半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
第三代半導(dǎo)體崛起 中國照明能否彎道超車？
- 近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)，中國也不例外地快馬加鞭進(jìn)行部署。有專家指出，第三代半導(dǎo)體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會(huì)發(fā)展的基石，是推動(dòng)節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導(dǎo)體材料，能否讓中國掌控新一輪半導(dǎo)體照明發(fā)展的話語權(quán)? 第三代半導(dǎo)體材料雙雄：SiC和GaN 半
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東芝將投資超5000億日元新建半導(dǎo)體工廠 并與閃迪合作
- 據(jù)《朝日新聞》報(bào)道，東芝近日宣布將在位于三重縣四日市市的半導(dǎo)體工廠新建廠房，并與美國半導(dǎo)體著名品牌閃迪(SanDisk)開展合作，投資金額超過5000億日元。新廠房預(yù)計(jì)將于2017年開始投入使用，主要生產(chǎn)用于智能手機(jī)的最新型NAND型閃存。 受去年財(cái)務(wù)丑聞曝光影響，東芝業(yè)績不斷惡化，大幅縮小了電視、電腦的生產(chǎn)業(yè)務(wù)，并開始進(jìn)行大規(guī)模裁員。同時(shí)，東芝還將繼續(xù)向其主要財(cái)源半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進(jìn)行2000億日元規(guī)模的設(shè)備投資，與韓國三星電子等對手進(jìn)行抗衡。 新廠房將建在現(xiàn)有工廠旁，目前已開始與土地?fù)碛姓吆偷?/li>
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半導(dǎo)體衰退 臺積電逆勢拼兩位數(shù)增長
- 去年半導(dǎo)體景氣罕見衰退，但晶圓代工龍頭臺積電仍逆風(fēng)飛行，全年?duì)I收年增10.6%，成長幅度優(yōu)于勁敵英特爾，營收年增率也是專業(yè)晶圓代工業(yè)者中最佳。臺積電內(nèi)部看好今年?duì)I收將維持二位數(shù)成長。 臺積電日前公布去年合并營收為8，434.97億元，年增10.6%;但根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)統(tǒng)計(jì)，去年并非所有半導(dǎo)體廠能像臺積電一樣逆勢成長。 顧能指出，去年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收約3，337億美元(約新臺幣11兆元)，年減1.9%。衰退的原因，主要受強(qiáng)勢美元影響部分地區(qū)需求下滑，加上全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)不佳
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2016年半導(dǎo)體并購暫放緩 裁員、重組或影響創(chuàng)新
- 2015年全球半導(dǎo)體公司掀起整并潮，不僅大幅縮減半導(dǎo)體業(yè)者數(shù)量，整并之后更將醞釀裁員、分拆、組織重整、資產(chǎn)整合與清算等重大變革，業(yè)界憂心恐將影響全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力，進(jìn)而沖擊未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長動(dòng)能。 受到債務(wù)成本偏低、制造成本攀升及產(chǎn)業(yè)趨于飽和等因素影響，2015年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)購并活動(dòng)創(chuàng)下紀(jì)錄，交易金額逼近1，200億美元，目前全球半導(dǎo)體市場的年復(fù)合成長率約5%，面對市場成長動(dòng)能趨緩，但購買新設(shè)備或開發(fā)新產(chǎn)品成本卻大幅增加，半導(dǎo)體業(yè)者似乎必須借由整并才能維持競爭力。 SanDisk執(zhí)行
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Gartner：2015年全球半導(dǎo)體營收下滑1.9%
- 市場研究機(jī)構(gòu)Gartner最新報(bào)告指出，受到手機(jī)、電腦等主要電子產(chǎn)品需求疲弱、美元強(qiáng)勢及庫存升高等因素影響，2015年全球半導(dǎo)體總營收預(yù)估為 3,337億美元，較2014年的3,403億美元減少1.9%。十大半導(dǎo)體廠中，又以高通(Qualcomm)和美光(Micron)營收衰退幅度較 大，分別為-17.4%及-11.2%。 2.打敗不景氣 逾2成臺灣IC設(shè)計(jì)廠辦到了; 上市柜IC設(shè)計(jì)廠去年合并總營收僅略增0.9%，有近6成廠商業(yè)績衰退，不過，有超過2成廠商得以突
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半導(dǎo)體“電—光—電”轉(zhuǎn)換器件，光電耦合器簡介
