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功率mosfet
功率mosfet 文章 進(jìn)入功率mosfet技術(shù)社區(qū)
東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導(dǎo)通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時(shí)，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復(fù)電荷減少約74%，反向恢復(fù)[5]時(shí)間縮短約44
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英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級(jí)層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉(zhuǎn)換提供了極具吸引力的解決方案，同時(shí)也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護(hù)、電動(dòng)工具以及充電器應(yīng)用的系統(tǒng)創(chuàng)新開(kāi)辟了新的可能性。該新產(chǎn)品系列采用了英飛凌
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡(jiǎn)稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源，包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備。3月31日開(kāi)始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導(dǎo)通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當(dāng)前U-MOSVIII-H工藝的15
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
- 由于具有最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價(jià)比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來(lái)更低的滿載運(yùn)作溫度。較低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)通過(guò)顯著減小電壓過(guò)沖來(lái)提高系統(tǒng)可靠性，從而最大限度地減少對(duì)緩沖電路的需求，同時(shí)也減少了工程成本和工作量。這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實(shí)現(xiàn)在更高的工作結(jié)溫下具有更高功率，或者在相同的工作結(jié)溫下具有更長(zhǎng)使用壽命的設(shè)計(jì)。此外，隨著額定溫度的
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功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？
- 本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細(xì)說(shuō)明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫和功耗計(jì)算的安全工作區(qū)不能作為實(shí)際應(yīng)用中MOSFET是否安全的標(biāo)準(zhǔn)原因。特別說(shuō)明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長(zhǎng)的時(shí)間工作在線性區(qū)的應(yīng)用中，必須采用實(shí)測(cè)的安全工作區(qū)理由。
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET 安全工作區(qū) 線性區(qū) 熱電效應(yīng) 201903
Vishay：創(chuàng)新才會(huì)吸引注重速度和安全的本土車(chē)企
- Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海電子展”上展出了眾多創(chuàng)新成果，包括無(wú)源元件、二極管、功率MOSFET和光電子器件等，并特辟了汽車(chē)電子展示區(qū)，展出了高效和高可靠性汽車(chē)電子應(yīng)用。汽車(chē)電子展區(qū)的三大亮點(diǎn) Vishay展示了3套特地從德國(guó)運(yùn)來(lái)的與汽車(chē)電子相關(guān)的demo(演示)，分別是： ? 用于48V板網(wǎng)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)裝置(48V/150W)，特點(diǎn)是用于輕混動(dòng)力系統(tǒng)的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置;功率可達(dá)10 kW。該裝置所有部分由Vishay獨(dú)立設(shè)計(jì)完成，可以提供馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的電流、轉(zhuǎn)速等調(diào)整?！ ?jù)悉，48V在歐
- 關(guān)鍵字： Vishay 無(wú)源元件 二極管 功率MOSFET 光電子器件 201605
Vishay在2013中國(guó)電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心舉行的2013中國(guó)電子展成都站（夏季會(huì)）上展出其全線技術(shù)方案。Vishay的展位在3號(hào)館A214，展示亮點(diǎn)是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無(wú)源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。 在2013中國(guó)電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導(dǎo)通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET? Gen IV MOSFET，提高效
- 關(guān)鍵字： 無(wú)源元件 二極管 功率MOSFET
UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用
- 1引言隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思...
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng) 解耦
MOSFET的諧極驅(qū)動(dòng)
- 1．引言在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了...
- 關(guān)鍵字： DC\DC轉(zhuǎn)換器 功率MOSFET 脈寬調(diào)制 諧振變換器
深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
- 在汽車(chē)電子的驅(qū)動(dòng)負(fù)載的各種應(yīng)用中,最常見(jiàn)的半導(dǎo)體元件就是功率MOSFET了。本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFE...
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功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫(xiě)，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體S的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細(xì) ]
功率mosfet專欄文章
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