存儲器 文章 進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)
嵌入式存儲器的前世今生，作為電子工程師的你知道嗎？
- 隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 近期臺積電技術(shù)長孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)。預(yù)計試產(chǎn)主要采用2
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三星半導(dǎo)體未來將著重非存儲器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展
- 根據(jù)韓國媒體《The Investor》的報導(dǎo)，三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會議”上，由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布，未來三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強(qiáng)化在非存儲器的 SOC(系統(tǒng)芯片)及代工業(yè)務(wù)的發(fā)展上。這是三星半導(dǎo)體部門在尋求當(dāng)前除了最賺錢的存儲器業(yè)務(wù)之外，未來新的營收來源計劃。 報導(dǎo)指出，三星每年在 6 月及 12 月所舉行的“全球戰(zhàn)略會議”，是三星為接下來半年的營運(yùn)策略定下計劃的重要會議。而
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清華大學(xué)攜手兆易創(chuàng)新于IEDM發(fā)表阻變存儲器論文
- 12月2-6日，第63屆國際電子器件大會(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美國加州舊金山舉行，清華大學(xué)微納電子系吳華強(qiáng)課題組的2篇文章入選其列，分別題為“類腦計算中阻變存儲器的氧空位分布無序效應(yīng)模型(Modeling disorder effect of the oxygen vacancy distribution in filamentary analog RRAM for neuromorphic computing)”和“用于類腦計算
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三星半導(dǎo)體未來將著重非存儲器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展
- 根據(jù)韓國媒體《The Investor》的報導(dǎo)，三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會議”上，由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布，未來三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強(qiáng)化在非存儲器的 SOC(系統(tǒng)芯片)及代工業(yè)務(wù)的發(fā)展上。這是三星半導(dǎo)體部門在尋求當(dāng)前除了最賺錢的存儲器業(yè)務(wù)之外，未來新的營收來源計劃?！ 髮?dǎo)指出，三星每年在 6 月及 12 月所舉行的“全球戰(zhàn)略會議”，是三星為接下來半年的營運(yùn)策略定下計劃的重要會議。而根據(jù)知情人士的透露，在金奇南被任命為三星半導(dǎo)體部門C
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美國國際貿(mào)易委員會決定調(diào)查海力士存儲器模組侵權(quán)案
- 據(jù)韓國媒體《etnews》報導(dǎo)，日前遭美國芯片廠Netlist控告兩項(xiàng)存儲器模組侵權(quán)的韓國存儲器大廠SK海力士，美國國際貿(mào)易委員會(ITC)3日宣布，決定立案開始調(diào)查。調(diào)查最終結(jié)果，一旦被裁定有侵犯專利權(quán)的事實(shí)，ITC將有權(quán)利引用美國海關(guān)337條款，禁止使用侵權(quán)技術(shù)的產(chǎn)品輸入美國。 報導(dǎo)指出，SK海力士是在2017年的10月31日遭Netlist控訴侵犯專利權(quán)，指SK海力士兩項(xiàng)存儲器模組產(chǎn)品，包括RDIMM和LRDIMM等用于服務(wù)器的存儲器模組產(chǎn)品侵犯了Netlist的專利權(quán)。不過，該案曾在20
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Yole：供需失衡推動存儲芯片價格上漲，市場年均增長9%
- 存儲器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術(shù)》報告中預(yù)計，2016~2022年整個存儲器市場的復(fù)合年增長率約為9%，到2022將達(dá)到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導(dǎo)體芯片價格上漲，導(dǎo)致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤! 存儲器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動和計算(主要是服務(wù)器)市場。平均而言，每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上，預(yù)計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機(jī)的NAND存儲器容量將增加
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三星2017年豪擲260億美元投資 欲遏制中國存儲器廠商發(fā)展
- 根據(jù)IC Insights最新發(fā)布的17年麥克林報告指出，今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增長35%，達(dá)到908億美元。 而三星今年在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出達(dá)到260億美元，是去年支出的兩倍還多。IC Insights總裁Bill McClean表示：“我追蹤半導(dǎo)體行業(yè)的37年里，從沒有見過如此激烈的半導(dǎo)體資本支出增長。 可見，今年三星的巨額開支在半導(dǎo)體行業(yè)史上是史無前例的。” 下圖顯示了自2010年以來三星為其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的資本支出。2010年，該公司首次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入了超過1
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存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價 明年Q1價格仍有望居高不下
- DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應(yīng)用端，尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下調(diào)壓力。 調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃，都為未來DRAM市場投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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國際大廠力量強(qiáng)勢，中國存儲器明年迎 “大戰(zhàn)”
- 存儲產(chǎn)業(yè)是一個長期的過程，不可能一蹴而就。在未來相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，中國半導(dǎo)體業(yè)必須是一個踏踏實(shí)實(shí)的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”，同樣又是一個與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻(xiàn)者”。
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存儲器產(chǎn)值減少，臺灣2017年半導(dǎo)體產(chǎn)值首度落后韓國
- 在存儲器價格供不應(yīng)求，價錢居高不下的情況下，也進(jìn)一步影響了臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)值在全世界的排名。根據(jù)工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心(IEK)的研究指出，全球半導(dǎo)體市場在存儲器成長達(dá)到六成幅度的帶動下，首度超過4千億美元，較2016年成長近2成。這使得目前在存儲器市場擁有絕對優(yōu)勢的南韓，2017年的半導(dǎo)體產(chǎn)值超越臺灣，排名居次，僅次于美國。 工研院IEK7日上午舉辦“眺望2018產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢研討會”，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理彭茂榮表示，2017年全球經(jīng)濟(jì)成長持穏，加上存儲器價格大漲，帶動全
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莫大康：準(zhǔn)備迎接更艱難的時刻到來
- 中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展有它的獨(dú)特規(guī)律，通常生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速率緩慢，用時相對久些，也即需要如“接力棒式”傳遞。但是中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展在任何時候必須要充滿信心，堅持到底，因?yàn)槲覀冇袊覍用娴闹С?，是全球其它地區(qū)無法比及的，所以相信中國半導(dǎo)體業(yè)一定會取得最后的成功。 -莫大康2017年11月6日 01大基金推動下成績卓然 近期中國半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)好事連連，上海中微半導(dǎo)體宣布，它的MOCVD設(shè)備PrismoA7機(jī)型出貨量已突破100臺，邁向重要里程碑，包括三安光電和華燦光電等設(shè)
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蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達(dá)50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預(yù)估華邦電營收將介于43～4
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有機(jī)憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄，但未來是否有機(jī)會顛覆存儲器市場？
- 憶阻器是傳說中電阻器、電容器和電感元件以外的電路第四元件，始終處于實(shí)驗(yàn)階段，但這個傳說可能將實(shí)現(xiàn)。來自新加坡、美國和印度的國際團(tuán)隊(duì)研究出一種新型有機(jī)憶阻器，不只速度快且穩(wěn)定性高，保存資料的時間更打破原有紀(jì)錄。 憶阻器(Memristor)最早在1971年由加州大學(xué)柏克萊分校的蔡少棠教授提出，概念取自于“記憶”(Memory)和“電阻器”(Resistor)兩個字的組合。他認(rèn)為電阻、電容和電感代表電子學(xué)中電壓、電流、電荷和磁通量4項(xiàng)重要元素之間的關(guān)系
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲器電路
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