晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具
- 上月，三星代工（Samsung Foundry）部門悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術(shù)工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個(gè)采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝，可知這一術(shù)語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管，晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來自應(yīng)用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。（來自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via
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應(yīng)用材料推出運(yùn)用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)
- 半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運(yùn)用極紫外光（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過兩個(gè)可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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臺(tái)積電披露3nm工藝更多細(xì)節(jié)信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，正如外媒此前所預(yù)期的一樣，芯片代工商臺(tái)積電在今日開始的全球技術(shù)論壇上，披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細(xì)節(jié)信息。2020年的臺(tái)積電全球技術(shù)論壇，是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇，論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息，但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下，外界最期待的還是5nm之后的下一個(gè)全新工藝節(jié)點(diǎn)3nm工藝。在今天的論壇上，臺(tái)積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝，仍將繼續(xù)使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)（FinFET)晶體管，不會(huì)采用三星計(jì)劃在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上使用的
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Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？
- Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲(chǔ)備，Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。在近日的國(guó)際超大規(guī)模集成電路會(huì)議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結(jié)構(gòu)研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管納米片結(jié)構(gòu)，乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺(tái)積電16nm、三星14nm工藝節(jié)點(diǎn)上引入的，仍在持續(xù)推進(jìn)，而接下來最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，重新設(shè)計(jì)晶體管底層
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比官方宣傳還猛！臺(tái)積電5nm晶體管密度比7nm提高88％
- 一般來說,官方宣傳數(shù)據(jù)都是最理想的狀態(tài),有時(shí)候還會(huì)摻雜一些水分,但是你見過實(shí)測(cè)比官方數(shù)字更漂亮的嗎?臺(tái)積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn),第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn),蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會(huì)使用它,而且消息稱初期產(chǎn)能已經(jīng)被客戶完全包圓,尤其是蘋果占了最大頭。臺(tái)積電尚未公布5nm工藝的具體指標(biāo),只知道會(huì)大規(guī)模集成EUV極紫外光刻技術(shù),不過在一篇論文中披露了一張晶體管結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。WikiChips經(jīng)過分析后估計(jì),臺(tái)積電5nm的柵極間距為48nm,金屬間距則是30nm,鰭片間距25
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全球進(jìn)入存量競(jìng)爭(zhēng) 半導(dǎo)體行業(yè)迎來國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇期
- 全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入存量競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)代，受益于5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢(shì)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)將繼續(xù)保持較高增速。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2022年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到12925億人民幣。在半導(dǎo)體第三次轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)和國(guó)家的大力支持下，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體公司將在未來10年迎來發(fā)展的黃金時(shí)期，值得投資者密切關(guān)注 國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司10月22日注冊(cè)成立，注冊(cè)資本2041.5億元，略超此前市場(chǎng)預(yù)期的2000億元。根據(jù)《關(guān)于征集浙江省數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)投資基金項(xiàng)目的通知》顯示，大基金二期主要聚焦集成電
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“馴服”鋰離子 創(chuàng)造一個(gè)“超長(zhǎng)待機(jī)”的世界
- 2019年，諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)?lì)C發(fā)給了研發(fā)鋰離子電池的科學(xué)家?！ 『檬露嗄?，眾望所歸?！ ∪豢茖W(xué)家，他們“馴服”了鋰離子，為所有人創(chuàng)造了一個(gè)可重復(fù)充電“超長(zhǎng)待機(jī)”的世界。時(shí)至今日，鋰離子電池這種輕巧、可充電且功能強(qiáng)大的發(fā)明，出現(xiàn)在每個(gè)人都熟悉不已的手機(jī)、筆記本電腦、電動(dòng)汽車等幾乎所有電子類產(chǎn)品中。它還可以存儲(chǔ)來自太陽能和風(fēng)能的巨大能量，從而使無化石燃料社會(huì)成為可能?！ ∪巳硕紣垆囯x子電池 現(xiàn)在，于全球范圍內(nèi)，你都能看到鋰離子電池正在為人類的日?；顒?dòng)提供動(dòng)力。其中最常見的方式就是為便攜式電子設(shè)備供電。 我們
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賽靈思發(fā)布世界最大FPGA芯片：350億晶體管
- 賽靈思(Xilinx)今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，擁有多達(dá)350億個(gè)晶體管，密度在同類產(chǎn)品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。雖然具體面積沒有公布，和日前那個(gè)1.2萬億晶體管、46225平方毫米、AI計(jì)算專用的世界最大芯片不在一個(gè)數(shù)量級(jí)，但在FPGA的世界里，絕對(duì)是個(gè)超級(jí)龐然大物，從官方圖看已經(jīng)可以蓋住一個(gè)馬克杯的杯口。相比之下，AMD 64核心的二代霄龍為320億個(gè)晶體管，NV
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關(guān)于羅姆受讓Panasonic公司半導(dǎo)體元器件業(yè)務(wù)
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（董事長(zhǎng)藤原忠信、總部位于日本京都）近日決定從Panasonic公司（董事長(zhǎng)津賀一宏、總部位于日本大阪府門真市，以下簡(jiǎn)稱“Panasonic”）受讓半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門（Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.）經(jīng)營(yíng)的二極管及部分晶體管業(yè)務(wù)。預(yù)計(jì)受讓時(shí)間為2019年10月，之后將由羅姆對(duì)Panasonic的客戶進(jìn)行相應(yīng)產(chǎn)品的銷售。1.業(yè)務(wù)受讓的背景和目標(biāo)羅姆將半導(dǎo)體元件業(yè)務(wù)定位為羅姆集團(tuán)的核心業(yè)務(wù)，自20世紀(jì)60年代以來不斷地開展開發(fā)、生產(chǎn)與
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德國(guó)開發(fā)單原子量子晶體管 計(jì)算機(jī)能耗或降低1萬倍
- 德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了僅有一個(gè)原子組成的量子晶體管，而且能夠在室溫下運(yùn)行。這一研究開啟了計(jì)算能力和效率的新篇章?？刂齐娮有盘?hào)傳輸?shù)木w管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)。在逾半個(gè)世紀(jì)以來，晶體管尺寸和能耗的穩(wěn)步降低，一直是推動(dòng)計(jì)算能力增長(zhǎng)的基本動(dòng)力?！ ⌒滦途w管依靠移動(dòng)一個(gè)銀原子開啟或關(guān)閉電路。材料科學(xué)新聞Nanowerk稱這種晶體管是世界上最小的晶體管。更重要的是，新型晶體管被描述為“量子開關(guān)”，這意味著它可以比目前的晶體管攜帶更復(fù)雜的信息。 德國(guó)研究團(tuán)隊(duì)最值得關(guān)注的聲明是，新型晶體管可以
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晶體管介紹
【簡(jiǎn)介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]
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