- 變壓器繞組繞在磁芯骨架上,特別是饒組的層數(shù)較多時(shí),不可避免的會(huì)產(chǎn)生分布電容,由于變壓器工作在高頻狀態(tài)下,那么這些分布電容對(duì)變壓器的工作狀態(tài)將產(chǎn)生非常大的影響,如引起波形產(chǎn)生振蕩,EMC變差,變壓器發(fā)熱等。
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變壓器 電容 工藝 分布
- 隨著半導(dǎo)體工藝開發(fā)和制造成本的快速上升和復(fù)雜程度不斷加深,半導(dǎo)體制造商如今面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。為了滿足成本更低和功能更多的產(chǎn)品需求,半導(dǎo)體工藝的更新?lián)Q代取決于不同器件類型的升級(jí)和集成——核
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TCAD 計(jì)算機(jī)輔助 工藝 設(shè)計(jì)技術(shù)
- 賈凡尼現(xiàn)象或賈凡尼效應(yīng)是指兩種金屬由于存在電位差,通過介質(zhì)產(chǎn)生了電流,繼而產(chǎn)生了電化學(xué)反應(yīng),致使電位高的陽極被氧化的現(xiàn)象.本文中我們將各方面探討分析PCB化學(xué)鍍銀工藝中賈凡尼現(xiàn)象存在的原因和處理方法。
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PCB 化學(xué)鍍銀 工藝 分析
- 敷銅作為PCB設(shè)計(jì)的一個(gè)重要環(huán)節(jié),不管是國產(chǎn)的青越鋒PCB設(shè)計(jì)軟件,還國外的一些Protel,PowerPCB都提供了智能敷銅功能,那么怎樣才能敷好銅,我將自己一些想法與大家一起分享,希望能給同行帶來益處。 所謂覆銅
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PCB 敷銅 工藝
- 一. 引言
隨著人類對(duì)于居住環(huán)境要求的不斷提高,目前PCB生產(chǎn)過程中涉及到的環(huán)境問題顯得尤為突出。目前有關(guān)鉛和溴的話題是最熱門的;無鉛化和無鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。雖然目前來看,PCB的表面處理工
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PCB 表面處理 工藝
- 本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術(shù),設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬,結(jié)果表明,鋸
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CMOS 工藝 鋸齒波 振蕩電路
- 1 引言 本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),設(shè)計(jì)了一款用于多路輸出時(shí)鐘緩沖器中的鎖相環(huán),其主 要結(jié)構(gòu)包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預(yù) 分頻結(jié)構(gòu)減小
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CSMC PLL 工藝 零延時(shí)
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置
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保密性 問題 FPGA 工藝 SRAM 基于
- 利用PLC系統(tǒng)控制閃光對(duì)焊工藝過程的設(shè)計(jì),閃光對(duì)焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù),具有無需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點(diǎn)。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,焊接的零件截面越來越大,遇到了一些技術(shù)問題,如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
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工藝 過程 設(shè)計(jì) 閃光 控制 PLC 系統(tǒng) 利用
- 工業(yè)以太網(wǎng)是一個(gè)基于以太網(wǎng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行實(shí)現(xiàn)所有控制、調(diào)節(jié)儀器設(shè)備自動(dòng)化技術(shù)的高層次概念。因?yàn)橐话闱闆r下企業(yè)已擁有把辦公計(jì)算機(jī)連接成為一個(gè)網(wǎng)絡(luò)的LAN以太網(wǎng)了,而這種網(wǎng)絡(luò)有可能與工業(yè)以太網(wǎng)聯(lián)網(wǎng),并且仍然使用
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設(shè)計(jì) 方案 聯(lián)網(wǎng) 垂直 工藝 設(shè)備 流程
- 實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件引言
Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標(biāo)志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
40-nm ASIC 無風(fēng)險(xiǎn)移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規(guī)劃和
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40 nm 工藝 定制
- SMT小型電子產(chǎn)品的安裝是高等職業(yè)學(xué)校應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)中《電子產(chǎn)品工藝實(shí)訓(xùn)》課程的一個(gè)重要項(xiàng)目。結(jié)合《電子產(chǎn)品工藝》這門課程的特點(diǎn),我們?cè)陔娮訉?shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)采用了項(xiàng)目教學(xué)模式,即師生雙方共同在實(shí)訓(xùn)室參與項(xiàng)目教學(xué)
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環(huán)節(jié) 應(yīng)用 工藝 電子 教學(xué) 項(xiàng)目
- 基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言
對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用,F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過不同的配置選擇,嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口,雙端口
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RAM 重構(gòu) 模塊 設(shè)計(jì) 方法 FPGA 平臺(tái) 0.13 微米 CMOS 工藝
- 0 引言
運(yùn)算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分,如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類設(shè)計(jì)中,速度和精度是兩個(gè)重要因素,而這兩方面的因素都是由運(yùn)放的各種性能來決定的。
本文設(shè)計(jì)的帶共模反饋的兩級(jí)高增益運(yùn)
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CMOS 工藝 放大器 全差分
- 針對(duì)DC-DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能,提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計(jì)的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下,實(shí)現(xiàn)了閾值點(diǎn)電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個(gè)電路采用CSMC0.5 μm BCD工藝設(shè)計(jì),使用HSpice軟件仿真,結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點(diǎn)。
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電路設(shè)計(jì) 工藝 BCD 基于
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