碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

簡(jiǎn)易直流電子負(fù)載的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)負(fù)載測(cè)試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統(tǒng)負(fù)載測(cè)試方法存在功耗較大、效率與調(diào)節(jié)精度低、體積大等問題，設(shè)計(jì)并制作一款適合隨頻率、時(shí)間變化而發(fā)生改變的被測(cè)電源的簡(jiǎn)潔、實(shí)用、方便的直流電子負(fù)載。系統(tǒng)主要由STC12C5A60S2單片機(jī)主控、增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實(shí)現(xiàn)了在一定電壓與電流范圍內(nèi)恒壓恒流任意可調(diào)，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測(cè)電源的電壓值、電流值及相應(yīng)的設(shè)定值
關(guān)鍵字： STC12C5A60S2單片機(jī) 恒流恒壓 IRF3205 負(fù)載調(diào)整率 202105 MOSFET

適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本?；A(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強(qiáng)了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動(dòng)應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場(chǎng)景。通過專注于對(duì)某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時(shí)需要犧牲相同設(shè)計(jì)中其他較不重要的參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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瑞能半導(dǎo)體舉行CEO媒體溝通會(huì)

近日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen（以下簡(jiǎn)稱Markus）的媒體溝通會(huì)在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導(dǎo)體全球市場(chǎng)總監(jiān)Brian Xie同時(shí)出席本次媒體溝通會(huì)。溝通會(huì)上首先回顧了瑞能半導(dǎo)體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內(nèi)保持的相當(dāng)規(guī)模的成長(zhǎng)，并取得的驕人成績(jī)；結(jié)合瑞能半導(dǎo)體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產(chǎn)品，明確了在碳化硅器件行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位；在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時(shí)，強(qiáng)調(diào)了瑞能半導(dǎo)體未來
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基本半導(dǎo)體——第三代半導(dǎo)體前景無限

相比于數(shù)字半導(dǎo)體，我國在模擬與功率半導(dǎo)體的差距要更大一些，因?yàn)楣β势骷粌H僅是產(chǎn)品設(shè)計(jì)的問題，還涉及到材料等多個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點(diǎn)迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等，基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應(yīng)用領(lǐng)域，市場(chǎng)潛力大，也是基本半導(dǎo)體要重點(diǎn)發(fā)力的市場(chǎng)。站在劉誠的角
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變頻電源開關(guān)芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

隨著科技的發(fā)展，電器設(shè)備使用越來越廣泛，功能越來越強(qiáng)大，體積也越來越小，對(duì)電源模塊的要求不斷增加。開關(guān)電源具有效率高、成本低及體積小的特點(diǎn)，在電氣設(shè)備中獲得了廣泛的應(yīng)用。經(jīng)分析，開關(guān)電源電路多個(gè)器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差，導(dǎo)致開關(guān)芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能，使產(chǎn)品各項(xiàng)性能有效提高，滿足電路設(shè)計(jì)需求，減少售后失效。
關(guān)鍵字：開關(guān)電源高壓瓷片電容芯片耐壓提升可靠性 202105 MOSFET

特定工作條件下的開關(guān)電源模塊失效分析

針對(duì)在某特定工作條件下發(fā)生的短路失效問題，進(jìn)行了開關(guān)電源模塊及其外圍電路的工作原理分析，通過建立故障確定了失效原因，運(yùn)用原理分析與仿真分析的方法找到了開關(guān)電源模塊的損傷原因與機(jī)理，并給出了對(duì)應(yīng)的改進(jìn)措施。
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Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

如今為商用車輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動(dòng)力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設(shè)計(jì)人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外，電力電
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原廠MOSFET價(jià)格一年漲3倍：還會(huì)繼續(xù)漲價(jià)

相比去年，已有多款MOSFET產(chǎn)品漲價(jià)幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長(zhǎng)。由于缺貨的確定短期內(nèi)得不到解決，有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為下半年該產(chǎn)品依舊會(huì)漲價(jià)。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價(jià)格持續(xù)大漲。近日由于馬來西亞、臺(tái)灣等地區(qū)新冠肺炎疫情延燒，導(dǎo)致產(chǎn)能下降，在過去的一個(gè)月，英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等IDM大廠又再度將產(chǎn)品的價(jià)格上調(diào)了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內(nèi)訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調(diào)MOSFET價(jià)格。相比去年，
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使用IC采樣保持放大器

