存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 4月11日消息,據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報(bào)道,運(yùn)營著一個(gè)在線DRAM市場的集邦科技稱,最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%,每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來
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針對(duì)企業(yè)及臺(tái)式硬盤驅(qū)動(dòng)器的放大器芯片
- TrueStore PA7800的運(yùn)行速度可達(dá)2.5Gb/s,同時(shí)在寫入模式下比上一代芯片可節(jié)省30%的電流。PA7800的數(shù)據(jù)率更強(qiáng),數(shù)據(jù)容量更高,且兼容新一代TMR讀取頭,并降低了功耗,從而實(shí)現(xiàn)了更高的處理能力。 PA7800具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先性能的關(guān)鍵在于該芯片的寫入器上升時(shí)間。它能測量前置放大器將電流轉(zhuǎn)換到讀取HHD盤或存儲(chǔ)媒介數(shù)據(jù)的寫入器讀取頭的速度。PA7800寫入器的上升時(shí)間比杰爾的前一代前置放大器產(chǎn)品提高了將近30%。
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基于FPGA的簡易可存儲(chǔ)示波器設(shè)計(jì)
- 摘要: 本文介紹了一種基于FPGA的采樣速度60Mbit/s的雙通道簡易數(shù)字示波器設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)量程和采樣頻率的自動(dòng)調(diào)整、數(shù)據(jù)緩存、顯示以及與計(jì)算機(jī)之間的數(shù)據(jù)傳輸。關(guān)鍵詞:數(shù)據(jù)采集;數(shù)字示波器;FPGA 引言 傳統(tǒng)的示波器雖然功能齊全,但是體積大、重量重、成本高、等一系列問題使應(yīng)用受到了限制。有鑒于此,便攜式數(shù)字存儲(chǔ)采集器就應(yīng)運(yùn)而生,它采用了LCD顯示、高速A/D采集與轉(zhuǎn)換、ASIC芯片等新技術(shù),具有很強(qiáng)的實(shí)用性和巨大的市場潛力,也代表了當(dāng)代電子測量儀器的一種發(fā)展趨勢,即向功能多、體積小、重量輕、
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揚(yáng)長補(bǔ)短發(fā)展FeRAM
- 存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥,或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件,有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分,它們各有所長,應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM,SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù),但是RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM(只讀存儲(chǔ)器)技術(shù),包
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亞洲市場成為Ramtron 2008年前最大目標(biāo)設(shè)計(jì)市場
- 非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前發(fā)布其亞太區(qū)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)擴(kuò)展戰(zhàn)略以及持續(xù)發(fā)展的最新部署,同時(shí)推出首款4Mb非易失性FRAM 存儲(chǔ)器FM22L16,成為推動(dòng)該公司在區(qū)內(nèi)繼續(xù)增長的主要元素。 FRAM 技術(shù)的核心是將微小的鐵電晶體集成進(jìn)電容內(nèi),使到FRAM產(chǎn)品能夠象快速的非易失性RAM那樣工作。通過施加電場,鐵電晶體的電極化在兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)之間變換。內(nèi)部電路將這種電極化的方向感知為高或低的邏輯狀態(tài)。每
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印度半導(dǎo)體離中國還很遠(yuǎn)
- 29年前,美國愛達(dá)荷州,三個(gè)年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個(gè)名叫DRAM的芯片設(shè)計(jì)生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達(dá)52.6億美金的半導(dǎo)體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動(dòng)了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項(xiàng)目啟動(dòng)典禮間隙,接受了本報(bào)記者專訪。這位年輕的CEO是個(gè)典型的冒險(xiǎn)家,擁有多架私人表演式飛機(jī),喜歡在空中做俯沖動(dòng)作。
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TI攜手Ramtron合作將FRAM技術(shù)提升至130nm工藝
- 德州儀器公司和Ramtron InternaTIonal Corporation 宣布:在 FRAM 技術(shù)發(fā)展中的創(chuàng)新里程碑,針對(duì) FRAM 存儲(chǔ)器達(dá)成了商用制造協(xié)議。該協(xié)議許可 Ramtron 的 FRAM 存儲(chǔ)器產(chǎn)品在 TI 先進(jìn)的 130 納米 (nm) FRAM 制造工藝中生產(chǎn)包括 Ramtron 
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Ramtron推出首個(gè)4兆位非易失性FRAM存儲(chǔ)器
- Ramtron International Corporation宣布推出半導(dǎo)體業(yè)界首個(gè)4兆位 (Mb) FRAM存儲(chǔ)器,這是目前最高容量的FRAM產(chǎn)品,其容量是原有最大FRAM存儲(chǔ)器容量的四倍。FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)和低功耗等特點(diǎn)。FM22L16與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容,并適用于工業(yè)控
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美光奇夢(mèng)達(dá)趕在三星前推出DDR3內(nèi)存
- 內(nèi)存生產(chǎn)商奇夢(mèng)達(dá)和美光先于三星電子,推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱(Jenn Markey)稱,長期以來市場一直期待,速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會(huì)顯著增加的DDR3的出現(xiàn),只是奇怪美光和奇夢(mèng)達(dá)能在DRAM市場傳統(tǒng)領(lǐng)先者三星之前推出。 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到1600Mb/s(1600兆位/秒),電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特,這可降低能耗和延長移動(dòng)設(shè)備的電池壽命。美光內(nèi)存部門高級(jí)營銷主管比
