碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
ROHM開發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機(jī)驅(qū)動。近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機(jī)所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。在這種背景下，
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Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資
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安森美半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專用臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實(shí)現(xiàn)類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關(guān)取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關(guān)類型，無論是超級結(jié)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率器件的演變
- 隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調(diào)（HVAC）和工業(yè)驅(qū)動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個(gè)功率級（發(fā)電、配電、轉(zhuǎn)換和消耗）所能達(dá)到的能效將決定整個(gè)電力基礎(chǔ)設(shè)施的負(fù)擔(dān)增加程度。在每個(gè)功率級，能效低會導(dǎo)致產(chǎn)生熱量，這是主要的副產(chǎn)物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當(dāng)大的影響。在轉(zhuǎn)換級，電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要?dú)w咎于導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。更高能效的半導(dǎo)體意味著更少的熱量，因此也減少了能源浪費(fèi)。低能效的半導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
- 關(guān)鍵字： 202105 MOSFET
碳化硅基板及磊晶成長領(lǐng)域 環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)
- 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導(dǎo)體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導(dǎo)體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體所不能滿足的諸多優(yōu)點(diǎn)。放眼全球化合物半導(dǎo)體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應(yīng)以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達(dá)六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 寬能隙半導(dǎo)體
ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設(shè)計(jì)周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
東芝為電動助力轉(zhuǎn)向打造電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)核心
- 隨著汽車電氣和電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜化，汽車電子系統(tǒng)的安全性逐漸成為消費(fèi)者與廠商衡量新一代汽車產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標(biāo)。如何量化評估汽車功能是否安全，如何減少、規(guī)避駕駛過程中遇到的各類風(fēng)險(xiǎn)，如何做到汽車功能安全等問題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車功能安全國際標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統(tǒng)故障而導(dǎo)致的不合理風(fēng)險(xiǎn)。由于電子控制器失效的可預(yù)見性非常低，為了保證即使出現(xiàn)部分電子器件故障，汽車系統(tǒng)也能在短期（故障容錯(cuò)時(shí)間內(nèi)）內(nèi)安全運(yùn)行，需要進(jìn)行功能安全防護(hù)。
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET
碳化硅用于電機(jī)驅(qū)動
- 0? ?引言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場的時(shí)間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。電機(jī)在工業(yè)應(yīng)用的總功率中占了相當(dāng)大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機(jī)器人、物料搬運(yùn)和許多其他功能。提高電機(jī)驅(qū)動的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著汽車電動化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾，越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導(dǎo)體進(jìn)行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導(dǎo)體制造商。簽訂本協(xié)議后，貿(mào)澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品，包括二極管、整流器和晶體管。貿(mào)澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統(tǒng)晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
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英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開關(guān)
- 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統(tǒng)（ESS）這樣的快速開關(guān)應(yīng)用，還有助于提高太陽能系統(tǒng)的額定功率和能效，并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統(tǒng)與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個(gè)功率因數(shù)（cos φ）范
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證
- 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因?yàn)檫@類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
- 關(guān)鍵字： MOSFET LET IC MCU
安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強(qiáng)其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 (EV) 市場的產(chǎn)品系列。隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強(qiáng)的可靠性都是設(shè)計(jì)人員面
- 關(guān)鍵字： MOSFET
三星首款MOSFET冰箱變頻器 采用英飛凌600V功率產(chǎn)品
- 英飛凌科技向三星電子供應(yīng)具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當(dāng)代變頻器設(shè)計(jì)中，采用直流轉(zhuǎn)交流的新興轉(zhuǎn)換趨勢。與傳統(tǒng)的開/關(guān)控制相比，能讓產(chǎn)品應(yīng)用更安靜平穩(wěn)地運(yùn)轉(zhuǎn)，同時(shí)也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機(jī)中使用分立式裝置設(shè)計(jì)的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機(jī)馬達(dá)用的 600V CoolMO
- 關(guān)鍵字： 三星 MOSFET 英飛凌
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