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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
日本電子整機(jī)行業(yè)概況與其影響
- 二、日本電子整機(jī)行業(yè)概況與其影響 (一)筆記本產(chǎn)業(yè) 1、在全球產(chǎn)業(yè)中所處地位 目前日本在筆記本電腦領(lǐng)域擁有東芝、索尼、松下、富士通、NEC等整機(jī)PC廠商。日本筆記本電腦廠商在近幾年來受成本壓力已逐步轉(zhuǎn)向以代工為主的生產(chǎn)模式，本土剩余工廠產(chǎn)能均較小，以生產(chǎn)高端機(jī)型及向本土供貨為主，對(duì)全球筆記本電腦產(chǎn)業(yè)的影響力不大。但由于日本筆記本電腦用鋰電池材料產(chǎn)值占全球50%以上，因此此次日本地震對(duì)全球筆記本電腦產(chǎn)業(yè)影響將較集中于鋰電池供應(yīng)之上。 2、在日本本土的產(chǎn)能分布情況 日本大部分
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日本地震對(duì)汽車電子產(chǎn)業(yè)的影響
- (六) 汽車電子產(chǎn)業(yè) 1、在全球產(chǎn)業(yè)中所處地位 目前日本汽車電子產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位, 其產(chǎn)品涵蓋動(dòng)力控制系統(tǒng)、底盤控制與安全系統(tǒng)、車身電子、車載電子四大類，覆蓋了汽車電子的所有類型。電裝和愛信精機(jī)分別是全球第二和第五大汽車電子企業(yè)。2010年日本汽車電子產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全球的30%以上。 表11 日本主要汽車電子廠商 2、在日本本土的產(chǎn)能分布情況 日本主要汽車整車及零部件生產(chǎn)企業(yè)在其本土分布較廣。其中東北部及東京周邊以及西南地區(qū)均分布有汽車電子生產(chǎn)廠及研發(fā)機(jī)構(gòu)。在地震直
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日本地震對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)的影響
- 1、在全球產(chǎn)業(yè)中所處地位 日本的光伏產(chǎn)業(yè)一直處于全球領(lǐng)先地位，目前其光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模位居全球前5，夏普在2008年以前一直是全球第一大太陽(yáng)能電池廠商。日本的太陽(yáng)能光伏電池主要廠商還包括京瓷、三洋和三菱等。 表8 日本主要太陽(yáng)能電池廠商 2、日本的本土的產(chǎn)能分布情況 夏普、京瓷、三洋、三菱等日本主要太陽(yáng)能電池組件企業(yè)都分布在日本島的西南面，受地震影響不大。多晶硅方面，主要包括德山和M.Setek，德山位于西南部的山口縣，遠(yuǎn)離地震區(qū)，M.SeteK廠區(qū)則靠近震區(qū)。目前已暫時(shí)停工，但
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日本上游元器件行業(yè)概況與其影響
- (一) 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 1、在全球產(chǎn)業(yè)中所處地位 日本是目前全球僅次于美國(guó)的第二大半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)。2010年，日本半導(dǎo)體企業(yè)銷售額合計(jì)約為635億美元，占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2983.2億美元銷售額的21%左右。2010年全球前20大半導(dǎo)體廠商中，日本企業(yè)有5家。其中、東芝是目前全球僅次于三星的第二大閃存芯片供應(yīng)商，瑞薩電子是全球最大的MCU供應(yīng)商，爾必達(dá)是全球第四大DRAM存儲(chǔ)器廠商。索尼與松下的產(chǎn)品則主要是為本企業(yè)配套的邏輯IC。目前日本的FLASH存儲(chǔ)器產(chǎn)量約占全球的36%，DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)量約
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日本電子信息領(lǐng)域技術(shù)戰(zhàn)略地圖（二）存儲(chǔ)記憶體子領(lǐng)域
- 一、日本存儲(chǔ)記憶體技術(shù)戰(zhàn)略地圖制定背景 日本推出存儲(chǔ)記憶體技術(shù)戰(zhàn)略是基于這樣一種背景之下：一方面隨著INTERNET逐步向高速化發(fā)展，大容量視頻圖像傳輸?shù)男枨笠苍谠黾?，相?yīng)的大容量存儲(chǔ)器成為必要設(shè)備。另一方面消費(fèi)電子設(shè)備，如數(shù)碼相機(jī)、媒體播放器、手機(jī)等的多功能化、小型化的發(fā)展趨勢(shì)，使得這些設(shè)備所需的存儲(chǔ)記憶體也朝著大容量、低耗電的方向發(fā)展，已出現(xiàn)了能存儲(chǔ)幾十倍容量的服務(wù)器和移動(dòng)設(shè)備。此外電子設(shè)備的瞬時(shí)啟動(dòng)和更長(zhǎng)的工作時(shí)間也是未來的熱點(diǎn)需求。因此存儲(chǔ)記憶體技術(shù)是高效的信息處理不可欠缺的技術(shù)之一。
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日本電子信息領(lǐng)域技術(shù)戰(zhàn)略地圖（一）半導(dǎo)體技術(shù)子領(lǐng)域
- 自1980年建立以來，日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)在日本技術(shù)發(fā)展領(lǐng)域發(fā)揮著獨(dú)特的作用。作為日本最大的公共研發(fā)管理組織，它是聯(lián)系官、產(chǎn)、學(xué)、研的重要樞紐(如下圖)。它的主要活動(dòng)包括推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)、新能源和節(jié)能技術(shù)的推廣和國(guó)際合作項(xiàng)目。 NEDO每年都要在各先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域中征集新技術(shù)課題，予以研究支持。在征集技術(shù)課題的計(jì)劃中，NEDO會(huì)明確立題的目的和重要性、新課題的范圍或研發(fā)方向、相關(guān)的技術(shù)戰(zhàn)略圖、以及已有的相關(guān)項(xiàng)目，從中我們可以看到日本在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)重點(diǎn)和動(dòng)向。以下將簡(jiǎn)介2
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半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及特殊設(shè)計(jì)要求
- 摘要：通過對(duì)電力半導(dǎo)體模塊結(jié)構(gòu)的介紹，以及對(duì)其主要原材料性能的分析，進(jìn)一步闡述了各主要結(jié)構(gòu)材料對(duì)電力半導(dǎo)體模塊性能的影響。 關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體；模塊；質(zhì)量差異 1 引言 電力半導(dǎo)體模塊是分立半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 要求 特殊 特點(diǎn) 模塊 結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體
飛兆案例：采用半導(dǎo)體技術(shù)有效提高能效
- 面對(duì)著未來的嚴(yán)峻經(jīng)濟(jì)形勢(shì)，現(xiàn)在正是一個(gè)好時(shí)機(jī)來思考一下，我們大家或個(gè)人能夠做些什么來刺激經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇，而方法...
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半導(dǎo)體投資兩極化
- 韓國(guó)媒體披露，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者2010年?duì)I收成績(jī)亮眼，2011年也將積極進(jìn)行投資計(jì)劃。相對(duì)的，日本及臺(tái)灣企業(yè)投資額則較2010年減少60~70%，投資轉(zhuǎn)為保守。在半導(dǎo)體事業(yè)上，投資規(guī)模與微細(xì)制程的進(jìn)展及價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力等息息相關(guān)，韓國(guó)業(yè)者認(rèn)為2011年韓國(guó)與臺(tái)、日廠的存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)力差距將會(huì)更大?！?/li>
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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