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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

          英飛凌DRAM分拆上市專注邏輯業(yè)務(wù)

          •     英飛凌證實,它將在2006年7月以前把存儲業(yè)務(wù)分拆出來(spin out),然后把這項業(yè)務(wù)上市(IPO)。該公司將把重點(diǎn)放在邏輯部門,繼續(xù)面向汽車、工業(yè)電子和通訊領(lǐng)域。英飛凌把這些舉措稱為“戰(zhàn)略調(diào)整(strategic realignment)”,稱計劃把這兩個部門拆開,是因為它們“發(fā)展方向不同”。      “采取這項措施有兩個主要原因。一是內(nèi)存和邏輯產(chǎn)品的工藝與商業(yè)模式沿著不同的方向發(fā)展。二是我們可以改善這兩個部門的增長情況
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          三星簽約高通供應(yīng)非存儲類芯片

          •     三星電子公司近日宣布,根據(jù)雙方達(dá)成的一項合作協(xié)議,該公司將向美國無線技術(shù)開發(fā)兼手機(jī)制造商高通公司提供定制的非存儲芯片。    三星公司是應(yīng)用于個人電腦的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取記憶體)芯片及應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)和音樂播放器的NAND閃存的領(lǐng)先生產(chǎn)廠商。該公司希望擴(kuò)大在非存儲芯片市場上所占的份額。    位于美國圣地亞哥的高通公司是CDMA(碼分多址)技術(shù)的無線技術(shù)的先驅(qū),它希望擴(kuò)大它的芯片供應(yīng)來源。    “我們和三星簽署的代工協(xié)議將為
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          英飛凌成立子公司獨(dú)立內(nèi)存部門

          •     德國Infineon Technologies AG當(dāng)?shù)貢r間17日,召開了公司的董事會,會后公司承認(rèn)了事業(yè)的重組計劃。    根據(jù)新的重組計劃,公司決定將邏輯核心制造部門與內(nèi)存芯片制造部門分開。按照要求記憶體制造部門將在2006年7月1日前作為一個獨(dú)立的法人個體與公司分開,成立為單獨(dú)的子公司。    公司表示,分離的理由是因為兩部門在商業(yè)處理和收益構(gòu)造方面有著不同的方向,分離后不論是增長力還是公司收益都會提高。目前有關(guān)
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          能平衡串聯(lián)電容電荷的存儲器終結(jié)IC

          LSI推出Engenio存儲解決方案

          • Engenio 6498控制器與Engenio 6498存儲系統(tǒng) 以Engenio InfiniBand存儲系統(tǒng)領(lǐng)先存儲領(lǐng)域 ?新的本地InfiniBand存儲解決方案為高性能運(yùn)算環(huán)境帶來益處 LSI邏輯近日宣布推出Engenio存儲解決方案家族的最新成員:Engenio 6498控制器與Engenio 6498存儲系統(tǒng)。這些解決方案集成了本地InfiniBand和第六代Engenio XBB ?架構(gòu),高性能的光纖通道或者大容量SATA
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          NEC與美商聯(lián)手進(jìn)入硬盤芯片市場

          •     NEC 電子與Link A Media Devices公司建立伙伴關(guān)系,為下一代垂直記錄硬盤開發(fā)系統(tǒng)芯片(SoC)。第一款產(chǎn)品將于明年夏天上市。NEC表示,已向美國加州Link A Media投資800萬美元,成為持股16.7%的股東。這將使NEC重新進(jìn)入硬盤芯片市場。    雙方表示,他們將把Link A Media公司的讀取信道(read channel)、錯誤校驗
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          杰爾系統(tǒng)在華設(shè)立存儲研發(fā)中心

          • 全力推進(jìn)硬盤驅(qū)動半導(dǎo)體設(shè)計 杰爾系統(tǒng)(紐約股市:AGR)近日宣布在中國上海正式成立存儲研發(fā)設(shè)計中心。該中心的成立旨在加強(qiáng)杰爾系統(tǒng)在亞洲的半導(dǎo)體研發(fā)和設(shè)計能力,同時也為拓展和加強(qiáng)與本地客戶的合作關(guān)系提供支持。 Harley Burger先生將出任上海存儲研發(fā)設(shè)計中心的總監(jiān)職務(wù),整個研發(fā)團(tuán)隊將在Harley Burger先生的帶領(lǐng)下致力于硬盤驅(qū)動器芯片和固件的研發(fā)工作。目前,硬盤驅(qū)動產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于臺式電腦、筆記本電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及企業(yè)網(wǎng)絡(luò)。 杰爾系統(tǒng)大中國區(qū)副總裁John 
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          端接DDR DRAM的電源電路

          •     DDR(雙數(shù)據(jù)速率)DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓(VREF=VDD/2)。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時,必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5~28V下工作。
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          緊湊型ASSP成就硬盤MP3播放機(jī)的電源設(shè)計

