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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
2012年十大新興產(chǎn)業(yè)為半導(dǎo)體市場(chǎng)注入增長(zhǎng)因素
- 2012年對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)無(wú)疑將是具有挑戰(zhàn)性的一年。若干全球宏觀經(jīng)濟(jì)問(wèn)題不僅影響半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，還會(huì)對(duì)全球經(jīng)濟(jì)產(chǎn)生負(fù)面影響。失業(yè)率居高不下，對(duì)經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂(yōu)，目前的歐洲債務(wù)危機(jī)，中國(guó)、印度和巴西的通脹，這些經(jīng)濟(jì)問(wèn)題將會(huì)使半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)速度放緩。 好消息是，十大新興產(chǎn)業(yè)(LED照明、智能電網(wǎng)、新能源、LTE通信、智能手機(jī)、智能電視、平板電腦、云計(jì)算、電動(dòng)汽車(chē)和個(gè)人醫(yī)療電子)為2012年的半導(dǎo)體市場(chǎng)注入了不少推動(dòng)需求增長(zhǎng)的因素。 LED照明將變得像白熾燈一樣普及今天已經(jīng)是業(yè)界的一個(gè)廣泛共識(shí)，美國(guó)、歐
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 LED照明
巴克萊下調(diào)Intel等五家半導(dǎo)體公司股票評(píng)級(jí)
- 據(jù)了解，巴克萊資本(Barclays Capital)本周二下調(diào)了英特爾(Intel)、應(yīng)用材料、Freescale半導(dǎo)體、Microchip Technology和Spansion等五家半導(dǎo)體公司的股票評(píng)級(jí)，由“增持”(overweight)降至“持股觀望”(equal-weight)。 巴克萊資本表示，由于庫(kù)存調(diào)整延伸至今年第一季度，而工業(yè)恢復(fù)要到下半年才能出現(xiàn)，2012年美國(guó)半導(dǎo)體股票將出現(xiàn)波動(dòng)。巴克萊分析師繆斯(C.J.Muse)在給客戶(hù)一
- 關(guān)鍵字： Freescale 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
- 時(shí)序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3DIC便為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢(shì)，將促使供應(yīng)鏈加速投入3DIC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢(shì)必激勵(lì)其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3DIC有機(jī)會(huì)于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下，預(yù)估2013年也可視為是3DIC量產(chǎn)元年。 3DIC為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢(shì)，其全新架構(gòu)帶來(lái)極大改變，英特爾即認(rèn)為，制程技術(shù)將邁入3D，未來(lái)勢(shì)必激勵(lì)技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實(shí)驗(yàn)室日前便宣布與工研院合作，共同合作開(kāi)發(fā)3DIC架構(gòu)且具低功耗特性的內(nèi)存技
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 芯片 3D
半導(dǎo)體動(dòng)能漸弱 類(lèi)比穩(wěn)健成長(zhǎng)
- Gartner估計(jì)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收較去年微增，未來(lái)動(dòng)能漸弱。今年英特爾仍是領(lǐng)先龍頭，高通則受惠行動(dòng)裝置，年增率達(dá)36.3%;在全球類(lèi)比市場(chǎng)，DIGITIMESResearch預(yù)期可穩(wěn)健成長(zhǎng)。 根據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2011年全球半導(dǎo)體營(yíng)收較2010年微幅增加0.9%，達(dá)到3020億美元。 顧能表示，2011年前10大半導(dǎo)體廠商營(yíng)收，英特爾依舊是龍頭，營(yíng)收達(dá)510.52億美元，年增21.6%;第2名為三星電子，年度營(yíng)收為291.5億美元，年增3.7%;第
- 關(guān)鍵字： 高通 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體資本支出將減 大和證估將少9%
