- 基于DSP的外部存儲器引導方法實現(xiàn),TI公司的高速數(shù)字信號處理器TMS320C6000系列DSP支持并行處理，采用甚長指令字(VLIW)體系結構，內(nèi)部設置有8個功能單元(兩個乘法器和6個ALU)，8個功能單元可并行操作，最多可以在一個周期內(nèi)同時執(zhí)行八條32位指令。指令
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方法 實現(xiàn) 引導 存儲器 DSP 外部 基于
- 因只讀存儲器的基本存儲單元只進行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存，且在編程時需要流過mA級以上的電流，所以只讀存儲器編程時通常采用外加編程高壓，內(nèi)部的電荷泵。在設計此類電荷泵時，擊穿電壓和體效應的影響
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應用于 深亞微米 存儲器 電荷泵
- E2ROM存儲器讀寫器的制作和使用,隨著總線控制技術的應用，彩電上大多采用串行非易失存儲器作為數(shù)據(jù)的存儲這種存儲器目前常用的有24Ctimes;times;、93Ctimes;times;兩種系列，24Ctimes;times;系列有等型號，93Ctimes;times;系列有93C46/56/6
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使用 制作 讀寫器 存儲器 E2ROM
- 本文設計了1553B總線上的網(wǎng)絡存儲器。整個系統(tǒng)基于NIOS II內(nèi)核設計，利用SoPC技術將接口部分的邏輯控制全部集成于FPGA片內(nèi)，系統(tǒng)的存儲量、結點數(shù)量均可擴展?！ ?0世紀70年代誕生的1553B總線，是一種主從式多余度總
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設計 方案 存儲器 網(wǎng)絡 總線 1553B
- 序言
隨著全球范圍內(nèi)的海量數(shù)據(jù)對無線和有線網(wǎng)絡的強大沖擊，運營商面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)，他們需要不斷推出既能滿足當前需求也能滿足未來需求的網(wǎng)絡。因此，通信基礎局端設備制造商在致力于降低每比特成本和功耗的同時
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KeyStone 存儲器 架構
- 鐵電存儲器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應用,1 引 言 鐵電存儲器(FRAM)是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā)存儲器，它結合了高性能和低功耗操作，能在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點，其價格又比相同容量
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應用 系統(tǒng) DSP FM18L08 存儲器
- 高密度可編程FIFO存儲器在視頻圖像中的應用, 在這篇文章中，我們將首先介紹幾個視頻應用，了解其數(shù)據(jù)路徑及需要處理的數(shù)據(jù)性質(zhì)。下一步，我們將盡力估計在視頻處理通道中操作數(shù)據(jù)的復雜性。然后會介紹可編程高密度FIFO和其能力，以及它如何能更有效率的替代當前
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圖像 應用 視頻 存儲器 可編程 FIFO 密度
- 嵌入式片上存儲器有效使用的方法,引 言 隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。對于嵌入式設備上數(shù)據(jù)密集的應用，數(shù)據(jù)Cache與片上存儲器相比存在以下缺陷：①片上
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方法 使用 有效 存儲器 嵌入式
- 為了提高能源效率，各國都在加快智能電網(wǎng)建設，大力推廣智能電表，以滿足電力需求的不斷攀升。在快速推進智能電...
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開關穩(wěn)壓器 存儲器 智能電表
- 摘要：本文提出了當多處理機系統(tǒng)工作時，為了實現(xiàn)快速有效的通信，采用使多處理器共享存儲囂方案。IDT7134雙口RAM是本方案選擇的共享存儲器。針對該方案，本文給出了接口電路的硬件設計和軟件設計。在接口電路設計中
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快速 通信 并行 處理機 共享 存儲器 基于
- 隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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三星 存儲器 NAND
- 計算機存儲器的層次分析,當前計算機幾乎毫無例外地采用了如圖所示的層次式存儲結構，目的是為了兼顧存儲容量和存儲速度。在圖中，以處理器為中心，計算機系統(tǒng)的存儲依次為寄存器、高速緩存、主存儲器、磁盤緩存、磁盤和可移動存儲介質(zhì)等7個層
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分析 層次 存儲器 計算機
- 相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學家們?nèi)涨氨硎?，已?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法。該小組采用90nm工藝技術，在200k單元陣列中實現(xiàn)了每存儲單元為四層(2位元)，并表示已開發(fā)出一種編碼方法，能克
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多個 方法 儲存 單元 存儲器 PCM 相變
- 存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復蘇，業(yè)界預期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長。
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存儲器 DRAM
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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