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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 存儲(chǔ)器

          有機(jī)憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄,但未來是否有機(jī)會(huì)顛覆存儲(chǔ)器市場(chǎng)?

          • 雖然距離實(shí)際上市還要一段時(shí)間,但以這項(xiàng)憶阻器的容量和特性,如果產(chǎn)品真的成功,將大大顛覆整個(gè)電子產(chǎn)業(yè),并改變?nèi)藗兊娜粘I睢?/li>
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  

          詳解2018年全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

          • 從2016年開始,內(nèi)存的價(jià)格持續(xù)的高漲,內(nèi)存儼然已成為大家最關(guān)注的半導(dǎo)體器件之一,內(nèi)存的趨勢(shì)發(fā)展以及供需狀況也是大家特別關(guān)注的話題,明年供不應(yīng)求的情況將更加嚴(yán)重。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  SK 海力士  

          揭秘FPGA多重配置硬件電路設(shè)計(jì)方案

          • 揭秘FPGA多重配置硬件電路設(shè)計(jì)方案-當(dāng)FPGA 完成上電自動(dòng)加載初始化的比特流后,可以通過觸發(fā)FPGA 內(nèi)部的多重啟動(dòng)事件使得FPGA 從外部配置存儲(chǔ)器(SPI FLASH)指定的地址自動(dòng)下載一個(gè)新的比特流來重新配置。
          • 關(guān)鍵字: MCU  存儲(chǔ)器  FPGA  

          攻克可穿戴醫(yī)療存儲(chǔ)器件封裝難題

          • 攻克可穿戴醫(yī)療存儲(chǔ)器件封裝難題-可穿戴醫(yī)療設(shè)備通常設(shè)計(jì)得盡可能隱蔽。因此,在盡可能小的封裝中達(dá)到所需的存儲(chǔ)密度非常必要。種種創(chuàng)新要求在有限的外形尺寸中存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。要滿足這一點(diǎn),許多醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)而采用創(chuàng)新型裸片存儲(chǔ)器解決方案。
          • 關(guān)鍵字: 封裝技術(shù)  存儲(chǔ)器  可穿戴醫(yī)療  

          淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢(shì)

          • 淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢(shì)-對(duì)存儲(chǔ)器帶寬的追求成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)最突出的主題。SoC設(shè)計(jì)人員無論是使用ASIC還是FPGA技術(shù),其思考的核心都是必須規(guī)劃、設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須清楚的理解存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)流模式,以及芯片設(shè)計(jì)人員建立的端口。即使是存儲(chǔ)器供應(yīng)商也面臨DDR的退出,要理解系統(tǒng)行為,以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  SOC  DRAM  

          DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

          • DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌,很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲(chǔ)就陷入了茫然。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲(chǔ)器  

          7個(gè)技巧開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)

          • 7個(gè)技巧開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)-盡管許多嵌入式工程師充滿了希望和夢(mèng)想,但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個(gè)艱苦的過程,需要開發(fā)人員維護(hù)和管理系統(tǒng)的每個(gè)比特和字節(jié)。當(dāng)一個(gè)應(yīng)用程序被確認(rèn)為“成功”的那一刻,通常會(huì)有一種如釋重負(fù)的感覺,但僅僅因?yàn)檐浖谑芸貤l件下的那一刻運(yùn)行正常并不意味著明天或一年后還會(huì)運(yùn)行正常。
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式  存儲(chǔ)器  

          觀存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè):DRAM報(bào)價(jià)仍有上漲空間 NAND持續(xù)穩(wěn)定成長(zhǎng)