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年下半年同樣受到終端需求疲弱、供應(yīng)鏈庫(kù)存修正影響業(yè)績(jī)表現(xiàn)，迎接2012年的到來(lái)，市場(chǎng)預(yù)期供應(yīng)鏈庫(kù)存去化完成后將有望帶起新的一波備庫(kù)存動(dòng)能，第一季將是落底時(shí)機(jī);大和證券也在最新報(bào)告中針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備與DRAM族群提出看法，認(rèn)為由行動(dòng)裝置推升的高階制程需求將是設(shè)備業(yè)明年表現(xiàn)主軸，而DRAM價(jià)格預(yù)料將在明年第一季后才有機(jī)會(huì)出現(xiàn)反彈狀況。 針對(duì)明年半導(dǎo)體設(shè)備族群表現(xiàn)，大和證券認(rèn)為，在臺(tái)積電與英特爾等大廠資本支出都可能減少的情況下都可能減少的情況下，預(yù)估明年半導(dǎo)體大廠資本支出將較今年減少9%，不
- 關(guān)鍵字： 三星 半導(dǎo)體
2012半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)
- 2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)似乎已成業(yè)界共識(shí)，成長(zhǎng)率分別從2~8%不等，雖然產(chǎn)業(yè)維持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，但也將面臨許多挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)界需要更多合作創(chuàng)新。以封裝業(yè)而言，矽品副總經(jīng)理馬光華便表示，已有不少跨產(chǎn)業(yè)合作的例子，包括封裝業(yè)與太陽(yáng)能合作，也有封裝業(yè)跨足LED領(lǐng)域的情況。此外，他認(rèn)為產(chǎn)業(yè)不會(huì)有獨(dú)大的情況，存在2個(gè)以上的主要廠商才是正常。 2011年景氣不如年初所預(yù)期，呈現(xiàn)虎頭蛇尾走勢(shì)，主要受到日本311地震、歐債問(wèn)題及
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 封裝
半導(dǎo)體廠商華宏宣布與宏力合并 挑戰(zhàn)中芯國(guó)際
- 北京時(shí)間12月30日早間消息，華宏半導(dǎo)體和宏力半導(dǎo)體周四宣布，兩家公司已達(dá)成并購(gòu)協(xié)議。這一并購(gòu)體現(xiàn)了中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的整合，雙方并未披露這筆交易的財(cái)務(wù)條款。 在這筆交易中，華宏半導(dǎo)體將面向宏力半導(dǎo)體股東發(fā)行新股，以換取宏力半導(dǎo)體的所有流通股。合并后的公司將成為中國(guó)內(nèi)地最大芯片制造商中芯國(guó)際的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而中芯國(guó)際已經(jīng)面臨著臺(tái)灣芯片廠商的激烈競(jìng)爭(zhēng)。 這一并購(gòu)還表明，資本密集型的外包芯片制造行業(yè)公司已開(kāi)始尋找新方式，通過(guò)合作及降低投資成本，來(lái)保證先進(jìn)的生產(chǎn)線繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。 并購(gòu)?fù)瓿珊?，華宏半
- 關(guān)鍵字： 華宏 半導(dǎo)體
遼沈地區(qū)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勢(shì)崛起
- 半導(dǎo)體裝備制造產(chǎn)業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)的戰(zhàn)略性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，10余年間，在國(guó)家增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力和振興東北老工業(yè)基地等戰(zhàn)略方針的引導(dǎo)下，遼寧半導(dǎo)體裝備制造產(chǎn)業(yè)以沈陽(yáng)為中心實(shí)現(xiàn)了從無(wú)到有、從小到大、由弱到強(qiáng)的歷史性轉(zhuǎn)變：建成了國(guó)內(nèi)首個(gè)IC裝備控制軟件平臺(tái)和IC裝備專(zhuān)業(yè)孵化器，攻克了多個(gè)制約我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)工藝和關(guān)鍵技術(shù)，創(chuàng)造了300余項(xiàng)科研成果，成功研制出6-12英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、勻膠顯影、單片濕法刻蝕和凸點(diǎn)封裝噴涂膠等系列整機(jī)設(shè)備以及300mm IC生產(chǎn)線自動(dòng)物料搬運(yùn)系統(tǒng)、直接驅(qū)動(dòng)真
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 光刻設(shè)備
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻
- 半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開(kāi)始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開(kāi)發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過(guò)，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化讓人擔(dān)心。決定微細(xì)化成敗的蝕刻技術(shù)沒(méi)有找到突破口，由微細(xì)化帶來(lái)的成本優(yōu)勢(shì)越來(lái)越難以確認(rèn)。而在微細(xì)化以外的技術(shù)方面，2011年出現(xiàn)了頗受關(guān)注的話(huà)題，美國(guó)英特爾宣布三維晶體管實(shí)用化、臺(tái)積電(TSMC)宣布建設(shè)450mm晶圓生產(chǎn)線。這些技術(shù)正在逐漸擴(kuò)大到全行業(yè)。 量產(chǎn)中遲遲無(wú)法
