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存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
Ramtron推出新型混合信號(hào)微控制器
- Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號(hào)微控制器，這是單芯片的解決方案，可用于工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)電子、儀表和汽車市場(chǎng)等各種不同的信號(hào)調(diào)節(jié)、數(shù)據(jù)采集、處理和控制應(yīng)用。Ramtron還同時(shí)提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)并以8051為基礎(chǔ)的插入式MCU，
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Ramtron推出高集成度混合信號(hào)微控制器
- Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號(hào)微控制器，這是單芯片的解決方案，可用于工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)電子、儀表和汽車市場(chǎng)等各種不同的信號(hào)調(diào)節(jié)、數(shù)據(jù)采集、處理和控制應(yīng)用。Ramtron還同時(shí)提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)并以8051為基礎(chǔ)的插入式MCU，帶有高達(dá)128KB ISP/IAP閃存，專為簡(jiǎn)化設(shè)備的轉(zhuǎn)移而設(shè)
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AMD7500萬(wàn)美元獲Rambus內(nèi)存專利授權(quán)
- 內(nèi)存技術(shù)公司Rambus近日宣布，美國(guó)芯片制造商AMD已經(jīng)和該公司簽署專利許可授權(quán)協(xié)議。AMD耗資7500美元獲得5年內(nèi)使用Rambus公司有關(guān)內(nèi)存和邏輯控制器設(shè)計(jì)的專利的授權(quán)?！ ?nbsp; 據(jù)悉，這次授權(quán)的專利有關(guān)如下技術(shù)：DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、FB-DIMM、PCI Express、XDR等控制器的設(shè)計(jì)，以及有關(guān)目前和未來(lái)的高速內(nèi)存和邏輯控制器接口技術(shù)?！ ?nbsp; 這項(xiàng)授權(quán)協(xié)議覆蓋了除內(nèi)存芯片以外的所有內(nèi)存相關(guān)技術(shù)。該協(xié)議還可以
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日立與瑞薩推出相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器原型
- 日立(Hitachi Ltd.)與瑞薩科技(Renesas Technology)日前發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程。與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個(gè)單元的功耗降低了50%。 據(jù)介紹，相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，
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邁威推出超小型手機(jī)存儲(chǔ)卡microSD卡
- 邁威國(guó)際自進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)以來(lái)不斷推出新產(chǎn)品，而且推出的產(chǎn)品性價(jià)比非常高。隨著照相手機(jī)、PDA手機(jī)的逐漸普及，數(shù)碼存儲(chǔ)卡也越來(lái)越輕、薄、短、小。 此次邁威在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)推出的128M microSD卡，就是一款主要應(yīng)用于手機(jī)的數(shù)碼閃存卡，隨卡邁威還附贈(zèng)了一塊適配器，加上適配器，此款microSD卡就可變成一款標(biāo)準(zhǔn)型的SD卡，可以廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、MP3播放機(jī)、PDA、手機(jī)，等等有SD卡插槽的數(shù)碼設(shè)備中。 MAKWAY microSD卡非常小巧，尺寸大小僅為11
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日立瑞薩開(kāi)發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元
- 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲(chǔ)器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個(gè)單元的功耗降低了50％。此外，相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
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英特爾與意法推出公用內(nèi)存子系統(tǒng)
- 協(xié)助手機(jī)制造商降低開(kāi)發(fā)成本 意法半導(dǎo)體與英特爾公司近期宣布推出一款公用閃存子系統(tǒng)。該系統(tǒng)旨在幫助降低手機(jī)原始設(shè)備制造商 (OEM) 的開(kāi)發(fā)成本，使他們能夠更快向市場(chǎng)推出功能豐富的手機(jī)產(chǎn)品。為了簡(jiǎn)化手機(jī)內(nèi)存設(shè)計(jì)，兩家公司將基于公用規(guī)范提供硬件和軟件兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。在此基礎(chǔ)之上，手機(jī)制造商將可以顯著縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，降低產(chǎn)品成本，同時(shí)還將能夠以較低成本，快速過(guò)渡到兩家公司開(kāi)發(fā)的下一代 NOR 閃存產(chǎn)品。 NOR 閃存是大眾主流手機(jī)市場(chǎng)首選的內(nèi)存技術(shù)。據(jù)業(yè)界調(diào)研
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韓國(guó)開(kāi)發(fā)變阻存儲(chǔ)器元件原創(chuàng)技術(shù)
