三星(samsung) 文章 進入三星(samsung)技術社區(qū)
三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標準
- 三星和東芝今天共同宣布,雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術:擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存,即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標準,被業(yè)界廣泛接受使用。 最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps,現(xiàn)行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規(guī)范則進一步提升到400Mbps,是DDR 1.0的3倍,普通SDR NAND閃存的10倍。 高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻,未來將
- 關鍵字: 三星 NAND 東芝
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規(guī)范的制訂工作,這種新一代閃存標準規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規(guī) 范的制定工作,另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。 現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結合在一起使用,接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
- 關鍵字: 三星 NAND
三星46nm良率提升 DRAM價格有望持續(xù)下降
- 臺灣媒體報道,受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響,DRAM內存芯片的期貨價格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱,三星目前向PC廠商供應的2GB DDR3價格已經從先前的45美元下降到了40美元。 消息稱,隨著三星46nm DRAM良率的大幅提高,三星DRAM芯片成本優(yōu)勢也得以體現(xiàn)。據(jù)稱三星目前已經向好幾家PC廠商提供了優(yōu)惠內存芯片價格套裝,從而使得外界認為DRAM 內存價格有望在7、8月份持續(xù)下滑。 根據(jù)市場調研公司DRAMeXchange的報告,六月份下半個月的
- 關鍵字: 三星 46nm DRAM
三星將斥206億投資太陽能電池LED等五大產業(yè)
- 近日,三星集團正式公布,截至2020年將斥資23.3(約)萬億韓元用于環(huán)保能源、醫(yī)療健康等戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉,未來三星的重點事業(yè)將包括五 大產業(yè),分別是太陽電池、混合動力汽車的充電電池、LED、生物制藥、醫(yī)療器械。三星宣布在這五個新興的業(yè)務領域,預計到2020年將創(chuàng)造45,000個就業(yè)機會,實現(xiàn)銷售額50萬億韓元。目前公布的主要投資計劃包括: ·投資6萬億韓元用于發(fā)展太陽能電池產業(yè),從晶體硅(crystalline silicon)發(fā)展到薄膜太陽電池(thin film)。
- 關鍵字: 三星 LED
三星半導體事業(yè)部年度營利可望突破10兆韓元大關
- 三星電子(SamsungElectronics)半導體事業(yè)部社長權五鉉出席在首爾新羅飯店召開的世界半導體協(xié)議會(WSC)會議,并表示三星半導體事業(yè)部第2季成績將較第1季更亮眼,預計年度營業(yè)利益將可突破10兆韓元大關。 三星第1季在半導體部分寫下8.2兆韓元銷售額和1.96兆韓元營業(yè)利益的紀錄。第2季銷售額和營業(yè)利益將大幅上升,且下半年市場也頗受看好,半導體事業(yè)部可望創(chuàng)下約10兆韓元的營業(yè)利益佳績。 三星目前尚無特定事業(yè)部門達到年度營業(yè)利益逾10兆韓元的紀錄,公司整體的營業(yè)利益以2004年的
- 關鍵字: 三星 半導體
三星(samsung)介紹
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