全球行動式記憶體總營收在 2014年第三季達34.6億美元，季成長6%，占DRAM總產(chǎn)值29%。三星半導體(Samsung)不意外仍穩(wěn)居第三季行動式記憶體龍頭，而且市占首度突破50%，儼然成為一方霸主，讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。 雖全球DRAM產(chǎn)能依舊處于微幅吃緊狀態(tài)，導致第三季行動式記憶體價格小幅度下滑，但因位元產(chǎn)出增加，全球行動式記憶體總產(chǎn)值仍向上提升
- 關鍵字： DRAM 三星 SK海力士
制程在競賽 獲利很穩(wěn)定
- 三星、SK海力士及美光三大DRAM廠明年制程進入20納米世代，盡管市場憂心恐造成供給大增、壓抑價格走勢，但DRAM業(yè)者強調，制程微縮并非一、兩天可以完成，期間將遭遇技術瓶頸與整量產(chǎn)能縮減等問題，因此盡管資本支出龐大，明年DRAM價格仍可望持穩(wěn)，業(yè)者仍會穩(wěn)定獲利。 集邦協(xié)理吳雅婷表示，三星及SK海力士在制程推進至25納米期間，都吃足苦頭，預料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程，同樣也將面臨極大的挑戰(zhàn)。三星首次進入28納米制程時，因良率無法有效提升，黯然宣告中止，部分產(chǎn)能轉回35納米，
- 關鍵字： 三星 SK海力士 美光 DRAM
DRAM寡占陣營將面臨價格壓力？
- 隨著DRAM三大陣營的確立，今年DRAM各大陣營的獲利與營收，都可說是連連報捷，這也使得在先進制程的投入也更加積極。但是否又會再次面臨價格下跌的壓力?答案似乎是有可能的。 根據(jù)TrendForce表示，今年以來DRAM市場一直呈現(xiàn)供貨吃緊、價格持續(xù)走揚的市況來規(guī)劃未來需求，DRAM廠紛紛決定自2014年第四季開始增加產(chǎn)能。按照DRAM廠現(xiàn)有的規(guī)劃，2015年制程微縮與新增產(chǎn)能貢獻產(chǎn)出年增率將逼近30%，現(xiàn)有的DRAM產(chǎn)業(yè)的寡占架構將面臨重大挑戰(zhàn)，若明年總體經(jīng)濟狀況不如預期，此舉恐怕導致DRA
- 關鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士擴大HBM供應量搶占次世代半導體市場
- 2014年上半SK海力士(SKHynix)業(yè)績告捷，在次世代存儲器技術競爭中也占據(jù)優(yōu)勢，未來可望帶動版圖變化。 SK海力士的次世代存儲器獲全球系統(tǒng)芯片業(yè)者搭載在2016年以后上市產(chǎn)品，并進行性能測試，未來將有機會超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競爭對手，在市場競爭中也將居優(yōu)勢。 據(jù)韓國每日經(jīng)濟報導，SK海力士的次世代超高速存儲器(HBM)將優(yōu)先供應給AMD、NVIDIA等全球性系統(tǒng)芯片業(yè)者，搭載于次世代產(chǎn)品中進行測試。 SK
- 關鍵字： SK海力士 半導體
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