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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 半導體

          1999年3月,信產(chǎn)部研制出國內(nèi)第一臺8英寸硅片用擴散爐

          •   1999年3月,信息產(chǎn)業(yè)部第48所研制出國內(nèi)第一臺8英寸硅片用擴散爐。
          • 關鍵字: 半導體  硅片  

          1998年,中興通訊設立美國研究所

          •   1998年,中興通訊設立美國研究所(新澤西、圣地亞哥、硅谷3家)。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1998年,中興通訊獲巴基斯坦交換總承包項目

          •   1998年,中興通訊獲巴基斯坦交換總承包項目,金額為9700萬美元,是當時中國通信制造企業(yè)在海外獲得的最大一個通信“交鑰匙”工程項目,令世界矚目。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1997年12月31日,Maxim成立北京辦事處,設立樣品中心

          •   1997年12月31日,Maxim成立北京辦事處,設立樣品中心
          • 關鍵字: Maxim  半導體  

          1997年,中興通訊在深交所A股上市

          •   1997年,中興通訊在深交所A股上市。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1996年1月,首鋼日電技術升級項目實施

          •   1996年1月,首鋼日電技術升級項目實施,將中國IC制造工藝水平提升到6英寸,0.5微米。
          • 關鍵字: 半導體  集成電路  

          1995年,中興通訊啟動國際化戰(zhàn)略,1996年獲得孟加拉交換總承包項目

          •   1995年,中興通訊啟動國際化戰(zhàn)略,1996年獲得孟加拉交換總承包項目。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1993年3月,國務院提出的機構(gòu)改革方案

          •   1993年3月,八屆人大第一次會議第四次全體會議審議批準了國務院提出的機構(gòu)改革方案,其中包括撤銷機械電子工業(yè)部、中國電子工業(yè)總公司和組建機械工業(yè)部、電子工業(yè)部。
          • 關鍵字: 半導體  集成電路  

          1993年1月,國務院國辦發(fā)【1993】1號文

          •   1993年1月,國務院國辦發(fā)【1993】1號文《國務院辦公廳關于成立集成電路專項領導小組的通知》。
          • 關鍵字: 半導體  集成電路  

          1993年,深圳中興新通訊設備有限公司成立

          •   1993年,深圳中興新通訊設備有限公司成立(由航天系統(tǒng)691廠、深圳廣宇工業(yè)集團公司與中興維先通共同投資組建),首創(chuàng)“國有民營”經(jīng)營機制。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1989年8月8日,中國華晶電子集團公司成立

          •   1989年8月8日,742廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司。
          • 關鍵字: 華晶  半導體  

          1988年3月1日,Maxim在NASDAQ上市

          •   1988年3月1日,Maxim在NASDAQ上市
          • 關鍵字: Maxim  半導體  

          1987年,Maxim的首度贏利財年

          1985年,Maxim首家海外辦事處在英國成立

          •   1985年,Maxim首家海外辦事處在英國成立。
          • 關鍵字: Maxim  半導體  通信  

          1985年,中興通訊前身--深圳市中興半導體有限公司成立

          •   1985年,中興通訊前身--深圳市中興半導體有限公司成立。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  
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          半導體介紹

          semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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