碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

11月28日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計(jì)劃
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Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車革命中超越下一代半導(dǎo)體

倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測(cè)電動(dòng)汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會(huì)產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測(cè)Omdia半導(dǎo)體元件高級(jí)分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(zhǎng)期以來(lái)依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運(yùn)動(dòng)相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？

在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對(duì)于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為，您應(yīng)該很容易認(rèn)識(shí)到該模型與事實(shí)不符。首先，F(xiàn)ET 并不真正具有“導(dǎo)通狀態(tài)”。當(dāng)未處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)（我們?cè)诖?/li>
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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

中國(guó)上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護(hù)。&nbs
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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

奈梅亨，2023年11月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國(guó)際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計(jì)的高頻電源應(yīng)用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(zhǎng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。制造商對(duì)下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開(kāi)始專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)及銷售，在半導(dǎo)體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導(dǎo)體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地，超過(guò)1400名員工，保證了其1.8億只的日產(chǎn)能，讓其旗下產(chǎn)品可以出現(xiàn)在任何需要它們的地方。今天展會(huì)之上，先之科為我們帶來(lái)了豐富的產(chǎn)品，包括各類二極管、整流管、保護(hù)器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車電子、光學(xué)逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應(yīng)能微電子（深圳）有限公司

應(yīng)能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護(hù)器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)、制造和銷售的半導(dǎo)體技術(shù)公司。應(yīng)能成立于2012年，其核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自美國(guó)硅谷，全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應(yīng)能微的半導(dǎo)體芯片應(yīng)用市場(chǎng)包括快速增長(zhǎng)的消費(fèi)電子 (智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、高清電視、機(jī)頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應(yīng)用。應(yīng)能微銷售總監(jiān)曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
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東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái)，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
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滿足市場(chǎng)對(duì)下一代碳化硅器件的需求

一些新出現(xiàn)的應(yīng)用使地球的未來(lái)充滿了激動(dòng)人心的可能性，但同時(shí)也是人類所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如，雖然太陽(yáng)能可以提供無(wú)限的能源，但要想成功商業(yè)化，設(shè)計(jì)人員必須提供更高的功率和效率，同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車領(lǐng)域，目前電動(dòng)汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔(dān)心可用充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電所需時(shí)間和續(xù)航里程有限等問(wèn)題，電動(dòng)汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量，包括主驅(qū)逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)硅
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通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種，分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
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中芯集成正式設(shè)立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現(xiàn)身股東榜

10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱，新設(shè)立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)動(dòng)力”）已完成了工商注冊(cè)登記手續(xù)，并取得紹興市越城區(qū)市場(chǎng)監(jiān)督管理局核發(fā)的《營(yíng)業(yè)執(zhí)照》。根據(jù)中芯集成公告，芯聯(lián)動(dòng)力將運(yùn)營(yíng)碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)項(xiàng)目，注冊(cè)資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊(cè)資本總額51.00%?；诤腺Y公司的股權(quán)結(jié)構(gòu)，合資公司將被納入公司合并報(bào)表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團(tuán)旗
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安森美韓國(guó)碳化硅工廠擴(kuò)建完工年產(chǎn)能將超百萬(wàn)片

安森美位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱，其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，目標(biāo)明年完成設(shè)備安裝，到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增至每年100萬(wàn)顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇傭多達(dá)1000名當(dāng)?shù)貑T工來(lái)填補(bǔ)大部分高
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安森美韓國(guó)富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成

10月24日，安森美宣布其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車場(chǎng)于2022年中期開(kāi)始建設(shè)，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴(kuò)建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點(diǎn)）建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開(kāi)始，在2025年完成200mmSiC工藝驗(yàn)
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