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工藝文章進(jìn)入工藝技術(shù)社區(qū)

傳感器制造工藝分類

集成傳感器薄膜傳感器厚膜傳感器陶瓷傳感器集成傳感器是用標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)硅基半導(dǎo)體集成電路的工藝技術(shù)制造的。通常還將用于初步處理被測(cè)信號(hào)的部分電路也集成在同一芯片上。薄膜傳感器則是通過(guò)沉積在介質(zhì)襯底(基板)上的
關(guān)鍵字：分類工藝制造傳感器

PCB敷銅工藝優(yōu)劣分析

敷銅作為PCB設(shè)計(jì)的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，不管是國(guó)產(chǎn)的青越鋒PCB設(shè)計(jì)軟件，還國(guó)外的一些Protel,PowerPCB都提供了智能敷銅功能，那么怎樣才能敷好銅，我將自己一些想法與大家一起分享，希望能給同行帶來(lái)益處。所謂覆銅，就是將
關(guān)鍵字： PCB 敷銅分析工藝

PCB表面處理工藝的特點(diǎn)介紹

一. 引言
隨著人類對(duì)于居住環(huán)境要求的不斷提高，目前PCB生產(chǎn)過(guò)程中涉及到的環(huán)境問(wèn)題顯得尤為突出。目前有關(guān)鉛和溴的話題是最熱門的；無(wú)鉛化和無(wú)鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。雖然目前來(lái)看，PCB的表面處理工
關(guān)鍵字： PCB 表面處理工藝

面對(duì)ARM 先進(jìn)工藝成為Intel的頭號(hào)利器

　　美林證券分析師VivekArya近日指出：“下一代芯片制造已經(jīng)成為Intel、臺(tái)積電、三星之間的三雄爭(zhēng)霸，在我們看來(lái)Intel握有一到四年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。2012年上半年我們也看到了，代工廠普遍無(wú)法鋪開(kāi)28nm的產(chǎn)能，導(dǎo)致很多產(chǎn)品推遲。不斷提高的成本和復(fù)雜度會(huì)進(jìn)一步拉大這種差距。我們認(rèn)為，Int
關(guān)鍵字： ARM 工藝

華潤(rùn)上華于上海舉辦首場(chǎng)BCD系列工藝技術(shù)論壇

華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)旗下華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”)于上海舉辦技術(shù)論壇，主題為“BCD系列工藝技術(shù)為綠色節(jié)能IC產(chǎn)品增值”。本次論壇由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)協(xié)辦，是該協(xié)會(huì)首次與企業(yè)合作舉辦論壇，也是華潤(rùn)上華舉辦的第一場(chǎng)針對(duì)某個(gè)工藝的小型專題技術(shù)論壇。論壇吸引了共計(jì)100余位來(lái)自模擬IC設(shè)計(jì)公司的聽(tīng)眾。
關(guān)鍵字：華潤(rùn)上華 IC設(shè)計(jì) 工藝 BCD

傳感器制造工藝的分類和介紹

傳感器的發(fā)展和傳感器制造的工藝有著密切的聯(lián)系，在近現(xiàn)代的科技發(fā)展中，制造工藝的進(jìn)步也促進(jìn)了傳感器制造業(yè)的進(jìn)步。傳感器在近現(xiàn)代主要的制造工藝有四種，分別是集成傳感器、薄膜傳感器、厚膜傳感器和陶瓷傳感器。
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波導(dǎo)SOl刻蝕工藝特點(diǎn)

刻蝕即通過(guò)物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法，分別為干法刻蝕和濕法刻蝕，它們各有優(yōu)缺點(diǎn)。但對(duì)于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來(lái)說(shuō)，干法刻蝕居主導(dǎo)地位。對(duì)于SOl波導(dǎo)
關(guān)鍵字：特點(diǎn) 工藝 SOl 波導(dǎo)

波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點(diǎn)

對(duì)于SOl波導(dǎo)來(lái)說(shuō)，CVD技術(shù)一般用來(lái)淀積其上包層，通常為二氧化硅或氮化硅。對(duì)于調(diào)制器等有源器件來(lái)說(shuō)，這一層還起著隔離金屬電極減小電極對(duì)波導(dǎo)造成損耗的作用，所以厚度一定要選擇合適，不能太薄，如果薄了就不能起
關(guān)鍵字：工藝特點(diǎn) 沉積氣相 SOl 化學(xué) 波導(dǎo)

硅襯底LED芯片制造工藝分析

目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)
關(guān)鍵字：分析工藝制造芯片 LED

解析變壓器繞制工藝

標(biāo)簽：變壓器變壓器 bian ya qi利用電磁感應(yīng)的原理來(lái)改變交流電壓的裝置，主要構(gòu)件是初級(jí)線圈、次級(jí)線圈和鐵心(磁芯)。在電器設(shè)備和無(wú)線電路中，常用作升降電壓、匹配阻抗，安全隔離等。變壓器的最基本型式，包括兩組
關(guān)鍵字：工藝變壓器解析

40V高壓液晶顯示驅(qū)動(dòng)芯片工藝的開(kāi)發(fā)

隨著液晶面板的興起以及越來(lái)越大的尺寸，高壓LCD驅(qū)動(dòng)日漸受到市場(chǎng)的關(guān)注，但高電壓(40V以上)工藝在中國(guó)基本還處于空白。本文著重介紹40V高壓工藝平臺(tái)所面臨的主要問(wèn)題和關(guān)鍵工藝：銻注入，外延生長(zhǎng)之后的光刻對(duì)準(zhǔn)和非
關(guān)鍵字：工藝開(kāi)發(fā) 芯片驅(qū)動(dòng) 高壓液晶顯示 40V

基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計(jì)

本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸齒波
關(guān)鍵字： CMOS 1.0 工藝鋸齒波

基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

1　概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
關(guān)鍵字： CMOS 5510 TLC 工藝

基于實(shí)例的智能工藝設(shè)計(jì)系統(tǒng)介紹

1 引言　　作為連接設(shè)計(jì)和制造的橋梁和紐帶，CAPP不僅是制造企業(yè)準(zhǔn)備工作的首要步驟，而且是企業(yè)各部門信急交匯的重要環(huán)節(jié)。由于CAPP在CIMS中的地位和作用，工藝規(guī)劃的自動(dòng)生成(也即智能工藝設(shè)計(jì))被視為生產(chǎn)自動(dòng)化中
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 介紹設(shè)計(jì) 工藝實(shí)例智能基于

采用CSMC工藝的零延時(shí)緩沖器的PLL設(shè)計(jì)

1 引言　　本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，設(shè)計(jì)了一款用于多路輸出時(shí)鐘緩沖器中的鎖相環(huán)，其主要結(jié)構(gòu)包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預(yù) 分頻結(jié)構(gòu)減小時(shí)
關(guān)鍵字： CSMC PLL 工藝零延時(shí)

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工藝介紹

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工藝電路

一種簡(jiǎn)易去除PCBA板工藝邊工裝的設(shè)計(jì)原理
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CMOS工藝單片集成光電接收器
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