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電路設(shè)計(jì)的幾個(gè)誤區(qū)
- 現(xiàn)象一：這板子的PCB設(shè)計(jì)要求不高,就用細(xì)一點(diǎn)的線,自動(dòng)布吧 點(diǎn)評(píng)：自動(dòng)布線必然要占用更大的PCB面積,同時(shí)產(chǎn)生比手動(dòng)布線好多倍的過(guò)孔,在批量很大的產(chǎn)品中,PCB廠家降價(jià)所考慮的因素除了商務(wù)因素外,就是線寬和過(guò)孔數(shù)量,它們分別影響到PCB的成品率和鉆頭的消耗數(shù)量,節(jié)約了供應(yīng)商的成本,也就給降價(jià)找到了理由。 現(xiàn)象二：這些總線信號(hào)都用電阻拉一下,感覺(jué)放心些。 點(diǎn)評(píng)：信號(hào)需要上下拉的原因很多,但也不是個(gè)個(gè)都要拉。上下拉電阻拉一個(gè)單純的輸入信號(hào),電流也就幾十微安以下,但拉一個(gè)被驅(qū)動(dòng)了的信號(hào),其電流將
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半導(dǎo)體廠投資受300mm晶圓和工廠投資拉動(dòng)
- 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI）公布的調(diào)查結(jié)果顯示，在2007年半導(dǎo)體廠商的總投資額中，實(shí)際有85％是面向300mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備。半導(dǎo)體生產(chǎn)能力2007年按200mm晶圓換算增加了約2300萬(wàn)枚。比上年增加了16％。內(nèi)存生產(chǎn)能力比2006年增加33％，300mm晶圓工廠整體的生產(chǎn)能力預(yù)計(jì)提高了50％以上。 2006年的設(shè)備投資增長(zhǎng)率約為25％，而SEMI預(yù)測(cè)2007年將減速至約3％。2007年工廠建設(shè)投資額的增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)約為4～5％。不過(guò)，2008年與設(shè)備和工廠建設(shè)相關(guān)的投資均將強(qiáng)
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中芯國(guó)際赴美采購(gòu)近20億美元半導(dǎo)體設(shè)備 用于12寸晶圓廠
- 日前，中國(guó)晶圓代工服務(wù)商中芯國(guó)際(SMIC)簽署了合作意向書，將從美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商手中采購(gòu)價(jià)值近20億美元的設(shè)備。 在舊金山舉行的中美高科技合作論壇之際，中芯國(guó)際與美方代表出席了合同和協(xié)議的簽署儀式。 中芯國(guó)際總共簽署了六項(xiàng)合作意向書，美方供應(yīng)商包括應(yīng)用材料(Applied Materials)、Axcelis、KLA-Tencor、Lam Research、Novellus和Varian。預(yù)計(jì)在三年時(shí)間內(nèi)采購(gòu)總價(jià)18.6億美元的半導(dǎo)體設(shè)備，全部用于其12英寸晶圓廠建設(shè)。
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惠普向第三方授權(quán)納米壓印光刻技術(shù)
- 加州Nanolithosolutions公司日前獲得了惠普實(shí)驗(yàn)室授權(quán)的一項(xiàng)納米壓印光刻技術(shù)，該技術(shù)可用于生產(chǎn)線寬只有15納米的電路板原型。 對(duì)此，公司首席執(zhí)行官Bo Pi稱：“利用惠普的該項(xiàng)技術(shù)，我們可以從事生物芯片、光子芯片，以及相關(guān)應(yīng)用的研究?！? 利用惠普的新技術(shù)，Nanolithosolutions已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一套工具。該款工具包含一個(gè)模塊和掩模對(duì)準(zhǔn)器，可用于創(chuàng)建基片上的晶體管模式。 據(jù)悉，該款工具簡(jiǎn)單易用，成本低廉，可以將普通的掩模對(duì)準(zhǔn)器變成高分辨率的納米壓印光刻機(jī)。
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用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器
- 摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對(duì)象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對(duì)角長(zhǎng)度略大于190mm。本文對(duì)傳感器的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)、拼接圖和已得到開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
