整流器 文章 進入整流器技術(shù)社區(qū)
Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產(chǎn)品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。 與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此，PowerBrid
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Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
- 益登科技代理的Qspeed半導(dǎo)體今日宣布推出H系列組件，協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)，同時也提供Qspeed擴展其二極管性能領(lǐng)先優(yōu)勢的機會。以前一代產(chǎn)品作為基礎(chǔ)，Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器(PFC，Power Factor Corrector)不僅擁有更低的反向恢復(fù)電荷(QRR)，且具有目前市面上硅二極管最高的轉(zhuǎn)換效率。 Qspeed PFC二極管能協(xié)助設(shè)計人員滿足各種嚴格的性能規(guī)范，不僅能提升系統(tǒng)性能、降低電磁干擾(EMI)，而且無需使用其他器件或縮小其他組件。此
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功率因數(shù)閉環(huán)控制的PWM整流器設(shè)計
- 1. 引言 近幾年來，隨著電力電子裝置的應(yīng)用日益廣泛，電網(wǎng)中諧波電流和無功功率對電力系統(tǒng)的污染也日益嚴重。消除諧波污染并提高功率因數(shù)，已經(jīng)成為電力電子技術(shù)中的一個重大課題。作為解決這一問題的途徑之一，能
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基于MATLAB的高功率因數(shù)整流器仿真實驗平臺研究
- 以三相PWM整流電路為例，利用MATLAB的Simulink建立了仿真實驗平臺，將具有一定功能的模塊群進行封裝，用戶不必了解其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，只需了解其功能，輸入相應(yīng)參數(shù)，把各個功能模塊按照原理連接即可觀察結(jié)果，每個模塊都可以進行移植，通過仿真驗證，對工程中的三相可逆PWM整流器設(shè)計有實際意義。
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Diodes推出高壓超勢壘整流器系列第一款器件
- Diodes公司推出高壓超勢壘整流器 (Super Barrier Rectifier，簡稱SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。該系列采用熱效率和緊湊的專有PowerDI5封裝，具有卓越的超低熱阻，使SBR10U200P5能以減少40%的占位面積，實現(xiàn)雙倍的功率密度。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示，SBR10U200P5是業(yè)界體積最小的引線式10A整流器，額定電壓高達200V，能夠在10A額定電流和125℃的結(jié)溫下提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低至0.7V的正向電壓降 (VF)。該
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IR推出全新基準MOSFET，將封裝電流額定值提升了60%
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。 新器件的封裝電流額定值達到195A，比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外，7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達到240A的卓越水平，使它成為市場上
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整流器介紹
一 什么是整流器？
整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉(zhuǎn)化為直流（DC）的裝置。它有兩個主要功能：第一，將交流電（AC）變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負載，或者供給逆變器；第二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時又起到一個充電器的作用。
二 整流器三極管參數(shù)
三極管的hFE參數(shù)與貯存時間ts相關(guān)，一般hFE大的三極管ts也較大，過去人們對ts的認識以及ts的測量儀器均 [ 查看詳細 ]
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