- 本文介紹了半導(dǎo)體“電—光—電”轉(zhuǎn)換器件，光電耦合器 光電耦合器(簡稱光耦)是一種以光作為媒介、把輸入端的電信號耦合到輸出端去的新型半導(dǎo)體“電—光—電”轉(zhuǎn)換器件。換句話講，它具有把電子信號轉(zhuǎn)換成為相應(yīng)變化規(guī)律的光學(xué)信號、然后又重新轉(zhuǎn)換成為變化規(guī)律相同的電信號的單向傳輸功能，并且能夠有效地隔離噪聲和抑制干擾，實(shí)現(xiàn)輸入與輸出之間的電絕緣。這種信號傳遞方式是所有采用變壓器和電磁繼電器作隔離來進(jìn)行信號傳遞的一般解決方案所不
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紅潮并購 他們?yōu)楹螑叟_廠？
- 大陸強(qiáng)大集團(tuán)的并購或聯(lián)盟的招手，臺灣企業(yè)為了生存或是拉高戰(zhàn)力，便快速與陸 資結(jié)合一起，一樁樁兩岸購并或入股盛事，也就一再的上演。
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半導(dǎo)體成長 智能手機(jī)貢獻(xiàn)八成
- 工研院預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長約1.9%，智慧手機(jī)將是驅(qū)動(dòng)全球半導(dǎo)體市場成長的最大動(dòng)力。 智慧手機(jī)市場盡管成長恐將趨緩，據(jù)手機(jī)晶片廠聯(lián)發(fā)科預(yù)估，未來幾年手機(jī)市場仍可望維持8%至10%的成長幅度。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心(IEK)預(yù)期，智慧手機(jī)仍將是今年全球半導(dǎo)體市場成長最大動(dòng)力，貢獻(xiàn)度將達(dá)80.8%。 除智慧手機(jī)外，IEK看好，固態(tài)硬碟(SSD)、汽車、超輕薄筆記型電腦、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用及穿戴裝置，都將是驅(qū)動(dòng)今年全球半導(dǎo)體市場成長的主要應(yīng)用項(xiàng)目。 IEK預(yù)期，包括傳統(tǒng)消
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2016-2017年全球半導(dǎo)體市場前景分析
- 據(jù)市場分析師統(tǒng)計(jì)，2015年全球半導(dǎo)體市場增長緩慢，主要是因?yàn)?.9%的亞太地區(qū)增長抵消了10.3%的日本下滑和8.2%的歐洲下滑。 半導(dǎo)體需求主要受到PC出貨放緩、美元升值、日本經(jīng)濟(jì)萎縮、歐洲危機(jī)和中國股票市場影響。其中，中國半導(dǎo)體銷售額占到全球半導(dǎo)體消費(fèi)的50%以上。 世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)估計(jì)，2015年全球半導(dǎo)體銷售額將增長0.2%至3360億美元。未來幾年內(nèi)全球半導(dǎo)體市場將呈現(xiàn)回暖趨勢，2016年和2017年將分別增長1.4%和3.1%。 2014年半導(dǎo)體銷售額
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日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子CEO上任半年突然辭職
- 日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子(Renesas Electronics)執(zhí)行長遠(yuǎn)藤隆雄(Takao Endo)上任才半年，上周五突如其來宣布辭職，董事會(huì)推舉現(xiàn)任營運(yùn)長鶴丸哲哉(Tetsuya Tsurumaru)接任，公司主要股東將此舉視為瑞薩的策略性選擇?！ ∪鹚_上周五發(fā)布新聞稿指出，遠(yuǎn)藤隆雄基于“個(gè)人因素”，請辭代表董事、董事長兼執(zhí)行長職務(wù)。不過遠(yuǎn)藤會(huì)繼續(xù)留在董事會(huì)，直到明年6月召開股東大會(huì)為止。 瑞薩上周五在東京股市盤中曾漲高至每股770日圓，終場微幅收漲0.66%，以7
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中外半導(dǎo)體10大IDM企業(yè)大碰撞 看完我想靜靜！
- IDM的一條龍能力，向來是檢驗(yàn)一個(gè)國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水準(zhǔn)的標(biāo)桿。美國和日本高居前兩位，歐洲第三，韓國第四。比起設(shè)計(jì)領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，中國大陸的IDM還主要集中在模擬版塊。另外，世界前10強(qiáng)2015年合計(jì)1591億美元產(chǎn)值，中國本土產(chǎn)值只有100億人民幣左右，未來的挑戰(zhàn)，簡直有點(diǎn)逆天了! IDM是半導(dǎo)體行業(yè)中指的“ 整合元件制造商”(Integrated Device Manufacturer) 垂直整合制造， 指從設(shè)計(jì),制造,封裝測試到銷售自有品牌IC都一手包辦的
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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