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	功率mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領先的低導通電阻和改進的反向恢復特性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設備開關電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業(yè)領先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復[5]時間縮短約44
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          • 關鍵字：
                        東芝  N溝道  功率MOSFET                          
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          英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 未來電力電子系統(tǒng)的設計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產(chǎn)品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案，同時也為服務器、通信、OR-ing、電池保護、電動工具以及充電器應用的系統(tǒng)創(chuàng)新開辟了新的可能性。該新產(chǎn)品系列采用了英飛凌
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  源極底置  功率MOSFET                          
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          東芝電子元件及存儲裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設備的開關電源，包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的15
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          • 關鍵字：
                        東芝  150V N溝道  功率MOSFET                          
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          功率MOSFET輸出電容的非線性特性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 本文主要分析了功率MOSFET的輸出電容和米勒電容的定義以及他們非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了影響這二個電容的相關因素，闡述了耗盡層電荷濃度非線性變化以及耗盡層厚度增加輸出電容和米勒電容的非線性特性的原因。
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          • 關鍵字：
                        功率MOSFET  輸出電容  米勒電容  非線性                          
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          功率MOSFET的參數(shù)那么多，實際應用中該怎么選？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 功率 MOSFET也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  功率MOSFET                          
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          儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 由于具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過顯著減小電壓過沖來提高系統(tǒng)可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時也減少了工程成本和工作量。這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實現(xiàn)在更高的工作結溫下具有更高功率，或者在相同的工作結溫下具有更長使用壽命的設計。此外，隨著額定溫度的
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          • 關鍵字：
                        儒卓力  英飛凌OptiMOS?   功率MOSFET                          
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          功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細說明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結溫和功耗計算的安全工作區(qū)不能作為實際應用中MOSFET是否安全的標準原因。特別說明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長的時間工作在線性區(qū)的應用中，必須采用實測的安全工作區(qū)理由。
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          • 關鍵字：
                        功率MOSFET  安全工作區(qū)  線性區(qū)    熱電效應  201903                          
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          功率MOSFET的結構,工作原理及應用
          
                                                            
            
                    	
          • “MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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          • 關鍵字：
                        功率MOSFET  MOSFET                          
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          Vishay：創(chuàng)新才會吸引注重速度和安全的本土車企
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海電子展”上展出了眾多創(chuàng)新成果，包括無源元件、二極管、功率MOSFET和光電子器件等，并特辟了汽車電子展示區(qū)，展出了高效和高可靠性汽車電子應用。汽車電子展區(qū)的三大亮點　　Vishay展示了3套特地從德國運來的與汽車電子相關的demo(演示)，分別是：　　? 用于48V板網(wǎng)的馬達驅動裝置(48V/150W)，特點是用于輕混動力系統(tǒng)的電動機驅動裝置;功率可達10 kW。該裝置所有部分由Vishay獨立設計完成，可以提供馬達驅動的電流、轉速等調(diào)整?！　?jù)悉，48V在歐
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          • 關鍵字：
                        Vishay  無源元件  二極管  功率MOSFET  光電子器件  201605                          
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          功率MOSFET的由來及結構原理淺談
          
                                                            
            
                    	
          • 什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制...
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          • 關鍵字：
                        功率MOSFET  IGBT  二極管                          
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          Vishay在2013中國電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領先技術
          
                                                            
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在6月20至22日成都世紀城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會）上展出其全線技術方案。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點是其最新的業(yè)界領先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。

在2013中國電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET? Gen IV MOSFET，提高效
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          • 關鍵字：
                        無源元件  二極管  功率MOSFET                          
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          常用功率器件MOSFET基礎介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 常用功率器件MOSFET基礎介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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          • 關鍵字：
                        功率MOSFET  二極管                          
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          UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用
          
                                                            
            
                    	
          • 1引言隨著電力電子技術的發(fā)展，各種新型的驅動芯片層出不窮，為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思...
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          • 關鍵字：
                        功率MOSFET  柵極驅動  解耦                          
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          MOSFET的諧極驅動
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
          
                                                            
            
                    	
          • 在汽車電子的驅動負載的各種應用中,最常見的半導體元件就是功率MOSFET了。本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFE...
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          • 關鍵字：
                        功率MOSFET                          
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          功率mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應來控制半導體S的場效應晶體管。除少數(shù)應用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關和驅動器，工作于開關狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		            
          
        
          
            
          
              
          功率mosfet專欄文章
          
              
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          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						功率MOSFET   
										樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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