意法半導(dǎo)體（st）文章進(jìn)入意法半導(dǎo)體（st）技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體推出高精度中壓運(yùn)放,提高工業(yè)和汽車傳感器信號(hào)調(diào)理準(zhǔn)確度

意法半導(dǎo)體的 TSB182雙運(yùn)算放大器為傳感器帶來高準(zhǔn)確度信號(hào)調(diào)理功能，主要產(chǎn)品亮點(diǎn)包括最大 20μV 輸入失調(diào)電壓、100nV/°C 溫漂和4V-36V的中壓工作電壓。除了高準(zhǔn)確度、穩(wěn)定性和寬電源電壓范圍外，TSB182 的額定工作溫度是在 -40°C 至 125°C之間。在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)，運(yùn)放的最大失調(diào)電壓為30μV，確保傳感器性能在工業(yè)和汽車環(huán)境中保持穩(wěn)定一致。封裝包括MiniSO-8封裝，可幫助設(shè)計(jì)人員節(jié)省電路板空間，設(shè)計(jì)尺寸更小的模塊。改系列還提供符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)器件。TS
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體中壓運(yùn)放傳感器信號(hào)調(diào)理

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況

ST（意法半導(dǎo)體）關(guān)注電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強(qiáng)型HEMT 開關(guān)管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
關(guān)鍵字： 202310 意法半導(dǎo)體 SiC GaN

意法半導(dǎo)體車規(guī)電源管理IC集成CAN FD和LIN收發(fā)器

意法半導(dǎo)體的SPSB081車規(guī)電源管理IC?的功能非常豐富，堪稱車規(guī)電源管理芯片中的瑞士軍刀，片上集成一個(gè)固定電壓的主低壓差穩(wěn)壓器?(LDO)、一個(gè)可配置的輔助?LDO穩(wěn)壓器、四個(gè)高邊驅(qū)動(dòng)器、一個(gè)?CAN FD?收發(fā)器和一個(gè)選配LIN?收發(fā)器。該系列電源管理芯片有多個(gè)靜態(tài)電流很小的待機(jī)模式和可配置的本地或遠(yuǎn)程喚醒功能，有助于最大限度地降低系統(tǒng)功耗。片上集成的電源和收發(fā)器有助于簡(jiǎn)化車身控制器設(shè)計(jì)，適用于天窗、座椅、尾門、車門和照明模塊。這些控制器的
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體電源管理IC CAN FD LIN收發(fā)器

基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案

過往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導(dǎo)致裝置汰換時(shí)將造成許多浪費(fèi)。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過此接口傳輸數(shù)據(jù)，進(jìn)而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長(zhǎng)的時(shí)間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體 GAN 第三代半導(dǎo)體 Power and energy PD 協(xié)議快充

意法半導(dǎo)體發(fā)布安全軟件，保護(hù)STM32邊緣AI設(shè)備連接AWS IoT Core的安全

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)日前在STM32Cube開發(fā)工具包內(nèi)新增一款軟件，以簡(jiǎn)化高性能物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備與AWS云的連接。新開發(fā)者軟件為STM32H5設(shè)計(jì)，利用ST的Secure Manager安全軟件，簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與AWS平臺(tái)的安全連接服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)日前在STM32Cube
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 AWS STM32

意法半導(dǎo)體發(fā)布安全軟件,保護(hù)STM32邊緣AI設(shè)備連接AWS IoT Core的安全

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)日前在STM32Cube開發(fā)工具包內(nèi)新增一款軟件，以簡(jiǎn)化高性能物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備與AWS云的連接。意法半導(dǎo)體發(fā)布了X-CUBE-AWS-H5擴(kuò)展包，讓物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備能夠無縫、安全地接入AWS云。在這個(gè)軟件擴(kuò)展包中有一套為專門終端設(shè)備STM32H5系列高性能微控制器設(shè)計(jì)的軟件庫(kù)和應(yīng)用代碼示例。該解決方案基于FreeRTOS開源實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)和意法半導(dǎo)體的Secure Manager嵌入式安全軟件，可以與最近
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體安全軟件 STM32 邊緣AI設(shè)備 AWS IoT Core

意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023:聚焦智能電源與智能數(shù)字化,構(gòu)建綠色低碳未來

2023年9月28日，代表智能工業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)的意法半導(dǎo)體第五屆工業(yè)峰會(huì)在深圳福田香格里拉大酒店隆重揭幕。當(dāng)今世界正面臨嚴(yán)峻的氣候挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體始終不渝地踐行可持續(xù)發(fā)展承諾，通過打造先進(jìn)的優(yōu)化智能（數(shù)字化）、能源及電源轉(zhuǎn)換解決方案，積極提高應(yīng)用能效，開辟一條通向綠色低碳和可持續(xù)未來的道路。工業(yè)峰會(huì)是意法半導(dǎo)體展示工業(yè)技術(shù)產(chǎn)品和解決方案的頂級(jí)行業(yè)盛會(huì)。今年峰會(huì)的主題是“激發(fā)智能，持續(xù)創(chuàng)新”。意法半導(dǎo)體通過前瞻主題演講和約30場(chǎng)技術(shù)研討會(huì)，讓觀眾了解到意法半導(dǎo)體如何專注于智能電源與智能數(shù)字化應(yīng)用。同時(shí)，意法半
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì) 智能電源智能數(shù)字化

