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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 工藝

          變壓器繞制工藝之變壓器分布電容

          • 變壓器繞組繞在磁芯骨架上,特別是饒組的層數(shù)較多時(shí),不可避免的會(huì)產(chǎn)生分布電容,由于變壓器工作在高頻狀態(tài)下,那么這些分布電容對(duì)變壓器的工作狀態(tài)將產(chǎn)生非常大的影響,如引起波形產(chǎn)生振蕩,EMC變差,變壓器發(fā)熱等。
          • 關(guān)鍵字: 變壓器  電容  工藝  分布  

          基于計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(TCAD)的工藝開發(fā)

          • 隨著半導(dǎo)體工藝開發(fā)和制造成本的快速上升和復(fù)雜程度不斷加深,半導(dǎo)體制造商如今面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。為了滿足成本更低和功能更多的產(chǎn)品需求,半導(dǎo)體工藝的更新?lián)Q代取決于不同器件類型的升級(jí)和集成——核
          • 關(guān)鍵字: TCAD  計(jì)算機(jī)輔助  工藝  設(shè)計(jì)技術(shù)    

          賈凡尼現(xiàn)象在PCB化學(xué)鍍銀工藝中的原因分析與解決

          • 賈凡尼現(xiàn)象或賈凡尼效應(yīng)是指兩種金屬由于存在電位差,通過介質(zhì)產(chǎn)生了電流,繼而產(chǎn)生了電化學(xué)反應(yīng),致使電位高的陽極被氧化的現(xiàn)象.本文中我們將各方面探討分析PCB化學(xué)鍍銀工藝中賈凡尼現(xiàn)象存在的原因和處理方法。
             
          • 關(guān)鍵字: PCB  化學(xué)鍍銀  工藝  分析    

          PCB敷銅工藝優(yōu)劣淺析

          • 敷銅作為PCB設(shè)計(jì)的一個(gè)重要環(huán)節(jié),不管是國產(chǎn)的青越鋒PCB設(shè)計(jì)軟件,還國外的一些Protel,PowerPCB都提供了智能敷銅功能,那么怎樣才能敷好銅,我將自己一些想法與大家一起分享,希望能給同行帶來益處。 所謂覆銅
          • 關(guān)鍵字: PCB  敷銅  工藝    

          PCB表面處理工藝特點(diǎn)及用途

          • 一. 引言
            隨著人類對(duì)于居住環(huán)境要求的不斷提高,目前PCB生產(chǎn)過程中涉及到的環(huán)境問題顯得尤為突出。目前有關(guān)鉛和溴的話題是最熱門的;無鉛化和無鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。雖然目前來看,PCB的表面處理工
          • 關(guān)鍵字: PCB  表面處理  工藝    

          基于CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路的設(shè)計(jì)

          •   本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術(shù),設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬,結(jié)果表明,鋸
          • 關(guān)鍵字: CMOS  工藝  鋸齒波  振蕩電路    

          基于CSMC工藝的零延時(shí)緩沖器的PLL設(shè)計(jì)

          •  1 引言  本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),設(shè)計(jì)了一款用于多路輸出時(shí)鐘緩沖器中的鎖相環(huán),其主 要結(jié)構(gòu)包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預(yù) 分頻結(jié)構(gòu)減小
          • 關(guān)鍵字: CSMC  PLL  工藝  零延時(shí)    

          基于SRAM工藝FPGA的保密性問題

          • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置
          • 關(guān)鍵字: 保密性  問題  FPGA  工藝  SRAM  基于  

          利用PLC系統(tǒng)控制閃光對(duì)焊工藝過程的設(shè)計(jì)

          • 利用PLC系統(tǒng)控制閃光對(duì)焊工藝過程的設(shè)計(jì),閃光對(duì)焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù),具有無需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點(diǎn)。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,焊接的零件截面越來越大,遇到了一些技術(shù)問題,如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
          • 關(guān)鍵字: 工藝  過程  設(shè)計(jì)  閃光  控制  PLC  系統(tǒng)  利用  

          流程工藝設(shè)備垂直聯(lián)網(wǎng)的設(shè)計(jì)方案

          • 工業(yè)以太網(wǎng)是一個(gè)基于以太網(wǎng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行實(shí)現(xiàn)所有控制、調(diào)節(jié)儀器設(shè)備自動(dòng)化技術(shù)的高層次概念。因?yàn)橐话闱闆r下企業(yè)已擁有把辦公計(jì)算機(jī)連接成為一個(gè)網(wǎng)絡(luò)的LAN以太網(wǎng)了,而這種網(wǎng)絡(luò)有可能與工業(yè)以太網(wǎng)聯(lián)網(wǎng),并且仍然使用
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  方案  聯(lián)網(wǎng)  垂直  工藝  設(shè)備  流程  

          在40-nm 工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件

          • 實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件引言
            Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標(biāo)志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
            40-nm ASIC 無風(fēng)險(xiǎn)移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規(guī)劃和
          • 關(guān)鍵字: 40  nm  工藝  定制    

          淺談項(xiàng)目教學(xué)在電子工藝實(shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)中的應(yīng)用

          •  SMT小型電子產(chǎn)品的安裝是高等職業(yè)學(xué)校應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)中《電子產(chǎn)品工藝實(shí)訓(xùn)》課程的一個(gè)重要項(xiàng)目。結(jié)合《電子產(chǎn)品工藝》這門課程的特點(diǎn),我們?cè)陔娮訉?shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)采用了項(xiàng)目教學(xué)模式,即師生雙方共同在實(shí)訓(xùn)室參與項(xiàng)目教學(xué)
          • 關(guān)鍵字: 環(huán)節(jié)  應(yīng)用  工藝  電子  教學(xué)  項(xiàng)目  

          基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

          • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

            對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用,F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過不同的配置選擇,嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口,雙端口
          • 關(guān)鍵字: RAM  重構(gòu)  模塊  設(shè)計(jì)  方法  FPGA  平臺(tái)  0.13  微米  CMOS  工藝  

          0.6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算 放大器的設(shè)計(jì)

          • 0 引言
            運(yùn)算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分,如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類設(shè)計(jì)中,速度和精度是兩個(gè)重要因素,而這兩方面的因素都是由運(yùn)放的各種性能來決定的。
            本文設(shè)計(jì)的帶共模反饋的兩級(jí)高增益運(yùn)
          • 關(guān)鍵字: CMOS  工藝  放大器  全差分    

          基于0.5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計(jì)

          • 針對(duì)DC-DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能,提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計(jì)的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下,實(shí)現(xiàn)了閾值點(diǎn)電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個(gè)電路采用CSMC0.5 μm BCD工藝設(shè)計(jì),使用HSpice軟件仿真,結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì)  工藝  BCD  基于  
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          工藝介紹

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