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宏基否認(rèn)并購(gòu)Gateway 目標(biāo)可能在日本
- 5月1日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，針對(duì)“宏基可能并購(gòu)Gateway”的傳聞，宏基日前給予了否認(rèn)，稱并購(gòu)目標(biāo)不再美國(guó)。 宏基日前表示，公司將收購(gòu)一家小型硬件廠商來(lái)拓展業(yè)務(wù)，但并不是業(yè)界所預(yù)測(cè)的Gateway。 盡管宏基并未透露具體的并購(gòu)目標(biāo)，但宏基董事長(zhǎng)王振唐稱：“并購(gòu)目標(biāo)并不在美國(guó)?！边@意味著，日本富士通可能走進(jìn)宏基的視線。 寶來(lái)證券分析師林美如此前曾表示：“宏基在美國(guó)和日本市場(chǎng)相對(duì)薄弱，因此，宏基很可能并購(gòu)Gateway或富士通。此舉與宏基的整體戰(zhàn)略互補(bǔ)。”
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奇夢(mèng)達(dá)27億美元新加坡構(gòu)建300毫米晶圓廠
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大儲(chǔ)存芯片制造商、英飛凌分拆的新公司奇夢(mèng)達(dá)宣布，為了提高產(chǎn)品銷售，它計(jì)劃將在新加坡構(gòu)建一個(gè)300毫米晶圓工廠。 奇夢(mèng)達(dá)表示，未來(lái)五年內(nèi)新工廠將投資20億歐元(約合27億美元)，將建立一個(gè)二萬(wàn)平米的絕對(duì)無(wú)塵室，每月的產(chǎn)量將達(dá)到六萬(wàn)個(gè)晶圓。在達(dá)到最高產(chǎn)量時(shí)將雇用1500名員工。 新工廠計(jì)劃從今年晚些時(shí)候開(kāi)始構(gòu)建，預(yù)期2009年開(kāi)始投入生產(chǎn)。新加坡的工廠將是奇夢(mèng)達(dá)擁有的第三個(gè)300毫米晶圓工廠，類似的工廠在德國(guó)的德累斯頓和維吉尼亞(Virgina)的里齊蒙得(Richmond)。 市場(chǎng)調(diào)
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宏碁稱數(shù)月內(nèi)完成并購(gòu) 暗示并非Gateway
- 4月27日消息，全球第三大PC制造商宏碁周五表示，計(jì)劃未來(lái)3至5個(gè)月內(nèi)完成并購(gòu)，但未透露購(gòu)并對(duì)象，僅強(qiáng)調(diào)不是美國(guó)公司。此前有傳言稱，宏碁有意收購(gòu)美國(guó)第三大PC制造商Gateway。 宏碁今天還公布了第一季業(yè)績(jī)，凈利潤(rùn)56.6億新臺(tái)幣，比去年同期的40.2億增長(zhǎng)41%，亦超出市場(chǎng)預(yù)計(jì)的33.4億新臺(tái)幣。 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner本月公布的第一季全球PC出貨量數(shù)據(jù)，宏基已超過(guò)聯(lián)想，成全球第三大PC制造商，僅次于惠普和戴爾之后。而另一大市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)則顯示，宏碁與聯(lián)想打了個(gè)平手，并列
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奇夢(mèng)達(dá)擬于新加坡設(shè)300mm晶圓廠 增強(qiáng)亞洲前端產(chǎn)能
- 奇夢(mèng)達(dá)公司近日宣布，公司計(jì)劃通過(guò)在亞洲建造一個(gè)全資所有的300mm晶圓廠來(lái)增強(qiáng)其在亞洲市場(chǎng)的地位。根據(jù)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)和發(fā)展情況，奇夢(mèng)達(dá)計(jì)劃在今后五年內(nèi)對(duì)該晶圓廠投資大約20億歐元。新的晶圓廠擬設(shè)在新加坡，將擁有20,000平方米的清潔室，預(yù)計(jì)全面投量產(chǎn)后，將使奇夢(mèng)達(dá)的前端產(chǎn)能每月增加60,000片。 “我們?cè)谛录悠碌耐顿Y，是增強(qiáng)亞洲市場(chǎng)業(yè)務(wù)的重要一步。我們也會(huì)由此制定幾項(xiàng)重要的戰(zhàn)略目標(biāo)?！逼鎵?mèng)達(dá)總裁兼首席執(zhí)行官羅建華說(shuō)，“這項(xiàng)投資能夠讓我們對(duì)快速增長(zhǎng)的DRAM市場(chǎng)做出響應(yīng)，并且更加靠近我們
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Understanding Electricity - an analogy with water
