- 摘要：針對探測器姿態(tài)變化造成的視頻圖像旋轉，提出一種基于TMS320C6713B的實時數(shù)字視頻消旋系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用TMS320C6713B計算圖像旋轉后各點的位置，再利用FPGA進行地址映射，得到圖像旋轉后各點對應的灰度值。實驗
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視頻 A／D DSP FPGA 存儲器
- 采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達2Gbits。該架構無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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SDRAM FPGA DDR3 存儲器
- 基于閃爍存儲器的DSP并行引導裝載方法,TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低價位、低功耗數(shù)字信號處理器（DSP）。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了 50%。它的應用對象大多是要求能脫機運行的內嵌式系統(tǒng)，如機頂盒（
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引導 裝載 方法 并行 DSP 閃爍 存儲器 基于
- 鐵電存儲器的技術特點分析,如圖1所示，電子電能表的基本架構包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲器。本文將以存儲器為重點說明為何電子式電能表需要使用鐵電存
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分析 特點 技術 存儲器
- 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術, 相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實現(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。
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存儲器 技術 計算機 易失性 相變
- 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM), 自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預付費電能表 (pre-paid) 復費率電能
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存儲器 F-RAM 使用 需要 電子 電能表 為何
- 根據(jù)華爾街日報(WSJ)報導指出，美國存儲器大廠美光(Micron)日前除了報出亮眼的財報結果以外，還獲得三星電子(Samsung Electronics)長達10年交叉授權的協(xié)議，美光將取得權利金2.75億美元。
彭博(Bloomberg)則報導指出，三星已經同意支付美光2.75億美元的權利金，其中的2億美元，將在10月12日前支付，另外還有4,000萬美元，將在2011年1月31日前支付，最后還有3,500萬美元則將在2011年3月31日以前，全部支付完畢。
不過，除此之外，美光婉拒提
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三星 存儲器
- 據(jù)韓國電子新聞報導，目前韓國有幾間業(yè)者對海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長金鍾甲表示，韓國企業(yè)中有業(yè)者表示對海力士股份有興趣，早晚會對外宣布收購立場。
金鍾甲在接受電子新聞訪談時表示，由于存儲器產業(yè)競爭構圖產生變化，且海力士的競爭力更強化，韓國業(yè)者對海力士的表現(xiàn)皆抱持正面的態(tài)度。
雖然主要是由債權團執(zhí)行海力士股份拋售，金鍾甲以理事會議長身分也積極接觸海力士潛在收購者。海力士近期以來對拋售股份的官方說法維持沒有表明收購意愿的企業(yè)，但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進行
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海力士 存儲器
- 一家股東包括半導體設備大廠應用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲器公司Adesto Technologies，正準備推出首款導電橋接隨機存取存儲器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一種低耗電、與CMOS兼容的存儲器，可客制化應用在廣泛的離散式或嵌入式市場，該公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。
在近日于美國舉行的非揮發(fā)性存儲器研討會(Non Volatile Memory Conference)上，Ades
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CBRAM 存儲器
- 高階智能型手機和平板計算機應用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場，全球存儲器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場，由于生產標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠持續(xù)將產能移往Mobile RAM產品。臺系DRAM廠加入Mobile RAM戰(zhàn)局時間點較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認證，預計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權下加入戰(zhàn)局，而華邦Mobile RAM更是目前營運
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三星電子 存儲器 RAM
- 目前模擬、存儲器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢。
VLSI的總裁Dan Hutcheson認為在2010年初開始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復到正常的狀態(tài)。有人說工業(yè)開始減緩，停頓或者是可怕的再次下降，也可能都不對。
換言之，IC市場已經開始變弱，正回到正常的理性增長循環(huán)周期。
之所以如此，因為9月的銷售額可能預示IC產業(yè)在今年的最后一個季度，包括明年的態(tài)勢有眾多的不確定性。
Hutcheson說，人們常說從9月可看全年。而今年的9月已真的轉弱，而
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Intel IC 存儲器
- 摘要：本文介紹了13.56MHz符合ISO15693的RFID高頻接口模塊的設計,包括在10%或100%的ASK調制的時鐘提取,從交流的天線信號產生直流電壓的模塊,限制天線電壓的保護模塊,解調和調制模塊和電源穩(wěn)壓模塊。還介紹了用cadenc
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接口 模塊 設計 高頻 RFID XPM 存儲器 內嵌
- 聲發(fā)射技術是光纖傳感技術和聲發(fā)射技術相結合的產物，是目前聲發(fā)射技術的發(fā)展趨勢。它將高靈敏度聲發(fā)射傳感器安裝于受力構件表面以形成一定數(shù)目的傳感器陣列，實時接收和采集來自于材料缺陷的聲發(fā)射信號，進而通
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數(shù)據(jù)傳輸 存儲 信號 發(fā)射 fifo 存儲器 基于
- 市場調查公司Gartner發(fā)布最新半導體設備市場預測，2010年增長一倍以上，達122%，但是2011年及2012年分別僅增長10%及7.4%，速度明顯的放慢。
然而，有的公司看法更為悲觀，如巴克萊的CJ Muse， 它對2011年的設備看法， 由原先增長20%，下調至下降10%， 反差之大讓人驚慌。并預計2011年全球半導體設備將再次下滑至250億美元。它的理由是由于全球經濟不確定的前景， 整個技術供應鏈的市場需求不足，尤其是存儲器與代工市場的變弱。Muse認為，未來的態(tài)勢與之前工業(yè)曾經歷過的
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半導體 存儲器
- 存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題, 軟誤差率(SER)問題是于上個世紀70年代后期作為一項存儲器數(shù)據(jù)課題而受到人們的廣泛關注的，當時DRAM開始呈現(xiàn)出隨機故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小，引起失調所需的臨界電荷的減少速度要比存儲單元中的電
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問題 SER 誤差 數(shù)據(jù) 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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