- 韓國(guó)產(chǎn)業(yè)資源部近日宣布，韓國(guó)光州科學(xué)技術(shù)院教授黃賢尚領(lǐng)導(dǎo)的科研小組成功開(kāi)發(fā)出了變阻存儲(chǔ)器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ?。遥幔睿洌铮怼。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng)技術(shù)，這一技術(shù)足以克服新一代存儲(chǔ)器閃存芯片的缺陷。 據(jù)介紹，迄今為止，閃存芯片存在的最大缺陷是信息存儲(chǔ)和刷新的時(shí)間長(zhǎng)，存儲(chǔ)容量難以達(dá)到３２千兆位（Ｇｂ）以上。 專家介紹說(shuō)，黃賢尚科研小組開(kāi)發(fā)出的“單結(jié)晶鍶鈦氧化物（ＳｒＴｉ０３）”和使這種氧化物保持原有特性的表面
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英特爾意法公布存儲(chǔ)器子系統(tǒng)規(guī)范
- 意法半導(dǎo)體與英特爾公司近日公布了一個(gè)公用存儲(chǔ)器子系統(tǒng)規(guī)范，以幫助手機(jī)OEM制造商降低產(chǎn)品開(kāi)發(fā)成本，以最快的時(shí)間將功能豐富的產(chǎn)品投放市場(chǎng)。為了簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，兩家公司將提供基于公用標(biāo)準(zhǔn)的軟硬件兼容的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。因此，手機(jī)制造商的開(kāi)發(fā)時(shí)間將會(huì)縮短，制造成本應(yīng)將會(huì)降低，并能夠以低廉的成本快速過(guò)渡到兩家公司開(kāi)發(fā)的下一代NOR閃存產(chǎn)品。 NOR閃存是大眾主流手機(jī)市場(chǎng)首選的存儲(chǔ)器技術(shù)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli資料顯示，NOR閃存出貨占手機(jī)嵌入式閃存出貨的92.8%。今天，英特爾和ST提供的NOR閃
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英飛凌日立推出高性能硬盤驅(qū)動(dòng)器
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進(jìn)的硬盤驅(qū)動(dòng)器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)有限公司共同開(kāi)發(fā)，是適用于下一代硬盤驅(qū)動(dòng)器的高集成控制器芯片開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)里程碑。 “第一種采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品，以滿足硬盤驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求，”英飛凌管理董事會(huì)成員兼汽車與工業(yè)電子事業(yè)部負(fù)責(zé)人Peter Bauer指出，“我們對(duì)市場(chǎng)的承諾和立足點(diǎn)基于廣泛的專利組合（IP
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英飛凌日立開(kāi)發(fā)90納米硬盤驅(qū)動(dòng)器
- 英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進(jìn)的硬盤驅(qū)動(dòng)器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)有限公司共同開(kāi)發(fā)，是適用于下一代硬盤驅(qū)動(dòng)器的高集成控制器芯片開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)里程碑。 英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計(jì)解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說(shuō)：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核，使硬盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求
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英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO非板上釘釘
- 德國(guó)芯片廠商英飛凌總裁和首席執(zhí)行官日前在接受德國(guó)媒體采訪時(shí)表示，英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)分拆上市還不是板上釘釘?shù)氖虑?。由于還有一些問(wèn)題，公司并未作出正式?jīng)Q定。此外，英飛凌也還有別的選擇。 英飛凌首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前在接受德國(guó)報(bào)紙《Suddeutschen Zeitung》時(shí)表示，到目前為止，雖然還沒(méi)有決定，但將內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO似乎是最有吸引力的方案。 Ziebart說(shuō)，在內(nèi)存業(yè)務(wù)上和其他公司合作還是有可
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瑞薩開(kāi)始接受DDR SDRAM產(chǎn)品訂貨
- 高速存儲(chǔ)器有助于實(shí)現(xiàn)小型、高速和高性能的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)解決方案 瑞薩科技公司近日開(kāi)始接受封裝在SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）內(nèi)、集成了DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM）高速存儲(chǔ)器芯片的產(chǎn)品訂貨。該產(chǎn)品是在一個(gè)單封裝中整合了瑞薩科技的高性能微處理器和邏輯LSI芯片的多存儲(chǔ)器器件。 <產(chǎn)品背景> 隨著包括圖形設(shè)備、車載信息系統(tǒng)和數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品等各個(gè)領(lǐng)域的快速發(fā)展和功能日益強(qiáng)大，減小芯片尺寸成為了一個(gè)迫切的要求。對(duì)這種需求的一種反應(yīng)就是迅速增加SiP產(chǎn)品的應(yīng)用，因?yàn)樗梢詫⑷舾晌⑻幚砥?/li>
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲(chǔ)器電路
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