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 EUV光刻技術(shù)
京元電：半導(dǎo)體有三關(guān)卡
- 因應(yīng)全球景氣混沌不明，京元電手握百億銀彈對(duì)抗低迷的景氣;京元電董事長(zhǎng)李金恭27日表示，明年整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將面臨三道關(guān)卡，首要是歐債風(fēng)暴能遠(yuǎn)離。 曾經(jīng)歷網(wǎng)絡(luò)泡沬、SARS危機(jī)及全球金融風(fēng)暴的李金恭，以他過(guò)去對(duì)總體經(jīng)濟(jì)局勢(shì)的變遷所練就的市場(chǎng)敏銳度，他表示，明年全球經(jīng)濟(jì)景氣能否回溫，恐怕要先過(guò)三個(gè)關(guān)卡，歐債問(wèn)題、美國(guó)經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)、以及新興市場(chǎng)消費(fèi)表現(xiàn)。 李金恭指出，目前美國(guó)包括新屋開(kāi)工率、銷(xiāo)售率、失率業(yè)及耐久財(cái)訂單等各項(xiàng)經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)有逐漸好轉(zhuǎn)跡象，感恩節(jié)和圣誕節(jié)買(mǎi)氣也不差，接下來(lái)要看華人農(nóng)歷春節(jié)的消費(fèi)表
- 關(guān)鍵字： 京元電 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體的特性
- 半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能比導(dǎo)體差而比絕緣體強(qiáng)。實(shí)際上，半導(dǎo)體與導(dǎo)體、絕緣體的區(qū)別在不僅在于導(dǎo)電能 ...
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體淘汰賽持續(xù) 上游設(shè)備商恐掀搶客戶(hù)大戰(zhàn)
- 近幾年半導(dǎo)體、太陽(yáng)能等產(chǎn)業(yè)面臨血淋淋的整并淘汰賽，上游半導(dǎo)體設(shè)備商挑戰(zhàn)日益嚴(yán)峻，多家設(shè)備商都感嘆，客戶(hù)在淘汰和集中化過(guò)程中，變成現(xiàn)在手上每一家客戶(hù)都變的十分重要，一家都不能少，未來(lái)18寸晶圓時(shí)代來(lái)臨后，目前全球只有臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel) 3家半導(dǎo)體廠有能力投資，設(shè)備商會(huì)面臨更嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，但也象征另一場(chǎng)軍事糧草采購(gòu)大賽的開(kāi)始。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中亙古不變的贏家法則，就是在景氣最低迷時(shí)持續(xù)投資，三星、臺(tái)積電都是此法則的忠實(shí)信徒;不過(guò)，歷史人人會(huì)讀、道
- 關(guān)鍵字： 三星電子 半導(dǎo)體
信號(hào)鏈基礎(chǔ)知識(shí)# 55：高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器的數(shù)字特性
- 當(dāng)今的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 通常都包含有許多數(shù)字信號(hào)處理模塊，讓其更加易于使用。應(yīng)論述需要，我們使用了 TI ...
- 關(guān)鍵字： 信號(hào)鏈基礎(chǔ)知識(shí)、SCB、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、DAC、內(nèi)插、調(diào)制、混頻、數(shù)字 正交調(diào)制器、IQ 調(diào)制器、正交調(diào)制器校正、邊帶抑制、LO 饋通、模擬、半導(dǎo)體、德州儀器、TI
Gartner初估2011年全球半導(dǎo)體營(yíng)收成長(zhǎng)率0.9%
- 根據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu) Gartner 初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果， 2011年全球半導(dǎo)體營(yíng)收較 2010年微幅增加0.9%，達(dá)到3,020億美元。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在今年年初雖有強(qiáng)勁表現(xiàn)，但隨著對(duì)整體經(jīng)濟(jì)的憂(yōu)慮漸增， 導(dǎo)致2011年設(shè)備及半導(dǎo)體的訂單減少。 Gartner半導(dǎo)體研究總監(jiān)Stephan Ohr表示：「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在今年年初有不錯(cuò)的表現(xiàn)，很大的原因系延續(xù)2010年的繁榮;但隨著整體經(jīng)濟(jì)不確定性于年中逐漸升高，使消費(fèi)者延遲購(gòu)買(mǎi)。政府為避免承擔(dān)更多債務(wù)而暫緩基礎(chǔ)建設(shè)的擴(kuò)大支出計(jì)劃。設(shè)備庫(kù)存隨著時(shí)間增加，影響層
- 關(guān)鍵字： Gartner 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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