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英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開關(guān)和效率界限
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用，在降低開關(guān)損耗、實現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，并可滿足開關(guān)頻率高達100 kHz的應(yīng)用需求。 近年來，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設(shè)計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應(yīng)用，幫助最大
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英飛凌在汽車電子芯片領(lǐng)域獨占鰲頭
- 根據(jù)Strategy Analytics公布的最新研究結(jié)果，英飛凌科技股份公司成為當(dāng)今世界頭號汽車電子芯片供應(yīng)商。這家位于美國的市場研究機構(gòu)稱，2009年，英飛凌獲得9%的全球市場份額，總銷售額達到13.1億美元。盡管2009年汽車行業(yè)遭遇重創(chuàng)，但英飛凌卻進一步鞏固了自己的市場地位。2009年，汽車芯片市場規(guī)模縮小21%，從2008的183億美元降至144億美元。 英飛凌公司汽車部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業(yè)困難時期，我們憑借廣泛的產(chǎn)品創(chuàng)新占據(jù)汽車電子芯片領(lǐng)域第一
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傳英飛凌計劃將無線芯片業(yè)務(wù)售予英特爾
- 據(jù)國外媒體報道，《金融時報》德國版(Financial Times Deutschland)周一援引消息人士的話稱，德國芯片制造商英飛凌正在與英特爾進行談判，考慮向后者出售自己的無線芯片業(yè)務(wù)。 英飛凌無線芯片業(yè)務(wù)的供貨對象包括了蘋果、諾基亞、三星電子和RIM。英飛凌目前尚不明確剝離無線芯片業(yè)務(wù)，是否會對自身有一定的意義。截至目前，上述兩家公司均對此未置可否。 一些分析師認為，英特爾收購英飛凌無線芯片業(yè)務(wù)有一定的意義。不過英飛凌首席執(zhí)行官彼得•鮑爾(Peter Bauer)在今年3
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英飛凌在汽車電子芯片領(lǐng)域獨占鰲頭
- 根據(jù)Strategy Analytics公布的最新研究結(jié)果，英飛凌科技股份公成為當(dāng)今世界頭號汽車電子芯片供應(yīng)商。這家位于美國的市場研究機構(gòu)稱，2009年，英飛凌獲得9%的全球市場份額，總銷售額達到13.1億美元。盡管2009年汽車行業(yè)遭遇重創(chuàng)，但英飛凌卻進一步鞏固了自己的市場地位。2009年，汽車芯片市場規(guī)?？s小21%，從2008的183億美元降至144億美元。 英飛凌公司汽車部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業(yè)困難時期，我們憑借廣泛的產(chǎn)品創(chuàng)新占據(jù)汽車電子芯片領(lǐng)域第一的
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英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3
- 英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設(shè)計的新款I(lǐng)GBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。 英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出這兩款新產(chǎn)品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
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英飛凌攜手三菱電機服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
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英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無管腳SMD
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。 全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計者設(shè)計出更薄的電源外殼，滿足當(dāng)今市場對時
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英飛凌預(yù)計2010財年營收增幅將高達30%
- 英飛凌科技股份公司近日公布2010財年(截至2010年3月31日)第二季度的財務(wù)結(jié)果。 英飛凌第二季度的營收為10.35億歐元，相對于第一季度大幅提高10%，同比提高55%。各業(yè)務(wù)部的合并財務(wù)結(jié)果1為1.1億歐元，較上一季度增長25%。凈收入為7,900萬歐元，而上一季度的凈收入為6,600萬歐元。 2010財年第三季度，英飛凌預(yù)計公司銷售額的增長百分比將會達到較高的個位數(shù)，相對于第二季度，各業(yè)務(wù)部的合并利益率將提高兩至四個百分點。 2010財年，英飛凌調(diào)整了對本年度的展望，因為20
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英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命，
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求，并為提高功率密度和實現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。 英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計和制造領(lǐng)域的技術(shù)
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英飛凌攜手三菱電機服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
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英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元
- 據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結(jié)束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。 第二財季凈利潤好于分析師預(yù)期，營收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續(xù)第三季度實現(xiàn)盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。 英飛凌上調(diào)了
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英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。 英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。 飛兆半
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英飛凌第二季度業(yè)績強勁且前景看好
- 英飛凌科技股份公司近日宣布公司2009/10財年(截止到2010年9月30日)第二季度業(yè)績和營收優(yōu)于預(yù)期水平，并且前景看好。 2009/10財年第二季度，英飛凌預(yù)計公司營收額將環(huán)比增長約10%。與此同時，英飛凌還預(yù)計，在剛結(jié)束的這個季度，公司分部利潤率有望達到10%以上。 在本財年第三季度，英飛凌預(yù)計公司營收將取得持續(xù)增長，而分部業(yè)績將實現(xiàn)大幅攀升。 英飛凌有望上調(diào)2009/10全年預(yù)期。公司將于4月28日公布第二季度財務(wù)數(shù)據(jù)時提供相關(guān)細節(jié)。 英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Pet
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英飛凌對爾必達提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開調(diào)查
- 據(jù)外電報道，美國國際貿(mào)易委員會(USITC)將對DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 英飛凌方面稱，爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令，禁止?fàn)柋剡_或以爾必達的名義，向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。 被調(diào)查的企業(yè)名單 USITC表示，將依據(jù)1930年美國關(guān)稅法第337條，對下列廠商展開調(diào)查，包括日商爾必
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