碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

電動(dòng)汽車市場(chǎng)催生碳化硅新前景

第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢(shì)。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運(yùn)行能力。因此，第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域，
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小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，爭(zhēng)做冬季續(xù)航之王

12月29日消息，昨日，在小米汽車技術(shù)發(fā)布會(huì)上，小米集團(tuán)董事長(zhǎng)雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，全球最高體積效率達(dá)77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺(tái)，最高電壓達(dá)871V，與寧德時(shí)代歷時(shí)兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹，小米電池通過(guò)全球最嚴(yán)苛的熱失效安全標(biāo)準(zhǔn)，采用17層高壓絕緣防護(hù)，7.8m2同級(jí)最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時(shí)，采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術(shù)，最大程度保證乘員艙安全。同時(shí)，該項(xiàng)技術(shù)可以達(dá)到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級(jí)更高、空調(diào)升溫速度同級(jí)更快、充電速度同級(jí)更快”，雷軍表示，小米汽車立
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全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)

12月22日消息，據(jù)報(bào)道，Adroit Market Research預(yù)計(jì)，全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)，到2032年將達(dá)到1530億美元，2023年至2032年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示，半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(zhǎng)到2028年的$84.3B，復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢(shì)下，到2028年，該數(shù)字將增長(zhǎng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
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SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)

低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng)了新的機(jī)會(huì)。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
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意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)

2023年12月22日，中國(guó)北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動(dòng)車的中國(guó)新能源汽車龍頭廠商理想汽車（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。隨著汽車行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入，高壓純電動(dòng)車因其能效更高、續(xù)航里程更遠(yuǎn)，已成為汽車制
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NMOS和PMOS詳解

一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶

據(jù)通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過(guò)砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據(jù)悉，通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過(guò)程，并成功實(shí)現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目順利通過(guò)中期驗(yàn)收

據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目階段驗(yàn)收評(píng)審會(huì)召開(kāi)。會(huì)上，以黑龍江省科學(xué)院原院長(zhǎng)郭春景研究員為組長(zhǎng)的評(píng)審專家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計(jì)劃任務(wù)書(shū)2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書(shū)，一致同意項(xiàng)目通過(guò)階段驗(yàn)收評(píng)審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目是2021年哈爾濱市科技專項(xiàng)計(jì)劃項(xiàng)目，由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān)，旨在推動(dòng)8英寸碳化硅裝備國(guó)
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
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ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復(fù)時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品～全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。?近年來(lái)，隨著照明用的小型電源
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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng)，需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門(mén)級(jí)和門(mén)級(jí)居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
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碳化硅電子熔絲演示器為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車電路保護(hù)解決方案

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意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

12月1日消息，近日，據(jù)外媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門(mén)生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長(zhǎng)潛力。報(bào)道稱，此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國(guó)東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計(jì)劃后為平衡集團(tuán)在意法兩國(guó)布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國(guó)重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2030年碳化硅收入將超過(guò)50億美元。
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)
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英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

11月28日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計(jì)劃
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