功率mosfet 文章 進(jìn)入功率mosfet技術(shù)社區(qū)
英飛凌發(fā)布面向大眾市場(chǎng)應(yīng)用的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品組合，擴(kuò)展了現(xiàn)有StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的陣容，以滿足大眾市場(chǎng)對(duì)30 V解決方案日益增長(zhǎng)的需求。新型功率?MOSFET產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，具有高可靠性和易用性，專為滿足各種大眾市場(chǎng)應(yīng)用的要求而設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高度的設(shè)計(jì)靈活性。適合的應(yīng)用包括工業(yè)開關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電應(yīng)用、電池管理系統(tǒng)和不間斷電源（UPS）。英飛凌采用TO-220封裝的
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P通道功率MOSFET及其應(yīng)用
- Littelfuse P通道功率MOSFET雖不及廣泛使用的N通道MOSFET出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加，P通道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P通道的簡(jiǎn)易性，使其對(duì)低壓變換器（< 120 V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P信道MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點(diǎn)，提升成本效率。本文通過對(duì)N信道和P信道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P通道功率MOS
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英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì)，并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機(jī)械制動(dòng)（EMB）、配電、無刷直流驅(qū)動(dòng)器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。SSO10T TSC的占板面積為5
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推動(dòng)汽車電子功率器件變革的新型應(yīng)用——功率MOSFET篇
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247封裝。同時(shí)，電動(dòng)車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標(biāo)配，在設(shè)計(jì)中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機(jī)、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時(shí)代。本文將介紹和討論幾種推動(dòng)汽車電子功率器件
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東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET
- 中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反
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Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導(dǎo)
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Littelfuse推出首款汽車級(jí)PolarP P通道增強(qiáng)模式功率MOSFET
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司宣布推出首款汽車級(jí)PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創(chuàng)新性產(chǎn)品設(shè)計(jì)可滿足汽車應(yīng)用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最為與眾不同之處在于通過了AEC-Q101認(rèn)證，這一特點(diǎn)使其成為汽車應(yīng)用的理想選擇。該認(rèn)證確保MOSFET符合汽車行業(yè)嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。憑借這項(xiàng)認(rèn)證，汽車制造商可確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應(yīng)用性能
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啟方半導(dǎo)體與威世簽署功率MOSFET長(zhǎng)期生產(chǎn)代工協(xié)議
- 韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經(jīng)與威世集團(tuán)(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產(chǎn)品的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態(tài)下，具備低功耗、高速開關(guān)能力和高可靠性的，幾乎可以應(yīng)用于所有電子設(shè)備的典型的功率分立器件。市場(chǎng)調(diào)研公司OMDIA的數(shù)據(jù)表明，2022年功率分立器件的市場(chǎng)規(guī)模為212億美元，預(yù)計(jì)到2027年將達(dá)到284億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為6%。威世是全球領(lǐng)先的功率分立
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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英飛凌推出OptiMOS?功率MOSFET，擴(kuò)大采用PQFN 2mmx2mm封裝的產(chǎn)品陣容
- 【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應(yīng)用，如服務(wù)器、通信
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東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴(kuò)展了76%[3]，使其適合線性
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東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET
- 中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 通過對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降
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東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導(dǎo)通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時(shí)，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復(fù)電荷減少約74%，反向恢復(fù)[5]時(shí)間縮短約44
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英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級(jí)層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉(zhuǎn)換提供了極具吸引力的解決方案，同時(shí)也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護(hù)、電動(dòng)工具以及充電器應(yīng)用的系統(tǒng)創(chuàng)新開辟了新的可能性。該新產(chǎn)品系列采用了英飛凌
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功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體S的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，工作于開關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細(xì) ]
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