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          IR最新節(jié)能螢光燈鎮(zhèn)流器控制IC可減少元件數(shù)

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出用于節(jié)能調(diào)光熒光燈鎮(zhèn)流器應(yīng)用的IRS2530D和IRS2158D 600V控制IC。 IRS2530D DIM8?是一種采用緊湊型8管腳尺寸半橋式驅(qū)動器的獨(dú)特線性調(diào)光鎮(zhèn)流器控制IC。新器件提供了一種以多級和三路緊湊型熒光燈(簡稱CFL)應(yīng)用取代低效白熾燈泡的競爭解決方案。IRS2530D只需要幾個小型外部元件,顯著地簡化和縮小了電路設(shè)計,同時可實(shí)現(xiàn)緊湊型熒光燈及線性鎮(zhèn)流器多達(dá)10%
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  整流器  IRS2530D  DC  

          低壓差線性穩(wěn)壓器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

          •   1 引言    電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分,其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關(guān)電源兩大類,由于開關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開關(guān)狀態(tài),本身消耗的能量很低,開關(guān)電源效率可達(dá)80%~90%,比普通線性穩(wěn)壓電源提高近一倍,目前已成為穩(wěn)壓電源的主流產(chǎn)品。   2 開關(guān)穩(wěn)壓電源的結(jié)構(gòu)   圖(1)畫出了開關(guān)穩(wěn)壓電源的原理圖及等效原理框圖,它是由全波整流器,開關(guān)管Vi,激勵信號,續(xù)流二極管VD,儲能電感和濾波電容C
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  整流器  晶體管  濾波  LDO  穩(wěn)壓器  

          探索功率二、三極管市場可持續(xù)發(fā)展之路

          •   對于分立器件供應(yīng)商而言,最好的時光可能已經(jīng)過去了。受美國次貸影響,2007年第四季度至2008年第一季度,全球終端產(chǎn)品的銷售不若預(yù)期,二、三極管銷售額相較于去年同期僅增長約5%。全球范圍內(nèi)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展放緩、原材料價格上漲、人民幣升值以及中國新勞動法執(zhí)行后勞動力成本上揚(yáng)等都對功率二、三極管市場造成不利影響,致使產(chǎn)品銷售價格和利潤率逐年走低。但是如能準(zhǔn)確把握市場熱點(diǎn),果斷進(jìn)行產(chǎn)品升級以及結(jié)構(gòu)調(diào)整,供應(yīng)商仍有機(jī)會在嚴(yán)峻的市場環(huán)境中保持或重新獲得新一輪快速增長的動力。   借產(chǎn)品升級提升競爭壁壘   由于分
          • 關(guān)鍵字: 分立器件  整流器  Vishay  科威  

          飛思卡爾利用超節(jié)能小型模擬降壓穩(wěn)壓器減輕便攜器件負(fù)荷

          •   為幫助便攜設(shè)計工程師在市場上推出節(jié)能的小體積產(chǎn)品,飛思卡爾半導(dǎo)體在模擬組合中新增加MC34726/27 DC/DC降壓穩(wěn)壓器,以優(yōu)化具有空間限制的電池供電應(yīng)用。   MC34726/27器件采用了飛思卡爾的SMARTMOS™技術(shù)。在那些將鋰離子或鋰聚合物電池作為電源的移動應(yīng)用中,該技術(shù)能提高它們在低負(fù)荷時的效率,并延長備用時間。   當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)降壓整流器的輸出負(fù)荷低時,大部分能量損耗變成開關(guān)損耗。由于在低輸出活動(如蜂窩電話備用)中使用了飛思卡爾重力模式架構(gòu),MC34726/27降壓穩(wěn)壓器
          • 關(guān)鍵字: 飛思卡爾  半導(dǎo)體  降壓穩(wěn)壓器  整流器  200807  