          •   去年我們?cè)?jīng)對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)進(jìn)行分析,認(rèn)為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)在2016~2017年是恢復(fù)秩序且有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè),時(shí)至今日,雖然存儲(chǔ)器大廠持續(xù)邁向新制程發(fā)展,但由于市場(chǎng)寡占,主要大廠對(duì)于新產(chǎn)能擴(kuò)充仍相當(dāng)自律,加上電子化產(chǎn)品對(duì)于存儲(chǔ)器的需求持續(xù)提升,因此在這1年間,存儲(chǔ)器變成了洛陽(yáng)紙貴的零組件。   尤其到了第3季旺季,存儲(chǔ)器需求更是熱絡(luò),報(bào)價(jià)持續(xù)走揚(yáng),預(yù)期2017年對(duì)于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)來說將是豐收的1年,受惠智能手機(jī)存儲(chǔ)器容量升級(jí),服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁需求,2018年存儲(chǔ)器需求亦可望持續(xù)成長(zhǎng)。   從需求部分來看,
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  

          東芝存儲(chǔ)器重啟NAND投資 聯(lián)合對(duì)抗三星

          •   隨東芝存儲(chǔ)器(TMC)股權(quán)出售案定案,全球NAND快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)形成三強(qiáng)鼎立態(tài)勢(shì):三星電子(Samsung Electronics),東芝存儲(chǔ)器、西部數(shù)據(jù)(WD)、與SK海力士(SK Hynix)團(tuán)隊(duì),以及英特爾(Intel)與美光(Micron Technology)聯(lián)盟?,F(xiàn)在東芝要重新挑戰(zhàn)三星,但與西部數(shù)據(jù)的官司成為最主要的問題。   東芝存儲(chǔ)器社長(zhǎng)成毛康雄,在2017年10月13日參加日本四日市的事業(yè)說明會(huì)中,指出2017年內(nèi)已對(duì)四日市工廠進(jìn)行3,150億日?qǐng)A(約28.1億美元)的設(shè)備投資,為
          • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲(chǔ)器  

          Gartner:2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)計(jì)大漲19.7%

          •   研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估,今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望達(dá)4111億美元,將較去年成長(zhǎng)19.7%,是7年來成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的一年。   Gartner指出,存儲(chǔ)器供不應(yīng)求,尤其是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),是驅(qū)動(dòng)今年整體半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?。隨著存儲(chǔ)器成本增加,材料清單成本高于電子設(shè)備部分,Gartner表示,已有代工廠調(diào)高價(jià)格因應(yīng)。   展望未來,Gartner預(yù)期,明年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望進(jìn)一步攀高至4274億美元,將較今年再成長(zhǎng)4%;只是隨著供應(yīng)商增產(chǎn),存儲(chǔ)器市場(chǎng)恐將反轉(zhuǎn),2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  

          FPGA芯片配置方式及常見配置方法

          • FPGA芯片配置方式及常見配置方法-廣義的來說,F(xiàn)PGA的配置包括直接使用下載電纜對(duì)FPGA器件進(jìn)行編程、對(duì)外部EEPROM和FLASH進(jìn)行編程、使用MPU對(duì)FPGA器件進(jìn)行編程、外部EEPROM和FLASH對(duì)器件進(jìn)行編程等。
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          51單片機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)存的講解

          • 51單片機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)存的講解-51單片機(jī)當(dāng)中的存儲(chǔ)器從功能性上來劃分可以分為程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。一般來說單片機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)空間是能夠進(jìn)行存儲(chǔ)空間拓展的,但是如何進(jìn)行拓展則需要根據(jù)不同的存儲(chǔ)器類型進(jìn)行選擇,本文就將為大家針對(duì)這個(gè)問題進(jìn)行講解。
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          高級(jí)微控制器總線結(jié)構(gòu)完美解析

          • 高級(jí)微控制器總線結(jié)構(gòu)完美解析-AHB總線用于高性能,高時(shí)鐘工作頻率模塊。AHB在AMBA架構(gòu)中為系統(tǒng)的高性能運(yùn)行起到了基石作用。AHB為高性能處理器,片上內(nèi)存,片外內(nèi)存提供接口,同時(shí)橋接慢速外設(shè)。高性能,數(shù)據(jù)傳輸,多總線主控制器,突發(fā)連續(xù)傳輸,分步傳輸。
          • 關(guān)鍵字: 微控制器  嵌入式  存儲(chǔ)器  
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          存儲(chǔ)器介紹

          什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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