          • MP3 播放機(jī)的產(chǎn)量已接近3,000 萬部,其中50%是硬盤(HDD)MP3 播放機(jī)。MP3 播放機(jī)的電源供應(yīng)通常來自于AC 適配器、USB 線纜或鋰離子電池。然而,管理這些不同電源之間的電源通路控制是一個關(guān)鍵的技術(shù)難題。 硬盤MP3 播放機(jī)市場快速成長的主要動力,來自于蘋果iPod 與iPod 迷你型硬盤MP3 的巨大成功,這兩款產(chǎn)品在4~40GB 的存儲范圍內(nèi)均具有多種硬盤選擇。這些MP3 用微型硬盤的盤片直徑大多不足2 英寸。例如,東芝的硬盤在直徑僅為1.8 英寸的單一盤片上具有30GB 的容量;
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          杰爾系統(tǒng)在華設(shè)立存儲研發(fā)中心

          • 全力推進(jìn)硬盤驅(qū)動半導(dǎo)體設(shè)計 杰爾系統(tǒng)近日宣布在中國上海正式成立存儲研發(fā)設(shè)計中心。該中心的成立旨在加強(qiáng)杰爾系統(tǒng)在亞洲的半導(dǎo)體研發(fā)和設(shè)計能力,同時也為拓展和加強(qiáng)與本地客戶的合作關(guān)系提供支持。 Harley Burger先生將出任上海存儲研發(fā)設(shè)計中心的總監(jiān)職務(wù),整個研發(fā)團(tuán)隊將在Harley Burger先生的帶領(lǐng)下致力于硬盤驅(qū)動器芯片和固件的研發(fā)工作。目前,硬盤驅(qū)動產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于臺式電腦、筆記本電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及企業(yè)網(wǎng)絡(luò)。 杰爾系統(tǒng)大中國區(qū)副總裁John Cummins先生
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          英特爾帶來簡化存儲之道

          • 英特爾公司宣布推出一款全新存儲平臺,以便使中小型企業(yè)能夠更加輕松、經(jīng)濟(jì)地部署存儲解決方案,進(jìn)而確保實現(xiàn)即時災(zāi)難恢復(fù)并提高備份能力。 由于大量采用數(shù)字化信息,包括營業(yè)報告、員工記錄、照片和視頻等,當(dāng)前企業(yè)疲于應(yīng)對數(shù)量不斷增長的數(shù)據(jù)。與此同時,政府管制要求的增加、以及公司業(yè)務(wù)連續(xù)性和災(zāi)難恢復(fù)計劃的不斷發(fā)展,均促使對存儲的需求日益提高。 英特爾存儲事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Hans Geyer表示:“分析家指出,數(shù)據(jù)量每18個月就會增加一倍**,對此企業(yè)已是精疲力竭。但當(dāng)前的存儲解決方案對于普通企業(yè)而言,往
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          三星改進(jìn)DRAM芯片明年應(yīng)用于生產(chǎn)

          •   全球最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星電子宣布,已經(jīng)成功采用70納米生產(chǎn)工藝制造出第一塊DRAM芯片。一旦這種生產(chǎn)工藝廣泛應(yīng)用于該公司的生產(chǎn)線,從同一硅片上生產(chǎn)的芯片數(shù)量將會翻倍。    芯片上的晶體管越多,它們之間的距離就越近,芯片性能也將得到提升。對于三星、美光和英飛凌等廠商,開發(fā)新技術(shù)對于削減成本以及增加銷量是至關(guān)重要的。    DRAM芯片在線票據(jù)交換所宣稱,應(yīng)用最廣泛的DRAM芯片的價格今年下跌了1/3,目前每塊的價格僅為2.53美元。由于生產(chǎn)商大量的需求,現(xiàn)貨市場上的DRAM如同
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          Silicon推出內(nèi)存容量更大的微控制器

          • Silicon Laboratories宣布推出閃存容量加倍的新型微控制器C8051F316和C8051F317,使其領(lǐng)先業(yè)界的小型混合訊號微控制器產(chǎn)品線更為強(qiáng)大。新組件是業(yè)界體積最小的高整合度微控制器,內(nèi)含16 kB閃存并采用4 
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          三星內(nèi)存超微處理器成消費(fèi)電子中堅

          •     三星電子集團(tuán)執(zhí)行官表示,內(nèi)存芯片已經(jīng)超過微處理器成為了推動消費(fèi)電子業(yè)增長的關(guān)鍵技術(shù)。      三星電子集團(tuán)技術(shù)市場部高級副總裁Jon Kang于當(dāng)?shù)貢r間本周四De nali MemCon大會上說:“我們已不再生活在以微處理器為核心的消費(fèi)電子業(yè)的時代。內(nèi)存芯片才是移動消費(fèi)產(chǎn)品革命的關(guān)鍵一點(diǎn)。”          Kang表示,存儲密度(特別
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          三星新開發(fā)出70nm DDR2 SDRam芯片

          •   韓國電子巨頭三星電子公司日前宣稱,他們開發(fā)研制出了全球第一款使用70nm工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2   SDRam存儲芯片,這也是目前存儲芯片制造領(lǐng)域內(nèi)的最精細(xì)的微處理技術(shù)。   三星電子稱,采用70nm工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2 SDRam存儲芯片,是當(dāng)前80nm 和 90nm處理工藝的延續(xù)。但目前采用70nm處理工藝的每個晶圓上的芯片數(shù)量至少要比采用90nm工藝所包含的芯片數(shù)量多出一倍。新的生產(chǎn)工藝采用了三星的金屬絕緣層金屬(Metal-Insulator-Metal,MIM)技術(shù)以及被稱
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          存儲器介紹

          什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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