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惠瑞捷增加并行機(jī)制以縮減存儲(chǔ)器測試開發(fā)時(shí)間
- 惠瑞捷半導(dǎo)體科技宣布將可編程接口矩陣應(yīng)用于Verigy V5000e 工程工作站,以幫助存儲(chǔ)器制造商在應(yīng)用V5000e進(jìn)行工程,測試開發(fā)和調(diào)試時(shí)獲得并行測試能力。憑借該矩陣,V5000e 可以并行測試12顆芯片(DUT),減少產(chǎn)線上的操作人員的時(shí)間,同時(shí)大幅度提高了總產(chǎn)能。此矩陣還將V5000e的引腳數(shù)量從128提高到768個(gè)測試器資源引腳,從而能夠測量具有更高引腳數(shù)量的多種類型存儲(chǔ)器芯片,包括NOR、NAND、DRAM、SRAM以及 MCP。 由于產(chǎn)品壽命
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美光科技公司在中國啟動(dòng)新制造工廠
- 2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動(dòng)一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠,它將主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝測試?! 榇?,美光公司舉行了西安工廠的落成儀式,參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預(yù)計(jì)將于2008年底全部建成,總投資將達(dá)到2.5億美元,所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠,其第一家封裝測試工廠于1998年在新
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串行存儲(chǔ)器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應(yīng)用
- 1 概述 行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點(diǎn)和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中,事故疑點(diǎn)數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0.2s的時(shí)間間隔持續(xù)記錄并存儲(chǔ)停車前20 s實(shí)時(shí)時(shí)間所對(duì)應(yīng)的車輛行駛速度及車輛制動(dòng)狀態(tài)信號(hào),記錄次數(shù)至少為1O次:行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止?fàn)顟B(tài),記錄儀提供的與實(shí)時(shí)時(shí)間對(duì)應(yīng)的車輛行駛速度信息。記錄儀應(yīng)能以不大于1 min的時(shí)間間隔持續(xù)記錄并存儲(chǔ)車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù),該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過程中與實(shí)時(shí)時(shí)間相對(duì)應(yīng)的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。 該記錄儀需要采用大容量
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瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術(shù)
- 瑞薩科技(Renesas Technology Corp.)與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布,共同開發(fā)出一種新技術(shù),可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC(系統(tǒng)(集成)芯片)器件和微處理器(MPU)當(dāng)中。經(jīng)測試證實(shí),采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片,可以在寬泛的溫度條件下(-40℃-125℃)穩(wěn)定工作,而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn),集成了兩種不同的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì),一個(gè)元
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Ramtron和北天星將于4月聯(lián)手舉辦FRAM & MCU 技術(shù)、應(yīng)用全國巡回研討會(huì)
- Ramtron和其亞洲區(qū)總代理北天星將于4月份聯(lián)手在國內(nèi)5個(gè)城市(北京4/4,上海4/10,深圳4/12,西安4/24,成都4/26)舉辦非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)和MCU全國巡回研討會(huì).此次研討會(huì)將深入討論非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)和MCU的產(chǎn)品和技術(shù),并詳細(xì)介紹和探討其在中國各領(lǐng)域,包括軍工, 航天,數(shù)據(jù)采集, 計(jì)量, 汽車電子,汽車能源, 安全系統(tǒng), 工業(yè)控制, 通訊, 金融電子, 醫(yī)療機(jī)械等行業(yè)的應(yīng)用。 非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一種擁有與RAM一致的性能,但又有與ROM
- 關(guān)鍵字: FRAM MCU Ramtron 北天星 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 研討會(huì) 存儲(chǔ)器
06年硬盤銷量逆市上揚(yáng) 07年面臨更大挑戰(zhàn)
- 國外媒體報(bào)道,根據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli公布的數(shù)據(jù)顯示,2006年全球硬盤總出貨量達(dá)到4.342億塊,較2005年的3.758億塊增長了15.5%。希捷、西部數(shù)據(jù)、日立仍然占據(jù)前三。 2006年全球硬盤市場并不是一帆風(fēng)順,希捷并購邁拓曾引發(fā)市場激烈的價(jià)格戰(zhàn);諸多MP3廠商放棄微硬盤轉(zhuǎn)投閃存市場,導(dǎo)致了一英寸硬盤市場需求低迷;另外整個(gè)業(yè)界對(duì)混合硬盤的興趣越發(fā)濃厚,也大大影響了傳統(tǒng)硬盤市場??墒怯脖P制造商們也付出了艱苦的努力,成功克服價(jià)格戰(zhàn)、原材料供應(yīng)緊張以及競爭劇變等不利因素影響,在如此挑戰(zhàn)下仍
- 關(guān)鍵字: 更大挑戰(zhàn) 消費(fèi)電子 硬盤銷量 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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