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          功率MOSFET供貨緊張

          •   據(jù)iSuppli公司,由于2010年銷售增長50%以上,而且產(chǎn)量有限,英飛凌、意法半導體和飛兆半導體等主要供應商的某些功率MOSFET對中國市場實行配給,而且交貨期拉長。  
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  功率MOSFET  

          IR新型-30VP溝道功率MOSFET使設計更簡單靈活

          •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關(guān),以及直流應用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?,可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路,使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應用非常理想的解決方案。   IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘
          • 關(guān)鍵字: IR  功率MOSFET  

          IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設計更簡單靈活

          •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關(guān),以及直流應用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?,可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路,使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應用非常理想的解決方案。   IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘
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          IR 推出為開關(guān)應用優(yōu)化的 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2

          •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 今天宣布針對開關(guān)應用,推出兩款具有低柵級電荷的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET ,這些開關(guān)應用包括開關(guān)電源 (SMPS) 、D 類音頻系統(tǒng)、高強度氣體放電燈 (HID) 照明,以及其它汽車電源轉(zhuǎn)換應用。   AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR為 DC-DC 應用量身定制的首款汽車級 DirectFET? 器件,提供低
          • 關(guān)鍵字: IR  功率MOSFET  AUIRF7648M2  

          為功率MOSFET增加自動防故障擊穿保護

          瑞薩發(fā)布雙類型功率MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換器

          •   瑞薩科技(Renesas Technology Corp.)近日宣布,推出適用于筆記本電腦及通信設備等產(chǎn)品的存儲器或ASIC同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類型功率MOSFET,可以實現(xiàn)更高的電源效率。據(jù)悉,此器件樣品將于在2008年10月在日本開始供應。   RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET,構(gòu)成了一個采用WPAK『注1』(瑞薩封裝代碼)高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器,其面積為5.1×6.1 mm,厚度為0.8 mm(最大)
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  轉(zhuǎn)換器  功率MOSFET  DC/DC  

          功率MOSFET的保護

          •   功率MOSFET的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞,柵源間電壓不得超過
          • 關(guān)鍵字: 功率MOSFET  保護  半導體材料  

          TNY256型單片機開關(guān)電源及其應用

          •   摘要:單片開關(guān)電源具有性價比高、外圍電路簡單、效率高、功耗低等顯著特點,文中介紹了TNY256的性能特點、工作原理,并給出了TNY256的典型應用電路。     關(guān)鍵詞:單片開關(guān)電源 TNY256 自動重啟計數(shù)器 功率MOSFET 1 TNY256的性能特點   
          • 關(guān)鍵字: 單片開關(guān)電源  TNY256  自動重啟計數(shù)器  功率MOSFET  MCU和嵌入式微處理器  

          安森美推出新SOT-723封裝功率MOSFET

          •  安森美半導體推出采用小型SOT-723封裝,特別為空間受限的便攜式應用優(yōu)化的新一代功率MOSFET,這些新低臨界值功率MOSFET采用安森美半導體領先業(yè)內(nèi)的Trench技術(shù)來取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。   NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET,NTK3139P則是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET,兩款器件在高于200 mA工作電
          • 關(guān)鍵字: SOT-723  安森美  單片機  封裝  功率MOSFET  嵌入式系統(tǒng)  封裝  

          集鎮(zhèn)流器控制、驅(qū)動及功率MOSFET于一體的STR-B5450系列組合IC

          • 摘 要:STR-B5450是日本三肯公司生產(chǎn)的集控制電路、高壓驅(qū)動器及兩只功率開關(guān)MOSFET于一體的系列SankenTM組合IC,使用該IC能使熒光燈電子鎮(zhèn)流器元件數(shù)量減少約40%。并具有預熱、點火、調(diào)光、自動再啟動、開/關(guān)與復位及故障/失效保護等功能。工作可靠,最大輸出功率達200W。本文介紹了該器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理及典型應用。 關(guān)鍵詞:鎮(zhèn)流器; 控制驅(qū)動; 調(diào)光; STR-B5450 分類號:TM571     文獻標識:B  &
          • 關(guān)鍵字: 鎮(zhèn)流器控制  驅(qū)動  功率MOSFET  STR-B5450  模擬IC  電源  
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          功率mosfet介紹

            “MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫,意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”,功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應來控制半導體S的場效應晶體管。除少數(shù)應用于音頻功率放大器,工作于線性范圍,大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動器,工作于開關(guān)狀態(tài),耐壓從幾十伏到上千伏,工作電流可達幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細 ]

          功率mosfet專欄文章

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