碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET,該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝,適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外,這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能,從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
- 關鍵字: Nexperia 低RDS(on) MOSFET
通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)新技術降低電源中的EMI
- 隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高,降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關鍵的系統(tǒng)設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度,浪費大量時間和資金,因此必須在設計之初就考慮 EMI 問題。開關模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術中普遍使用的電路之一,在大多數(shù)應用中,該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的,因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的開關會產(chǎn)生大量 EMI,進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關節(jié)
- 關鍵字: MOSFET
安森美半導體高能效方案賦能機器人創(chuàng)新,助力工業(yè)自動化升級
- 工業(yè)自動化簡單說來指從人力制造轉(zhuǎn)向機器人制造,涉及信息物理系統(tǒng)(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術,可實現(xiàn)經(jīng)濟增長和利潤最大化,提高生產(chǎn)效率,并避免人力在執(zhí)行某些任務時的安全隱患。安森美半導體為工業(yè)自動化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導體方案。其中,機器人半導體方案構建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動化-機器人半導體方案構建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無刷直流電機(BLDC)控制器實現(xiàn)BLDC電機控制,如高
- 關鍵字: MOSFET BLDC IoT IIoT
功率半導體-馬達變頻器內(nèi)的關鍵組件
- 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應用中的馬達,而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅(qū)動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
- 關鍵字: IGBT7 SiC MOSFET 馬達變頻器 功率半導體 英飛凌
功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展,CEF下半年成都上海再相見
- 2021年4月11日,為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕,展會與第九屆中國電子信息博覽會(CITE2021)同期舉辦,現(xiàn)場有超1500家參展商參展,共發(fā)布近萬件新產(chǎn)品、新技術,全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時,博覽會期間還舉辦了近100場同期活動,吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場參觀,500余萬觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹,展會以“創(chuàng)新驅(qū)動 高質(zhì)量發(fā)展”為主題,展覽展示、論壇會議和現(xiàn)場活動三大板塊聯(lián)動,三位一體,亮點紛呈。亮點一展覽:展示最新產(chǎn)品?9號館——基礎
- 關鍵字: MOSFET
碳化硅技術如何變革汽車車載充電
- 日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間,根據(jù)最近的趨勢,到2024年的復合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車,提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓撲結構已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓撲結構(圖1)是個傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器,以增加負載的功率因數(shù),從
- 關鍵字: MOSFET PFC
Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET,以提高系統(tǒng)能效和功率密度
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平,可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車級M
- 關鍵字: MOSFET
72V 混合式 DC/DC 方案使中間總線轉(zhuǎn)換器尺寸銳減 50%
- 背景資訊大多數(shù)中間總線轉(zhuǎn)換器 (IBC) 使用一個體積龐大的電源變壓器來提供從輸入至輸出的隔離。另外,它們一般還需要一個用于輸出濾波的電感器。此類轉(zhuǎn)換器常用于數(shù)據(jù)通信、電信和醫(yī)療分布式電源架構。這些 IBC 可由眾多供應商提供,而且通??煞胖糜跇I(yè)界標準的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內(nèi)。典型的 IBC 具有一個 48V 或 54V 的標稱輸入電壓,并產(chǎn)生一個介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級別。中間總線電壓用作負載點穩(wěn)壓器的輸入,將負責給 FP
- 關鍵字: MOSFET IBC
意法半導體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動器,可安全控制碳化硅MOSFET
- STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達26V的柵極驅(qū)動電壓,將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V,滿足SiC MOSFET開關管正常導通要求。如果電源電壓低引起驅(qū)動電壓太低,UVLO保護機制將確保MOSFET處于關斷狀態(tài),以免產(chǎn)生過多的耗散功率。這款驅(qū)動器有雙兩個輸入引腳,讓設計人員可以定義柵極驅(qū)動信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅(qū)動輸出之間設計6kV電氣隔離,電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅(qū)動能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅(qū)動裝置、風扇、電磁爐、電焊機
- 關鍵字: MOSFET UVLO
電機驅(qū)動系統(tǒng):新一代功率解決方案提升能效和可靠性
- 1? ?電機驅(qū)動系統(tǒng)的關鍵是可靠性和能效電機在現(xiàn)代生活中無處不在, 從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎設施。根據(jù)國際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù),電機占全球總電力消耗的45%,因此電機驅(qū)動電子設備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動化和機器人是電機最重要的應用之一,隨著傳統(tǒng)機器人、協(xié)作機器人和自主移動機器人的采用,我們看到工廠和其他設施變得更加自動化。一種提高電機驅(qū)動系統(tǒng)能效的方法是,以基于三相
- 關鍵字: MOSFET IPM 202103
碳化硅 mosfet介紹
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