          Vishay推出新型增強(qiáng)型PowerBridge? 整流器系列器件

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridgeTM 整流器的新系列,這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A,最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。   與市面上體積更大的橋式整流器相比,PowerBridge 器件更為先進(jìn)的熱構(gòu)造可提高散熱效率。因此,PowerBridge 整流器可以提供與體積更大產(chǎn)品相同的額定功率,并同時需要更少的散熱裝置。   整流器也因此成為匹配桌面 PC、服
          • 關(guān)鍵字: Vishay  整流器  橋式  單相  OEM  

          Zetex推出新型整流器控制器

          •   Zetex?Semiconductors(捷特科)推出一款驅(qū)動MOSFET的專用整流器控制器,從而使?50?至?150W?的同步反激式轉(zhuǎn)換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設(shè)計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管,以實(shí)現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量,縮小電源尺寸和重量,同時簡化整體電路設(shè)計。   ZXGD3101?有“零點(diǎn)檢測器驅(qū)動器”之稱,能準(zhǔn)確檢測達(dá)到零點(diǎn)
          • 關(guān)鍵字: Zetex  捷特科  MOSFET  整流器  控制器  

          Vishay推出新型增強(qiáng)型 PowerBridge整流器系列器件

          •   2008年5月28日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM 整流器的新系列,這些器件的額定電流為10 A 至25 A,最大額定峰值反向電壓為600 V 至1000 V。   與市面上體積更大的橋式整流器相比,PowerBridge 器件更為先進(jìn)的熱構(gòu)造可提高散熱效率。因此,PowerBridge 整流器可以提供與體積更大產(chǎn)品相同的額定功率,并同時需要更少的散熱裝置。   單相整流器也因此成為匹配桌面PC、服務(wù)器、等離子電視、液晶
          • 關(guān)鍵字: Vishay  整流器  開關(guān)電源  OEM   

          通信開關(guān)電源冷卻方式對性能和使用壽命的影響

          • 摘要:降低通信開關(guān)電源的溫升是提高使用壽命的重要途徑,整流器的冷卻方式是保證可靠穩(wěn)定工作的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。自然冷卻和風(fēng)扇冷卻各具優(yōu)缺點(diǎn),將二者有機(jī)結(jié)合,會使得電源具有對環(huán)境適應(yīng)性更強(qiáng),壽命長,成本低、維護(hù)方便等技術(shù)優(yōu)勢。 關(guān)鍵詞:通信開關(guān)電源  整流器  冷卻方式   使用壽命 前言   通信開關(guān)電源是通信的基礎(chǔ)設(shè)施,一旦出現(xiàn)故障就會導(dǎo)致非常嚴(yán)重的后果。我們在實(shí)踐工作中的統(tǒng)計結(jié)果證實(shí),造成數(shù)據(jù)丟失、硬件故障和停機(jī)的主要原因是通信開關(guān)電源系統(tǒng)的失效。而電源機(jī)房工
          • 關(guān)鍵字: 通信開關(guān)電源  整流器  冷卻方式  使用壽命  電源  

          Si整流器與SiC二極管:誰與爭鋒

          •   在當(dāng)今的電氣設(shè)備中,功率半導(dǎo)體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見。它們在正常工作過程中會在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。   首先,這些器件會引起較小的功率因數(shù)。其次,它們會使線電流失真,引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。   功率因數(shù)是指實(shí)際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設(shè)備中如果存在大電容或者電感就會導(dǎo)致視在功率大于實(shí)際使用的功率,出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。   功率因數(shù)越小,在為設(shè)備供電的交流導(dǎo)線上損耗的電能就越多。如果設(shè)備中的功率半導(dǎo)體開關(guān)操作非常
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  Si  整流器  二極管  元器件用材料  

          Si整流器與SiC二極管:誰與爭鋒

          • 在當(dāng)今的電氣設(shè)備中,功率半導(dǎo)體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見。它們在正常工作過程中會在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。 首先,這些器件會引起較小的功率因數(shù)。其次,它們會使線電流失真,引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。 功率因數(shù)是指實(shí)際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設(shè)備中如果存在大電容或者電感就會導(dǎo)致視在功率大于實(shí)際使用的功率,出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。 功率因數(shù)越小,在為設(shè)備供電的交流導(dǎo)線上損耗的電能就越多。如果設(shè)備中的功率半導(dǎo)體開關(guān)操作非常頻繁,那么這種開關(guān)操作
          • 關(guān)鍵字: 整流器  二極管  功率因數(shù)補(bǔ)償  元件  制造  