意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)公告

意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)主席Nicolas Dufourcq和副主席Maurizio Tamagnini提議意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery連任現(xiàn)任職務(wù)。Chery先生已經(jīng)接受了連任提議。因此，監(jiān)事會(huì)決定在2024年公司股東大會(huì)上提請(qǐng)股東批準(zhǔn)Jean-Marc Chery再任三年公司管理委員會(huì)唯一成員、公司總裁兼首席執(zhí)行官的任命。該決定肯定了在Chery先生的領(lǐng)導(dǎo)下，保持意法半導(dǎo)體的發(fā)展戰(zhàn)略、執(zhí)行力和價(jià)值主張的連續(xù)性有重要意義。
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體微控制器STM32H5探索套件加快安全、智能、互聯(lián)設(shè)備開發(fā)

意法半導(dǎo)體發(fā)布了一款功能豐富的STM32H5微控制器(MCU)開發(fā)板。STM32H5微控制器是開發(fā)高性能數(shù)據(jù)處理和高級(jí)安全應(yīng)用的理想選擇，適合開發(fā)各種應(yīng)用，例如，智能傳感器、智能家電、工業(yè)控制器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、個(gè)人電子產(chǎn)品和醫(yī)療設(shè)備。STM32H573I-DK探索套件讓開發(fā)人員能夠探索STM32H5集成的全部功能，例如，模擬外設(shè)、定時(shí)器、ST ART(自適應(yīng)實(shí)時(shí))加速器?、媒體接口和數(shù)學(xué)加速器，方便開發(fā)者評(píng)估工業(yè)可編程邏輯控制器(PLC)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及空調(diào)、冰箱和洗衣機(jī)等家電的智能控制器的新設(shè)計(jì)，其他潛在
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體微控制器 STM32H5

意法半導(dǎo)體無線微控制器加強(qiáng)Sindcon智能表計(jì)的能效和可持續(xù)化

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)日前宣布與新加坡智能表計(jì)廠商 Sindcon(新加坡)物聯(lián)網(wǎng)科技私人有限公司合作，用意法半導(dǎo)體的 STM32WLE5 LoRaWAN? 無線微控制器改造升級(jí)Sindcon的智能表計(jì)，部署到 Sindcon 在印度尼西亞雅加達(dá)的由五萬多塊水表、燃?xì)獗砗碗姳斫M成的能源網(wǎng)絡(luò)。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)(除中國(guó)外)市場(chǎng)總監(jiān) Paolo Oteri 表示：“STM32WLE5 微控制器 (MCU) 采用長(zhǎng)距離低功耗無線通
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體無線微控制器 Sindcon 智能表計(jì) MCU

意法半導(dǎo)體低溫漂、高準(zhǔn)確度運(yùn)放將工作溫度提高到175°C

意法半導(dǎo)體的 TSZ181H1車規(guī)算放大器和TSZ181H1 車規(guī)雙運(yùn)算放大器具有高準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，工作溫度范圍-40°C 至 175°C。最高工作溫度的提升使其使用于惡劣的工作環(huán)境和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的工況。這兩款運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓極低，在25°C 時(shí)典型值為 3.5μV；輸入偏置電流在25°C 時(shí)典型值為 30pA。這兩個(gè)參數(shù)的溫漂極低，在 25°C 時(shí)，最大輸入失調(diào)電壓為 70μV，在整個(gè)溫度范圍內(nèi)額定值為 100μV；在25°C 時(shí)，最大輸入偏置電流額定值200pA，在整個(gè)溫度范圍內(nèi)為 225pA。TSZ
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體運(yùn)放運(yùn)算放大器

意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？

近日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作，力爭(zhēng)讓意法半導(dǎo)體的芯片與博格華納的Viper功率開關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟(jì)效益。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導(dǎo)體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體博格華納 SiC 沃爾沃

意法半導(dǎo)體的低溫漂、高準(zhǔn)確度運(yùn)放將工作溫度提高到175°C

意法半導(dǎo)體的 TSZ181H1車規(guī)算放大器和TSZ181H1 車規(guī)雙運(yùn)算放大器具有高準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，工作溫度范圍-40°C 至 175°C。最高工作溫度的提升使其使用于惡劣的工作環(huán)境和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的工況。這兩款運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓極低，在25°C 時(shí)典型值為 3.5μV；輸入偏置電流在25°C 時(shí)典型值為 30pA。這兩個(gè)參數(shù)的溫漂極低，在 25°C 時(shí)，最大輸入失調(diào)電壓為 70μV，在整個(gè)溫度范圍內(nèi)額定值為 100μV；在25°C 時(shí)，最大輸入偏置電流額定值200pA，在整個(gè)溫度范圍內(nèi)為 225pA。TSZ
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體低溫漂運(yùn)放運(yùn)算放大器

意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效

意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。新推出的 STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉(zhuǎn)換能效，相關(guān)參數(shù)十分出色，例如，飽和電壓 Vce(sat)很低，確保器件在導(dǎo)通狀態(tài)下耗散功率很低。續(xù)流二極管的壓降很低，關(guān)斷電能得到優(yōu)化，讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開關(guān)準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器具有更高的能效。新IGBT具有很好的耐變性和能效，非常適合電磁加熱設(shè)備，包括廚房
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 IGBT晶體管

意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)，為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車賦能

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊提供意法半導(dǎo)體最新的第三代 750V 碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 芯片。博格華納將使用該功率模塊為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款電動(dòng)車型設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。? 意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化目標(biāo)? 博格華納
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體