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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 三星

          尺寸最小+功耗最低,三星即將宣布MRAM重要突破

          • 據(jù)外媒報道,三星電子即將在國際電子器件會議(IEDM)上報告其在新一代非易失性存儲器件領(lǐng)域的最新研究進展。會議接收的資料顯示,三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造,據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM,并將磁性隧道結(jié)擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到,該團隊生產(chǎn)了一個獨立的存儲器,其寫入能量要求為每比特25pJ
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          臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

          • 臺積電10月27日宣布,成立開放創(chuàng)新平臺(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導(dǎo)體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù),使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
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          三星推出面向人工智能的全新存儲器技術(shù)

          • 據(jù)韓媒《BusinessKorea》報道,三星于近日宣布,公司已經(jīng)成功運行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100,并展示了其性能。三星稱,與其他沒有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比,HBM-PIM芯片將AMD GPU加速卡的性能提高了一倍,能耗平均降低了約50%。與僅配備HBM的GPU加速器相比,配備HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了約2100GWh。2021年2月,三星推出了其首個HBM-PIM,這是業(yè)界第一個高帶寬存儲器(HBM)集成人工智能(AI)處理能力的芯片。HBM
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          三星電子將加強汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù),分析師預(yù)計其可能在歐洲建廠

          • 10 月 25 日消息,據(jù)國外媒體報道,為克服存儲芯片市場不景氣對半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的影響,三星電子將目標(biāo)投向了汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域。而韓國媒體在最新的報道中表示,部分分析師預(yù)計將目標(biāo)投向了汽車半導(dǎo)體的三星電子,可能在歐洲建設(shè)汽車芯片工廠,歐洲有多家全球性的汽車制造大廠。外媒在報道中提到,在近期有客戶和合作伙伴參加的技術(shù)論壇上,三星電子已透露他們將加強汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。隨著電動汽車的發(fā)展和汽車智能化程度的提高,對半導(dǎo)體部件的需求也在提升,汽車半導(dǎo)體市場的規(guī)模也在不斷擴大。已有研究機構(gòu)在報告中表示,全球汽車半導(dǎo)體市場的
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          晶圓代工產(chǎn)能被迫收斂 三星電子仍將大幅提高晶圓代工產(chǎn)能

          • 長達逾兩年的疫情紅利于2022年初起明顯消退,加上全球通膨壓力加劇導(dǎo)致消費性電子需求大幅衰退,終端庫存急速飆升,電子供應(yīng)鏈陷入砍單、延遲拉貨、殺價與取消長約混亂局勢,連鎖效應(yīng)于2022年中向上沖破半導(dǎo)體晶圓代工、封測與IC設(shè)計防線。
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  代工  產(chǎn)能  三星  

          三星公布發(fā)展規(guī)劃;ASML繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機

          • 三星公布五年發(fā)展規(guī)劃10月20日,三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇,此前三星已經(jīng)分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動,韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點。在上述晶圓代工系列活動上,三星對外介紹了最新技術(shù)成果,以及未來五年晶圓代工事業(yè)發(fā)展規(guī)劃。按照規(guī)劃,三星將于2025年量產(chǎn)2nm先進制程工藝技術(shù),到2027年量產(chǎn)1.4nm制程工藝技術(shù)。另一大晶圓代工巨頭臺積電也于近期表示,2nm方面,目前進展一切順利,將仍按照進度量產(chǎn),并將在2nm節(jié)點引入GAA架構(gòu),預(yù)計2024年下半年進入風(fēng)險性
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          三星電子:目標(biāo)到 2027 年將芯片代工廠產(chǎn)能提高三倍以上

          • IT之家 10 月 21 日消息,據(jù) BusinessKorea 報道,三星電子 10 月 20 日在首爾江南區(qū)舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業(yè)務(wù)部技術(shù)開發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示,三星電子今年在世界范圍內(nèi)首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術(shù)的 3 納米芯片,與 5 納米芯片相比,3 納米芯片的功耗降低了 45%,性能提高了 23%,面積減少了 16%。三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠的生產(chǎn)能力,其目標(biāo)是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此,這家芯片
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          消息稱三星顯示明年將提高 QD-OLED 產(chǎn)量,良率達 85% 以上

          • IT之家 10 月 21 日消息,三星顯示(Samsung Display)公司預(yù)計明年將加大量子點(QD)-有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的生產(chǎn)力度。三星顯示預(yù)計將提高其 QD-OLED 顯示面板的產(chǎn)量,從現(xiàn)在的每月 3 萬張?zhí)岣叩矫髂甑?4 萬張。“該公司今年上半年 QD-OLED 顯示面板的生產(chǎn)良率提高到 85%,顯示了其強大的技術(shù)能力,”O(jiān)mdia 公司總經(jīng)理 Jung Yun-Seong 在研究公司會議上說。Jung 分析說,由于產(chǎn)量的增加,三星顯示將能夠在其產(chǎn)品組合中增加 49 英
          • 關(guān)鍵字: 三星  OLED  

          消息稱三星顯示明年將提高QD-OLED產(chǎn)量,良率達85%以上

          •   10月21日消息,三星顯示(SamsungDisplay)公司預(yù)計明年將加大量子點(QD)-有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的生產(chǎn)力度。  三星顯示預(yù)計將提高其QD-OLED顯示面板的產(chǎn)量,從現(xiàn)在的每月3萬張?zhí)岣叩矫髂甑?萬張?!  霸摴窘衲晟习肽闝D-OLED顯示面板的生產(chǎn)良率提高到85%,顯示了其強大的技術(shù)能力,”O(jiān)mdia公司總經(jīng)理Junun-Seong在研究公司會議上說。  Jung分析說,由于產(chǎn)量的增加,三星顯示將能夠在其產(chǎn)品組合中增加49英寸和77英寸QD-OLED顯示器。他估計2023
          • 關(guān)鍵字: 三星  OLED  顯示器  

