碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

?MOSFET共源放大器介紹

在本文中，我們介紹了具有不同負(fù)載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負(fù)載的共源放大器。&nb
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠智能化

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力，需要輔助設(shè)備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
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瘋狂的碳化硅，國內(nèi)狂追！

近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時(shí)滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應(yīng)用、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實(shí)一項(xiàng)多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在
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2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。產(chǎn)品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開關(guān)損
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動，有時(shí)會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而大部分的 SiC MOSFET 都沒有標(biāo) 出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛凌的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)
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臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
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用于模擬IC設(shè)計(jì)的小信號MOSFET模型

MOSFET的小信號特性在模擬IC設(shè)計(jì)中起著重要作用。在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何對MOSFET的小信號行為進(jìn)行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現(xiàn)代模擬IC設(shè)計(jì)至關(guān)重要。然而，那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進(jìn)行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當(dāng)我們說“小信號”時(shí)，我們的確切意思是？為了定義這一點(diǎn)，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。圖
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英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴(kuò)大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，同時(shí)滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
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利用低電平有效輸出驅(qū)動高端MOSFET輸入開關(guān)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)

摘要在無線收發(fā)器等應(yīng)用中，系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū)，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場進(jìn)行干預(yù)，此類應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無活動或掛起后，需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位，可以切斷電源電壓，斷開系統(tǒng)電源，然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來驅(qū)動高端輸入開關(guān)，從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。簡介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性，一種方法是實(shí)施能夠檢測故障并及時(shí)響應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。這些機(jī)制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統(tǒng)正常運(yùn)行
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致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車電動空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效

2024年1月18日，中國--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續(xù)航里程可延長5到10公里，在夏冬
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線

加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
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英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達(dá)成協(xié)議

據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達(dá)成協(xié)議。據(jù)悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓，支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應(yīng)鏈彈性意味著實(shí)施多供應(yīng)商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長機(jī)會并推
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安森美：緊握第三代半導(dǎo)體市場，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場增長的推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預(yù)期。其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美專注于 SiC，重點(diǎn)聚焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
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如何增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性？這三樣法寶請您收下！

本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應(yīng)用中，各個(gè)壓降會產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應(yīng)用的理想器件。幸運(yùn)的是，MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管，并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢。簡介理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開關(guān)（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向
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工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域?yàn)樵O(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)，在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜，對電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時(shí)，它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造，形成的一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
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