采樣保持(S/H)功能是數(shù)據(jù)采集和模數(shù)轉(zhuǎn)換過程的基礎(chǔ)。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對(duì)輸入信號(hào)采樣，同時(shí)傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個(gè)采樣值（保持），直到再次對(duì)輸入采樣。在大多數(shù)應(yīng)用中，S/H用作數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉(zhuǎn)換器的“前端”。這樣使用時(shí)，S/H主要用于在執(zhí)行模數(shù)轉(zhuǎn)換所需的時(shí)間段內(nèi)，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必須具備的系統(tǒng)功能模塊，所用的模數(shù)轉(zhuǎn)換器在進(jìn)行轉(zhuǎn)換期間，必須提供恒定且準(zhǔn)確的模擬輸入。逐次逼近類型模數(shù)轉(zhuǎn)換器就是
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大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案

大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯(lián)大品佳推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案的展示板圖當(dāng)前，系統(tǒng)對(duì)于電源設(shè)計(jì)要求正在變得愈發(fā)苛刻。隨著能源法規(guī)不斷完善，針對(duì)效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構(gòu)已不能滿足需求，因此必須有新一代的架構(gòu)設(shè)計(jì)來滿足現(xiàn)行的需求。大聯(lián)大品佳針對(duì)高效率的5G電源應(yīng)用，基于NXP技術(shù)推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術(shù)IC
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硅晶體管創(chuàng)新還有可能嗎？意法半導(dǎo)體超結(jié)MDmesh案例研究

前言自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來，半導(dǎo)體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進(jìn)展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術(shù)進(jìn)步，在封城隔離期間我們就無不可能遠(yuǎn)程辦公，與外界保持聯(lián)系。總之，沒有半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)步，人類就無法享受科技奇跡。舉個(gè)例子，處理器芯片運(yùn)算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進(jìn)更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律，晶體管密度每18個(gè)月左右就提高一倍，這個(gè)定律控制半導(dǎo)體微處理器迭代50多年?，F(xiàn)在，我們即將到達(dá)原子學(xué)和物理學(xué)的理論極限，需要新的技術(shù)，例如，分層垂直堆疊技術(shù)。同時(shí)，我們
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貿(mào)澤與Vishay攜手推出全新電子書介紹汽車級(jí)電子元件的新應(yīng)用

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書An Automotive Grade Above（推動(dòng)汽車電子進(jìn)一步發(fā)展），探討支持電動(dòng)汽車 (EV) 充電、車載信息娛樂系統(tǒng)等各種汽車應(yīng)用所需的高性能解決方案。在這本電子書中，來自貿(mào)澤和Vishay的行業(yè)專家就現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)中一些富有創(chuàng)新性的技術(shù)提出了深入的見解，這些技術(shù)包括用于人機(jī)交互的光電傳感器和用于電動(dòng)/混動(dòng)汽車設(shè)計(jì)的光
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儲(chǔ)能領(lǐng)域蘊(yùn)藏節(jié)能機(jī)會(huì) ADI積極推動(dòng)節(jié)能減排

ADI 公司的檢測(cè)、信號(hào)轉(zhuǎn)換和信號(hào)處理技術(shù)為全球的能源基礎(chǔ)設(shè)施提供支持。從發(fā)電端的發(fā)電機(jī)電流電壓監(jiān)測(cè)/ 風(fēng)機(jī)振動(dòng)監(jiān)測(cè)、輸電環(huán)節(jié)的導(dǎo)線舞動(dòng)監(jiān)測(cè)/ 導(dǎo)線覆冰監(jiān)測(cè)/ 地質(zhì)災(zāi)害監(jiān)測(cè)、變電環(huán)節(jié)的變壓器振動(dòng)監(jiān)測(cè)到配電環(huán)節(jié)故障指示以及用電環(huán)節(jié)的電力計(jì)量，從微電網(wǎng)和公用事業(yè)到數(shù)據(jù)中心和工廠，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動(dòng)汽車充電樁的大規(guī)模部署，ADI的高性能半導(dǎo)體解決方案可幫助合作伙伴設(shè)計(jì)智能、靈活、高效的電力與能源系統(tǒng)。ADI中國汽車技術(shù)市場(chǎng)?高級(jí)經(jīng)理王星煒1? ?儲(chǔ)能系統(tǒng)B
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超結(jié)高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及EMI設(shè)計(jì)

分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)過程中由于Coss和Crss電容更強(qiáng)烈的非線性產(chǎn)生更快開關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開關(guān)過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅(qū)動(dòng)電路開關(guān)波形及開關(guān)性能的變化。最后，設(shè)計(jì)了優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的EMI結(jié)果，并給出了相應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的EMI測(cè)試結(jié)果。
關(guān)鍵字： 202106 超結(jié) 驅(qū)動(dòng) EMI 非線性 MOSFET

ROHM開發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機(jī)所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動(dòng)的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對(duì)于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。在這種背景下，
關(guān)鍵字： MOSFET