          三星美國170億美元建廠計劃或再延后,但日本業(yè)務(wù)卻在加速擴張

          • 據(jù)韓國媒體THELEC報道,因全球半導(dǎo)體芯片市場景氣低迷,三星此前宣布的在美國德州泰勒市新建晶圓廠支出計劃可能延后。根據(jù)此前報道,三星泰勒工廠總投資約170億美元,晶圓廠建設(shè)完成后,將采用先進制程技術(shù)生產(chǎn)5G、高效能運算、人工智能等尖端芯片。根據(jù)三星原計劃,該廠原定今年上半年開工,2024年開始運營,但開工奠基儀式已經(jīng)從原定的今年上半年推遲至今,甚至可能進一步推遲到2024年。值得一提的是,盡管美國新廠建設(shè)計劃面臨延后,但三星位于日本的晶圓代工業(yè)務(wù)卻在擴張。近日,韓國三星電子在日本召開晶圓代工業(yè)務(wù)說明會,
          • 關(guān)鍵字: 三星  晶圓廠  

          性能提高44%,三星計劃2納米制程加入背后供電技術(shù)

          • 在與臺積電的競爭之路上,三星可謂頻繁出招。除了3納米導(dǎo)入全新GAAFET全環(huán)繞柵極電晶體架構(gòu),已成功量產(chǎn),照三星半導(dǎo)體藍圖分析,2025年大規(guī)模量產(chǎn)2納米,更先進1.4納米預(yù)定2027年量產(chǎn)。韓國媒體The Elec報導(dǎo),三星計劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星技術(shù)論壇SEDEX 2022介紹BSPDN細節(jié)。從過去高K金屬柵極技術(shù)到FinFET,接著邁向MBCFET,再到BSPDN,F(xiàn)inFET仍是半導(dǎo)體制程最主流技術(shù),之前稱為3
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          全球芯片市場低迷,消息稱三星美國得州新芯片代工廠支出計劃面臨推遲

          • 10 月 19 日消息,據(jù)韓國媒體報道,三星在美國得州泰勒市新規(guī)劃的芯片代工廠的支出計劃面臨推遲。2021 年 11 月份,三星電子宣布將在美國得克薩斯州的泰勒市建設(shè)一座新芯片代工廠,該工廠占地超過 500 萬平方米,預(yù)計投資 170 億美元,包括廠房建設(shè)、機器和設(shè)備方面的投資。建成之后,該工廠將采用先進的制程工藝生產(chǎn)用于移動設(shè)備、5G、高性能計算、人工智能等領(lǐng)域的先進芯片,目標(biāo)是在 2024 年下半年投入運營。消息人士稱,三星原本計劃明年 10 月開始投入生產(chǎn)設(shè)備,但這一計劃現(xiàn)在已被推遲到明年 12 月
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          8.5 Gbps!三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高

          • 10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證,可在驍龍(Snapdragon?)移動平臺上使用,該內(nèi)存速度可達到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境,三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度,夯實了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存(DRAM)市場的推動者,三星一直在努力推進高端智能手機普及,使更多消費者能夠在移動設(shè)備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
          • 關(guān)鍵字: 三星  LPDDR5X  DRAM  

          三星在巴西推出25款5G手機

          •  科技10月11日訊,據(jù)新浪科技消息,巴西的5G網(wǎng)絡(luò)服務(wù)目前處于起步階段,已在27個城市可用。為了搶占市場,三星已面向巴西推出了25款5G手機,覆蓋了高端到低端價位段?! ∪窃诎臀骺捎玫?GGalaxy手機包括來自Galaxy M和GalaxyA系列的設(shè)備,以及旗艦GalaxyS系列、GalaxyZ系列折疊屏手機,還有現(xiàn)已退役的GalaxyNote系列手機。它們分別是:  SamMobile表示,三星為其在巴西的客戶提供最廣泛的5G智能手機產(chǎn)品組合,這應(yīng)該有助于該公司在新興的5G時代保持對該國手機領(lǐng)域的
          • 關(guān)鍵字: 智能手機  巴西  三星  

          三星開發(fā)者大會展示智慧物聯(lián)演進成果與裝置體驗

          • 三星電子于舊金山舉行年度三星開發(fā)者大會(Samsung Developer Conference,SDC),全球開發(fā)者、創(chuàng)作者與設(shè)計師齊聚一堂,探索由三星技術(shù)促成的無縫串聯(lián)體驗。 三星于SDC22展示SmartThings演進成果與嶄新裝置體驗三星于會中深入分享品牌如何精簡流程,造就顛覆常規(guī)的用戶體驗,并揭示SmartThings從互聯(lián)平臺,轉(zhuǎn)化為智慧生活推進器的新愿景。從與Bixby深度整合,至無縫串聯(lián)支持Matter裝置,SmartThings實現(xiàn)更豐富開放的世界,令便捷的串聯(lián)體驗無所不在,
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          三星介紹

           韓國三星電子成立于1969年,正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元,躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年,三星品牌價值108.5億美元,世界排名25位,被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]

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