          飛兆半導(dǎo)體推出STEALTHTM II整流器

          •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出7款新的STEALTH II快速恢復(fù)二極管,協(xié)助電源設(shè)計人員提高效率并同時減小占用空間。這些STEALTH II整流器具有快速反向恢復(fù)和軟恢復(fù)特性,能夠在CCM (連續(xù)電流模式) PFC設(shè)計中降低MOSFET開關(guān)損耗和EMI。雖然其它解決方案也可能具有很快的反向恢復(fù)功能,但卻要付出EMI性能降低的代價。飛兆半導(dǎo)體的STEALTH II整流器具有很低的存儲電荷及軟恢復(fù)能力,可把功率開關(guān)電路中的振蕩和電氣噪聲降至最小,從而降低總體EM
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  飛兆半導(dǎo)體公  STEALTH  II  整流器  模擬IC  電源  

          精確計算整流器的輸入電容

          •        對整流器輸入電容的大小考慮通常都很模糊,因此通常做法是選取大尺寸的電容器。如果紋波電壓足夠低,那么一切都好(見圖a)。但如果紋波電壓比較高,就需要增大輸入電容器的尺寸。有的人試圖計算出紋波百分?jǐn)?shù),但我認(rèn)為這種方法沒多大用處,因?yàn)樵O(shè)計工程師通常傾向于使波形可視化,就像用示波器看到的一樣,即上限電壓為最小電容電壓的鋸齒波。           &nbs
          • 關(guān)鍵字: 整流器  模擬技術(shù)  電源技術(shù)  電容器  

          用DSP實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)PWM整流器的控制

          • 1引言 PWM整流器是應(yīng)用脈寬調(diào)制技術(shù)發(fā)展起來的一種新型電源變流器。其基本原理是通過控制功率開關(guān)管的通斷狀態(tài),使整流器輸入電流接近正弦波,并且電流和電壓同相位,從而消除大部分電流諧波并使功率因數(shù)接近于1。本文采用TI公司的TMS320F240DSP對整流器實(shí)現(xiàn)數(shù)字控制,這一方法相對于模擬控制具有以下優(yōu)點(diǎn): 1)控制靈活在數(shù)字控制系統(tǒng)中,主要利用軟件算法實(shí)現(xiàn)控制方案,相比于模擬控制較靈活; 2)可靠性高微機(jī)系統(tǒng)由于采用元器件較少,信號全部采用數(shù)字處理,故受干擾小,可靠性高; 3)故障分析容
          • 關(guān)鍵字: DSP  PWM  電源技術(shù)  高功率  模擬技術(shù)  整流器  

          直流穩(wěn)壓電源電路

          • 變壓器把市電交流電壓變?yōu)樗枰牡蛪航涣麟?。整流器把交流電變?yōu)橹绷麟?。?jīng)濾波后,穩(wěn)壓器再把不穩(wěn)定的直流...
          • 關(guān)鍵字: 整流器  濾波  輸出  

          VISHAY 推出 TMBS™及平面肖特基整流器

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          整流器介紹

          一 什么是整流器?   整流器是一個整流裝置,簡單的說就是將交流(AC)轉(zhuǎn)化為直流(DC)的裝置。它有兩個主要功能:第一,將交流電(AC)變成直流電(DC),經(jīng)濾波后供給負(fù)載,或者供給逆變器;第二,給蓄電池提供充電電壓。因此,它同時又起到一個充電器的作用。 二 整流器三極管參數(shù)   三極管的hFE參數(shù)與貯存時間ts相關(guān),一般hFE大的三極管ts也較大,過去人們對ts的認(rèn)識以及ts的測量儀器均 [ 查看詳細(xì) ]

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