- Electricity seems very difficult for most people to understand. You can't properly see it, you can't properly feel it and you can't taste it or smell it so what is it? It travels quite well through metals and generally poorly through non-metals. It doesn'
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三大晶圓代工廠首季獲利疲弱 但好景不遠(yuǎn)
- 路透社日前撰文指出，全球前三大晶圓代工廠商——臺(tái)積電、聯(lián)電和特許半導(dǎo)體，可能公布第一季季度獲利為逾一年來(lái)最低，原因在于芯片需求疲弱不振。但分析師表示，淡季可能接近尾聲，前景看好，因客戶庫(kù)存減少，且新電腦、電腦設(shè)備與平板電視銷售情況良好，新的芯片需求已然在望。 摩根大通證券協(xié)理徐振志表示，“我們不久后就會(huì)看到需求升溫……通訊和消費(fèi)部門的復(fù)蘇力道日后將轉(zhuǎn)強(qiáng)，而個(gè)人電腦市場(chǎng)也呈穩(wěn)定成長(zhǎng)。”徐振志認(rèn)為，經(jīng)過(guò)第一季的傳統(tǒng)淡季后，臺(tái)積電第二季營(yíng)收可望較第一季成長(zhǎng)逾15%，聯(lián)電則成長(zhǎng)9%。法國(guó)巴黎
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臺(tái)積電對(duì)建立18英寸晶圓工廠進(jìn)行可行性評(píng)估
- 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球第一大芯片代工廠商臺(tái)積電將組建一個(gè)小組，對(duì)公司建立一個(gè)18英寸(450毫米)晶圓工廠的可行性進(jìn)行評(píng)估。 臺(tái)積電表示，我們正在對(duì)這一項(xiàng)目進(jìn)行評(píng)估，目前談?wù)摐?zhǔn)確的時(shí)間框架還為時(shí)尚早。目前主流代工制造的芯片采用8英寸(200毫米)晶圓產(chǎn)品。每月的產(chǎn)量為38萬(wàn)至39萬(wàn)個(gè)。12英寸(300毫米)晶圓產(chǎn)品目前每月的產(chǎn)量相當(dāng)于20萬(wàn)個(gè)8英寸晶圓。如果臺(tái)積電未來(lái)不能夠獲得更多8英寸晶圓，它的12英寸晶圓的產(chǎn)量將超過(guò)8英寸晶圓。 關(guān)于建立18英寸晶圓工廠的可行性，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨
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南科將建再生晶圓廠 最快上半年投產(chǎn)
- 全球最大半導(dǎo)體設(shè)備制造服務(wù)業(yè)者應(yīng)用材料18日宣布，全球服務(wù)事業(yè)群正計(jì)劃投入晶圓再生市場(chǎng)，將位于臺(tái)南科學(xué)園區(qū)建造1座再生晶圓廠及硅應(yīng)用研發(fā)中心，預(yù)計(jì)6月揭幕、隨即投入生產(chǎn)。同時(shí)相應(yīng)于應(yīng)材正全力發(fā)展太陽(yáng)能薄膜設(shè)備市場(chǎng)，應(yīng)材臺(tái)灣也設(shè)立事業(yè)單位，加強(qiáng)與國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能業(yè)者合作。 應(yīng)用材料企業(yè)副總裁余定陸表示，應(yīng)材正積極跨入綠色能源事業(yè)，除自2006年起積極投入太陽(yáng)能光電市場(chǎng)，將陸續(xù)推出薄膜太陽(yáng)能制造設(shè)備，也將投入晶圓再生市場(chǎng)，協(xié)助晶圓廠在測(cè)試晶圓用量上進(jìn)一步節(jié)約。余定陸分析，薄膜太陽(yáng)能成本取決于轉(zhuǎn)
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ANADIGICS與昆山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)共建砷化鎵晶圓制造廠
- ANADIGICS一家無(wú)線及寬帶通訊綜合方案供應(yīng)商，宣布其已與昆山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)（KSND）簽訂了投資合同，共同在中國(guó)江蘇省昆山市為 ANADIGICS, Inc. 建造一座新的先進(jìn)的六英吋（6"）砷化鎵（GaAs）集成電路（IC）晶圓制造廠，其目的是在新澤西州沃倫市該公司主要的晶圓制造廠以外擴(kuò)大晶圓生產(chǎn)的能力。 預(yù)計(jì) ANADIGICS, Inc. 將從2007年第四季度起的兩年內(nèi)，包括2009年第一季度的初級(jí)生產(chǎn)階段，出資約一千萬(wàn)至一千五百萬(wàn)美元。ANADIGICS, Inc. 在該廠的存
- 關(guān)鍵字： ANADIGICS 晶圓制造廠 砷化鎵 其他IC 制程
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